本文介紹了LED結(jié)溫及其產(chǎn)生的原因，最后給出了LED結(jié)溫的降低方法。LED的基本結(jié)構(gòu)是一個半導(dǎo)體的P—N結(jié)。實驗指出，當(dāng)電流流過LED元件時，P—N結(jié)的溫度將上升，嚴(yán)格意義上說，就把
2011-10-31 12:05:19
3168 據(jù)最新報告1Q17 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場會員報告顯示，Micro LED關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展方向涵蓋四大面向，包含磊晶與芯片技術(shù)、轉(zhuǎn)移技術(shù)、鍵結(jié)技術(shù)（Bonding）、彩色化方案等。
2017-01-22 11:05:393090 專有外延技術(shù)轉(zhuǎn)移到Propel? 單晶圓MOCVD系統(tǒng)，從而在現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線上實現(xiàn)生產(chǎn)micro-LED。
2018-02-26 10:24:1010634 當(dāng)前的鐵電隧道結(jié)都是基于兩類鐵電材料，鈣鈦礦型鐵電體（如BaTiO3和PbZr0.2Ti0.8O3）和氧化物型鐵電體（如HfO2和Hf0.5Zr0.5O2）。這兩類鐵電材料用于鐵電隧道結(jié)各有優(yōu)缺點
2020-08-19 17:55:036043 Micro LED顯示面板包含PCB板、LED芯片、封裝膠膜、驅(qū)動IC等，Micro LED COB顯示屏的光學(xué)性能關(guān)鍵指標(biāo)：亮度、對比度、色域、灰階、刷新率、可視角等。本文通過研究COB單元板光學(xué)性能的設(shè)計影響因素，為COB單元板的光學(xué)性能設(shè)計提供參考。
2023-11-13 11:06:345254 
實驗名稱：功率放大器在驅(qū)動非載流子注入micro-LED上的應(yīng)用研究方向：半導(dǎo)體器件，光電子器件，micro-LED實驗內(nèi)容：1、制備了一種絕緣層為氧化鋁的非載流子注入micro-LED器件；2
2024-08-28 14:57:331617 
substrates (FGS)），提升了紅光氮化鎵 (InGaN)Micro LED器件的效率和陣列均勻性。研究人員聲稱，這是首個蝕刻定義臺面尺寸小于5μm的InGaN紅光Micro LED。
2024-02-04 00:07:0011073 LED路燈35萬盞（不包含LED隧道燈），其中“十城萬盞”21個城市共安裝LED路燈16萬盞。高工LED預(yù)計，2011年中國LED路燈安裝量將超過50萬盞。 基于高工LED團隊對產(chǎn)業(yè)的及時深入調(diào)研
2011-01-19 11:29:12
的結(jié)溫是影響各項性能指標(biāo)的主要因素，也是嚴(yán)重影響LED光衰和使用壽命的關(guān)鍵因素，這些參數(shù)對普通照明而言都是極其重要的照明質(zhì)量評價指標(biāo)，這已經(jīng)在照明業(yè)界達成共識。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
還是工程技術(shù)上的應(yīng)用，高調(diào)制帶寬的微納米器件都依然面臨著極大的機遇與挑戰(zhàn)。隨著電子器件制備工藝的提高，高帶寬micro LED與LD的性能與可靠性也會越來越好，有望在可見光通信、光纖通信與水下通信等領(lǐng)域
2023-05-17 15:01:55
制備方法對Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對比研究了制備方法對其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實驗結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
高性能led路燈驅(qū)動設(shè)計方案管理員，請把我的貼發(fā)了吧，我等著積分，下載些救命的資料！謝謝！
2010-07-14 16:13:57
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
高性能計算機的發(fā)展史高性能計算機的內(nèi)容高性能計算機的應(yīng)用高性能計算機的現(xiàn)狀高性能計算機的應(yīng)用領(lǐng)域高性能計算機的未來展望
2019-09-10 10:42:36
異質(zhì)結(jié)通常采用外延生長法。根據(jù)pn結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用pn結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管；利用擊穿特性
2016-11-29 14:52:38
現(xiàn)在的電池技術(shù)還是存在許多的弊端，比如說待機時間短、成本過高等問題。近日，蘇州大學(xué)物理與光電能源學(xué)部晏成林教授科研團隊利用廉價冶金硅和廢棄的豆渣制備出高性能新型電池，可用于各類可穿戴設(shè)備上。讓
2016-01-12 16:23:38
產(chǎn)品重要性的同時，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對集成度越來越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國市場對高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
通過FPGA來構(gòu)建一個低成本、高性能、開放架構(gòu)的數(shù)據(jù)平面引擎可以為網(wǎng)絡(luò)安全設(shè)備提供性能提高的動力。隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，性能成為制約網(wǎng)絡(luò)處理的一大瓶頸問題。FPGA作為一種高速可編程器件，為網(wǎng)絡(luò)安全流量處理提供了一條低成本、高性能的解決之道。
2019-08-12 08:13:53
是什么推動著高精度模擬芯片設(shè)計？如何利用專用晶圓加工工藝實現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
利用差動放大器實現(xiàn)低損失、高性能全波整流器的電路是什么樣的？
2019-08-02 07:00:51
如何設(shè)計高性能的SDI信號鏈？對PCB布板和電源設(shè)計有哪些建議？TI在SDI領(lǐng)域的具體方案是什么？
2021-05-24 06:48:22
安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出橢圓形輻射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)雙孔直插超高亮度InGaN (氮化銦鎵) LED
2018-08-28 16:02:10
高頻開關(guān)電源變壓器用功率鐵氧體的制備技術(shù)
2019-04-15 09:58:37
PCB設(shè)計團隊的組建建議是什么高性能PCB設(shè)計的硬件必備基礎(chǔ)高性能PCB設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)和工程實現(xiàn)
2021-04-26 06:06:45
激光器的增益區(qū)為GaAs量子阱，采用折射率低的AlGaAs作為光腔限制層。因為GaAs和AlGaAs的晶格常數(shù)幾乎一致，且制備條件相似，所以激光器的增益區(qū)和光腔的質(zhì)量很高，激光器的性能也很好
2020-11-27 16:32:53
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統(tǒng)，只需要用1片F(xiàn)PGA和2片SRAM就可以實現(xiàn)大屏幕LED顯示的驅(qū)動和內(nèi)容更換，可以說其性能已經(jīng)大有改善。本設(shè)計可以應(yīng)對多種大屏幕顯示的場合。
2021-06-04 06:02:01
怎樣利用可編程邏輯來實現(xiàn)高性能的罪犯抓捕系統(tǒng)？
2021-04-28 06:39:25
一層的外延生長得到N+溝槽和直接開溝槽。前者工藝相對的容易控制，但工藝的程序多，成本高；后者成本低，但不容易保證溝槽內(nèi)性能的一致性。超結(jié)型結(jié)構(gòu)的工作原理1、關(guān)斷狀態(tài)從圖4中可以看到，垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在
2018-10-17 16:43:26
的InGaN芯片制造方法在藍寶石襯底上生長出PN結(jié)后將藍寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍光LED驅(qū)動芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美國
2018-08-31 20:15:12
了影響散熱器性能的因素。熱量如何產(chǎn)生并影響 LED當(dāng)在 LED 的 P-N 結(jié)適當(dāng)施加足夠的電壓時，電流會流經(jīng)該結(jié)，同時產(chǎn)生光和熱。 但是，普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量
2017-04-10 14:03:41
LED隧道照明技術(shù)分析
全球節(jié)能減排的帶動，LED作為要求24小時運作的隧道燈便成為不二之選。加上半導(dǎo)體照明技術(shù)正在日益進步，目前市場上已經(jīng)量產(chǎn)的１W大功
2010-04-02 16:12:01
65 LED燈具的工作結(jié)溫是產(chǎn)品性能的重要指標(biāo)，工作結(jié)溫直接影響到LED燈具的使用壽命，但目前罔內(nèi)在這方面標(biāo)準(zhǔn)的制玎則相對落后衛(wèi)章介紹7亞明LED實驗室采用的撿剎方擊廈
2010-08-25 08:52:0556 1、什么是LED 的結(jié)溫？LED 的基本結(jié)構(gòu)是一個半導(dǎo)體的P—N 結(jié)。實驗指出，當(dāng)電流流過LED 元件時，P—N 結(jié)的溫度將上升，嚴(yán)格意義上說，就把P—N 結(jié)區(qū)的溫度定義為LED 的結(jié)溫
2010-10-26 17:05:0334 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 本推薦性技術(shù)規(guī)范的全部技術(shù)內(nèi)容為推薦性。制定本推薦性技術(shù)規(guī)范的目的是指導(dǎo)LED 隧道燈的設(shè)計、生產(chǎn)和使用，規(guī)范和引導(dǎo)LED 隧道照明技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展。本推薦性技術(shù)規(guī)范
2010-12-23 17:17:0953 LED結(jié)溫產(chǎn)生原因是什么?降低LED結(jié)溫的途徑有哪些？ 1、什么是LED的結(jié)溫？LED的基本結(jié)構(gòu)是一個半導(dǎo)體的P—N結(jié)。實驗指出，當(dāng)電流流過LED元件時，P—N結(jié)的溫
2009-11-13 10:07:211440 高性能鋰離子電池正極材料制備技術(shù)
以鈷為原料，采用液相合成和高溫固相合成相結(jié)合的集成工藝，攻克了制備高性能鋰離子電池正極材
2009-11-20 14:00:44765 LED隧道燈在隧道照明工程中重點技術(shù)指標(biāo)的分析
隧道應(yīng)用新型光源的節(jié)能研究受到了業(yè)界關(guān)注，其中LED隧道燈的節(jié)能研究已經(jīng)有重大進展。因為根據(jù)明視覺與中間視覺
2010-03-09 09:32:342092 
通過對不同驅(qū)動電流下各種顏色LED 結(jié)溫和熱阻測量, 發(fā)現(xiàn)各種顏色LED 的熱阻值均隨驅(qū)動電流的增 加而變大, 其中基于InGaN 材料的藍光和白光LED 工作在小于額定電流下時, 熱阻上升迅速; 驅(qū)動電流大于額定電 流時, 熱阻上升速率變緩。其他顏色LED 熱阻隨驅(qū)動電
2011-03-15 10:21:5363 DESCRIPTION The VLHW4100 is a clear, untinted 3 mm LED for high end applications where supreme
2011-03-29 10:05:5324 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 該文通過分析LED光源的特點、隧道照明的特點及對光源的要求, 總結(jié)了LED 光源在隧道照明中的優(yōu)勢和機遇, 指出了當(dāng)前LED光源仍面臨價格和散熱兩方面的挑戰(zhàn)。從而為LED光源在隧道照明
2012-01-09 14:29:4935 LED外延生長及芯片制造過程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量，是LED生產(chǎn)過程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。
2012-03-23 08:38:131699 氮化鎵（GaN）的混合物和氮化銦（酒店）形成的氮化銦鎵（InGaN）已成為制造LED的比較流行的技術(shù)之一，特別是藍色和綠色。雖然技術(shù)的歷史可以追溯到上世紀(jì)90年代，大功率InGaN技術(shù)更近。
2017-06-13 14:25:368 利用藍光LED芯片激發(fā)［ Ru（ dtb-bpy ）; ］2+ （PF ）z 和YAG 混合熒光粉的方法制備了新型白光LED，研究了隨著［Ru（ dtb-bpy ）; ］2+ （PFG ）z 含量
2017-10-20 17:24:539 通過對不同驅(qū)動電流下各種顏色LED 結(jié)溫和熱阻測量， 發(fā)現(xiàn)各種顏色LED 的熱阻值均隨驅(qū)動電流的增加而變大， 其中基于InGaN 材料的藍光和白光LED 工作在小于額定電流下時， 熱阻上升迅速
2017-11-13 15:08:394 從傳統(tǒng)封裝LED，到“小間距”、“Micro LED”、“Mini LED”，泛濫的技術(shù)名詞讓顯示市場一片混沌，許多人才弄明白Micro LED沒多久，Mini LED一來又混亂了，這到底是新的技術(shù)路線，還是新的商業(yè)策略？是自成一格的次世代技術(shù)，還是通往Micro LED的過渡技術(shù)？
2018-05-19 11:53:002600 廈門大學(xué)與臺灣新竹交通大學(xué)的科研團隊近期合作開發(fā)了一種基于顯微成像系統(tǒng)的Micro-LED表面亮度檢測系統(tǒng)，可以快速測量Micro-LED陣列在工作時任意位置的絕對亮度值。
2018-10-05 08:46:004415 韓國研究財團10月14日宣布稱，高麗大學(xué)Kim Taegeun教授帶領(lǐng)的研究團隊通過金屬離子的電化學(xué)摻雜方式，開發(fā)出可提升Micro LED的光電效率的高效率透明電極。
2018-10-18 15:45:304850 LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-13 17:02:593997 雖然，在蘋果和三星兩大巨頭的力捧之下——蘋果Apple watch上采用Micro LED面板、三星推Micro LED家用電視，Micro LED成為當(dāng)紅炸子雞，但由于其技術(shù)難度和高昂成本，我們
2019-03-23 09:29:545899 三安光電透露，擬投資120億元，在湖北省建設(shè)Mini/Micro LED 外延與芯片項目。
2019-04-30 08:46:593991 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國內(nèi)LED技術(shù)與市場發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4922365 日前，英國Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開發(fā)出世界上首個硅基InGaN紅光LED。
2019-12-07 10:15:092185 據(jù)報道，加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（University of California， Santa Barbara，UCSB）對通用電氣（GE）提起專利侵權(quán)訴訟，持續(xù)捍衛(wèi)其LED燈絲燈專利權(quán)。
2020-01-02 14:52:435375 、UV PD以及HEMT，分享了寶貴的仿真設(shè)計經(jīng)驗，旨在助力產(chǎn)業(yè)省時省力省財?shù)?b class="flag-6" style="color: red">制備高效的器件。 第一講：芯片設(shè)計助力制備高效率UVC-LED器件 課程介紹： 據(jù)權(quán)威研究報道顯示，UVC-LED在滅殺新型冠狀病毒方面有著顯著的效果，對于防控與抑制新型
2020-04-07 16:21:211340 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團隊一直致力于鐵性隧道結(jié)信息存儲原型器件研究，在磁電耦合、超快、多阻態(tài)、低功耗、非易失信息存儲等方面取得了重要進展。
2020-04-11 15:49:183067 LED外延片其實是襯底材料作用的，也就是說在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說在進行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:596397 據(jù)報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48895 國星半導(dǎo)體是專業(yè)從事高端LED外延芯片的研發(fā)、制造、銷售的公司，產(chǎn)品涵蓋高性能RGB顯示芯片、UV芯片、倒裝大功率芯片、Mini/Micro芯片等。
2020-08-11 16:35:062679 日前，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）總裁Lee bing －jye透露，智能手表將是Micro LED的第一個主要應(yīng)用，從現(xiàn)在起3－4年時間內(nèi)Micro LED可能會大量應(yīng)用在智能手表上。
2020-08-12 16:42:241268 LED熱測試 為了在不犧牲可靠性的前提下獲得最高的光學(xué)性能，必須了解特定應(yīng)用中LED組件的熱性能。1993年1月28日的技術(shù)備忘錄“ LED燈的熱特性”討論了LED燈的基本熱模型。本應(yīng)用簡介描述了
2021-05-13 09:47:175303 
，國內(nèi)外不斷傳來紅光問題的解決方案，雖然這些解決方案還未能開始量產(chǎn)應(yīng)用，但無疑已經(jīng)為未來重新定義可能性提供了選擇。 近日，外媒有消息稱，從劍橋大學(xué)分拆的公司Porotech宣布推出基于其獨特GaN生產(chǎn)技術(shù)的首款產(chǎn)品，也是全球首款商業(yè)化的用于Micro LED應(yīng)用的原生紅光LED外延
2020-12-02 11:29:303824 從產(chǎn)品特性等優(yōu)勢來說，Micro LED似乎更應(yīng)該在超小尺寸顯示領(lǐng)域更早開花結(jié)果。而現(xiàn)實卻是Micro LED最早在超大尺寸顯示領(lǐng)域落地。
2021-01-21 15:42:271161 顯示和巨量轉(zhuǎn)移兩個難題以外，基于GaN基的Micro-LED器件的低EQE也是亟待解決的關(guān)鍵問題之一。造成GaN基的Micro-LED器件低EQE的主要原因在于小尺寸器件下，側(cè)壁缺陷造成的非輻射復(fù)合對器件性能的影響。針對這一問題，主要有以下幾個方法去解決：從工藝制備角度來說，可
2021-01-25 14:06:301544 
中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國家重點實驗室梁靜秋研究團隊使用晶圓鍵合和襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)，制備五種像素尺寸（最小尺寸為10μm）的硅襯底AlGaInP紅光Micro-LED以探究其尺寸效應(yīng)。
2022-04-25 15:52:002644 今年2月22日，由劍橋大橋分拆出來的Micro LED微顯示技術(shù)企業(yè)Porotech宣布獲得2000萬美元（約合人民幣1.27億元）的A輪融資，資金擬用于加速推動公司全球擴張計劃及InGaN基Micro LED產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。
2022-06-24 12:48:112578 
光電探測器在圖像傳感、環(huán)境監(jiān)測、通信等領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。近年來，量子點作為一種光電性能優(yōu)異的半導(dǎo)體納米材料，被廣泛應(yīng)用于光電探測器。PbSe量子點具有優(yōu)異的吸光性能，被用于制備高性能的光電探測器。
2022-11-21 10:10:354367 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發(fā)光二極體，也可以寫作μLED
2023-02-06 10:28:4352059 該團隊還針對化學(xué)氣相沉積方法可巨量生長的二維薄膜材料的異質(zhì)結(jié)的快速制備問題，發(fā)展出了一種高效且高質(zhì)量的制備方法，創(chuàng)造性地利用水膜浸潤轉(zhuǎn)移界面，根據(jù)材料或襯底的親水疏水性不同
2023-02-15 10:16:162577 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù)，目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍三基色Micro LED陣列。目前，像素點間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已縮至8微米。
2023-02-21 10:53:161649 對于
Micro LED而言，一張4寸
外延的片內(nèi)波長差小于2nm才勉強滿足使用要求，除此之外
Micro LED對更高光效的
外延也提出了要求；如何通過對
外延結(jié)構(gòu)以及生長方法和工藝進行一系列優(yōu)化從而降低
外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊龋?/div>
2023-02-27 11:04:411900 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會擴大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:041644 通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:212408 
Mojo Vision日前發(fā)布了一款14K ppi的紅色Micro LED顯示器，從而向克服高性能全彩Micro-LED顯示器挑戰(zhàn)的重要一步。
2023-07-03 10:12:23463 2021, 372, 1462”)報道了雙層六方氮化硼(BBN)中的鐵電極化及其新型滑移反轉(zhuǎn)機制的實驗結(jié)果，這為范德華多鐵隧道結(jié)的進一步發(fā)展開辟了新的發(fā)展策略。截至當(dāng)前，利用范德華滑移鐵電材料與二維磁性材料構(gòu)建多鐵隧道結(jié)目前還沒有報到，這值得實驗和理論進一步的探究。
2023-08-25 14:25:002513 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 思坦科技的高性能micro led微顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2018年設(shè)立時開始致力于宣傳飛行員生產(chǎn)線進行了技術(shù)驗證和優(yōu)化工程中，micro led光電芯片和驅(qū)動芯片的自主設(shè)計和高精結(jié)合，草色單曲芯片等核心工藝技術(shù)精通。
2023-09-22 10:37:501609 因為Micro LED尺寸很小，傳統(tǒng)顯示器量測設(shè)備鏡頭的相機像素?zé)o法滿足檢測需求，臺灣地區(qū)工研院研發(fā)團隊利用“重復(fù)曝光色彩校正技術(shù)”，以重復(fù)曝光方式達到Micro LED面板色彩的平衡，并通過光學(xué)校正技術(shù)分析色彩均勻度，達到準(zhǔn)確量測目的。
2023-10-26 16:42:031587 
這項研究首次提出了一種由層間激子驅(qū)動的高性能紅外光電探測器，該紅外探測器由化學(xué)氣相沉積（CVD）生長的范德華異質(zhì)結(jié)所制備。這項研究標(biāo)志著光電器件領(lǐng)域進步的一個重要里程碑。
2023-11-13 12:42:511649 
據(jù)悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉(zhuǎn)移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設(shè)備中。
2023-12-13 16:55:391392 
據(jù)估計，專供1英寸以下尺寸且用于XR設(shè)備的小型化顯示將會是 Micro LED 技術(shù)最為成熟的領(lǐng)域。分析認(rèn)為，在增強現(xiàn)實（AR）、虛擬現(xiàn)實（VR）頭戴式顯示器（HMD）和抬頭顯示器（HUD）方面，Micro LED憑借高性能和亮度等優(yōu)勢將得到充分體現(xiàn)。
2024-01-12 09:52:283014 Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111) 濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機氣相外延（MOVPE）更低的生長溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)
2024-01-12 17:27:131093 
近年，IQE開始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術(shù)儲備及規(guī)?；a(chǎn)的能力，可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。
2024-01-18 11:45:241892 大話顯示3月2日消息，蘋果近日接連爆出震撼彈，繼傳出喊停Apple Car開發(fā)計劃，解散多達2千人的團隊，現(xiàn)在可能就連Micro LED Apple Watch項目也告吹了。
2024-03-04 10:27:101149 據(jù)消息人士透露，蘋果現(xiàn)已終止了尋找新供應(yīng)商的行動，并開始調(diào)整Micro LED研發(fā)團隊結(jié)構(gòu)。早前，蘋果已投入數(shù)十億美元進行Micro LED屏研發(fā)，旨在首先應(yīng)用于Apple Watch Ultra表款之上。
2024-03-25 15:44:30773 近年在LED上游企業(yè)努力下，更小尺寸的LED芯片在良率以及性能上持續(xù)提升，Mini/Micro LED技術(shù)得以穩(wěn)步發(fā)展。
2024-04-07 10:07:491387 半導(dǎo)體量子點（QD）以其顯著的量子限制效應(yīng)和可調(diào)的能級結(jié)構(gòu)，成為構(gòu)筑新一代信息器件的重要材料，在高性能光電子、單電子存儲和單光子器件等方面具有重要應(yīng)用價值。半導(dǎo)體量子點材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型
2024-06-16 17:23:3612142 
材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點。 近期，在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王占國院士的指導(dǎo)下，劉峰奇研究員團隊等在量子點異質(zhì)外延的研究方面取得重要進展。研究團隊以二維材料為外延襯底，基于分子束外延技術(shù)，發(fā)展
2024-11-13 09:31:261408 SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。
2024-11-14 14:46:302351 
? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù)，在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中，陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準(zhǔn)測量是確保制備質(zhì)量的關(guān)鍵。白光干涉儀憑借獨特
2025-05-23 09:39:17632 
高質(zhì)量的材料制備是一切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過程?
2025-06-17 15:05:451231 
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