12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯合開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。實驗結果表明，微盤陣列表現出了優異的結晶度，并可發出平面內方向一致且亮度較強的藍光。

據悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設備中。

值得注意的是，首爾國立大學的研究團隊近年正在深入進行Micro LED技術的研究，并通過與韓國知名顯示企業之間的合作，陸續開發出先進的Micro LED制造技術。

就在今年的7月，首爾國立大學與LG電子的科學團隊在《自然》（nature）雜志上發表了一種稱作流體自組裝(FSA)的巨量轉移新技術，通過搖晃運動的方式將Micro LED芯片定位并粘合在基板上。

實驗結果顯示，通過應用FSA技術，可在60秒的時間內組裝一個具有超19,000 個Micro LED芯片的兩英寸藍光面板。若仔細控制液體的粘度，該轉移技術還可實現高達99.9%的Micro LED組裝良率

這項巨量轉移新技術可大幅縮減Micro LED顯示產品的制作時間與成本。該技術有望在未來5年應用在Micro LED智能手機、平板電腦、智能手表和增強現實設備等顯示產品的生產中。

除此之外，在2020年，首爾國立大學團隊還成功在100nm的藍寶石納米薄膜上生長出Micro LED陣列。研究團隊設計出一種藍寶石納米薄膜陣列，用于生長尺寸為4μm×16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經過等離子蝕刻工藝就能夠實現Micro LED芯片的單片化，提供更高的外量子效率（EQE）。