日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅動器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:205424 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅動變壓器---MGDT，可在高功率的國防和航天、工業及醫療應用中顯著節省空間。
2018-03-07 13:57:099670 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。
2019-02-17 09:17:001773 Vishay宣布，推出節省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 08:08:001250 的 FET 和柵極驅動器。GaN FET 的開關速度比硅質 FET 快得多，而將驅動器集成在同一封裝內可減少寄生電感，并且可優化開關性能以降低功率損耗，從而有助于設計人員減小散熱器的尺寸。節省的空間
2018-10-31 17:33:14
33V，適合驅動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關。集成的 UVLO 保護確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數數字控制器
2025-04-03 14:23:02
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
等效的多數載流子MOSFET關斷時，在IGBT少數載流子BJT中仍存在存儲時間延遲td(off)I。不過，降低Eoff驅動阻抗將會減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關斷
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域。開關電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅動器；交流和無刷直流電動機驅動器；電磁爐頂；工業變頻器；開關電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
的老式設計，節約了大量空間。 MOSFET或IGBT作為變流器控制開關，使用隔離驅動器驅動MOSFET或IGBT可以將大電流隔離，還可以保護控制單元免受高壓大電流的沖擊和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
較低。這里的關鍵之處在于，為了從MOSFET轉換到IGBT，必須對柵極驅動電路進行調節。傳導損耗需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少
2017-04-15 15:48:51
感應逆變器直通一般而言，有兩種方法可以解決逆變器IGBT的感應導通問題——使用雙極性電源和/或額外的米勒箝位。在柵極驅動器隔離端接受雙極性電源的能力為感應電壓瞬變提供了額外的裕量。例如，–7.5 V
2019-07-24 04:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
技巧。對于電流測量而言，逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測量器件，以便應付直通故障和電機繞組故障。控制器和/或柵極驅動器中的快速執行跳變電路必須及時關斷IGBT，防止超出短路耐受時間。這種
2019-10-06 07:00:00
什么是變頻驅動器（VFD）/逆變器呢？變頻驅動器（VFD）/逆變器在TVS二極管中有何作用呢？
2022-01-14 06:56:58
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
求教大佬們如何用DSP產生PWM波驅動IGBT的驅動器？代碼應該怎么寫啊？
2019-01-08 09:15:35
柵極驅動器中的快速執行跳變電路必 須及時關斷IGBT，防止超出短路耐受時間。這種方法的最大好 處是它要求在每個逆變器臂上各配備兩個測量器件，并配備一 切相關的信號調理和隔離電路。只需在正直流總線線路和負
2018-08-20 07:40:12
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流，同時選用時應該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅動器的外殼結構以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發及測試
2023-03-23 16:01:54
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達 100A，運行頻率高達 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現寄生導通和關斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅動器
2018-09-30 09:23:41
（PWM）控制輸出電壓。三相逆變器還使用6個隔離式柵極驅動器驅動IGBT。除了IGBT和隔離式柵極驅動器，三相逆變器還含有直流母線電壓感應、逆變器電流感應與過熱、過載和接地故障等IGBT保護。在暖通空調
2018-08-29 15:10:42
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驅動器：這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55778 單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
大功率IGBT 在使用中驅動器至關重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅動器的設計計算方法，經驗公式及有關CONCEPT 驅動板的選型標準。
2011-09-20 11:55:03249 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節省空間，并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:511504 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。
2014-03-25 10:19:44981 。Vishay Polytech TMCJ和TMCP分別采用J（1608-09）和P（2012-12）外形尺寸，TMCU使用超平、超薄的UA（3216-12）和UB （3528-12）外形尺寸。
2015-04-03 16:48:371247 1.4mm x 1.8mm miniQFN10封裝的音頻接孔探測器DG2592和低壓雙路SPDT模擬開關DG2750，用來替代便攜式應用中常用的尺寸較大的miniQFN10和WCSP器件，達到節省空間的目的。
2016-03-07 11:33:06893 本參考設計采用一個22kW 功率級以及TI 全新的增強型隔離式(IGBT) 柵極驅動器ISO5852S，適用于交流驅動器等各類三相逆變器。此參考設計可用于評估3 相逆變器中ISO5852S 的性能
2016-11-05 15:45:140 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的2525、3232和4040外形尺寸的汽車級電感器，擴大了IHLE系列超薄、大電流電感器的應用范圍。
2016-12-16 14:51:451377 /DC轉換的新系列超薄功率電感器---IFL和IFLS系列。Vishay Dale IFL和IFLS系列器件的外形尺寸為1212、1616和2020，高度為1.0mm，最大電感為100μH，這個數值通常是尺寸更大的器件才能達到。
2017-04-27 18:31:111665 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 本參考設計采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 (IGBT) 柵極驅動器 ISO5852S，適用于交流驅動器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2527 Vishay推出兩顆3mm x 3mm 1212外形尺寸的電感器---IHHP-1212ZH-01和IHHP-1212AZ-01，擴充其IHHP系列超薄、大電流的功率電感器。Vishay Dale
2018-06-04 09:30:001445 目前有許多MOSFET技術和硅工藝，每天都有新的進展。基于電壓/電流額定值或芯片尺寸來對MOSFET驅動器與MOSFET進行匹配作出概括說明是非常困難的，如果不是不可能的話。
2018-11-01 16:19:3562 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出節省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 15:05:144896 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有獨立的高、低壓側參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術使加固單片結構成為可能。邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0052 當今多種 MOSFET 技術和硅片制程并存，而且技術進步日新月異。要根據 MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸，對如何將 MOSFET 驅動器與 MOSFET 進行匹配進行一般說明，實際上顯得
2020-06-16 08:00:0028 中的功率消耗或損耗、發送到功率半導體開關 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅動器 IC 和功率半導體開關之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本
2021-06-14 03:51:005321 
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGBT驅動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:024024 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261774 
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:142770 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
MOSFET及
IGBT柵極驅動電路的引腳排列內部結構、工作原理、主要技術參數和應用
技術。書中不但給出多種以這些驅動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統專用驅動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 電子發燒友網站提供《超薄背光驅動器參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-06 14:56:064 額定功率使用一個硬件平臺通過交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開關。這個概念最大化了門驅動器設計的可伸縮性電機控制和功率轉換的應用范圍從低到高額定功率。
2022-12-15 13:58:191678 
對于IGBT/MOSFET驅動器電氣過應力測試（EOS測試），設置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電容器和電阻器。對于軸向型柵極電阻Rg，使用2 W額定功率金屬電阻器。
2022-12-22 15:59:252353 
（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 在逆變器中驅動和保護IGBT 介紹ACPL-339J是一款先進的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機IGBT門驅動光耦合器接口。專為支持而設計MOSFET制造商的各種電流評級，ACPL-339J使
2023-02-22 14:54:521 SLM27517 單通道，高速，低側柵極驅動器器件可以有效地驅動MOSFET和IGBT功率開關。使用設計其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉換為電容性負載軌對軌驅動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 在所有工業控制系統中，變頻驅動器(VFD)/逆變器通常安裝在電動機的前端，以調節速度并節省能源。
2023-03-30 09:21:342401 眾所周知，在所有工業控制系統中，變頻驅動器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動機的前端，以調節速度并節省能源。根據不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)或高壓(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:331980 驅動器采用節省空間的 SOP-4 封裝，集成關斷電路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271? 專門用來提高汽車應用性能，同時提高設計靈活性并降低成本，開關速度和開路輸出電壓均達
2023-06-08 19:55:021420 
由于變頻驅動器(VFD)和逆變器是提供電源的關鍵組件，為此它們的性能和可靠性對于不間斷電源來說是至關重要的。接下來，電路保護元器件廠家東沃電子DOWOSEMI要介紹的是在惡劣條件下，如何確保變頻
2023-05-12 17:32:582045 
在電機驅動系統中，柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:342087 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 電子發燒友網站提供《現代IGBT/MOSFET柵極驅動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:081454 
報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57997 
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器，這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:211464 的信號轉換成高電壓、高電流的脈沖來控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅動器在現代電力電子系統中扮演著至關重要的角色，廣泛應用于電機控制、逆變器、開關電源等領域。
2024-07-19 17:15:2724578 MOSFET驅動器是一種用于驅動MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的電路設備。MOSFET作為一種重要的半導體器件，在電子工業中有著廣泛的應用，特別是在需要高頻、高電壓、大電流控制的場合
2024-07-24 16:21:071852 高壓柵極驅動器在確保電動汽車的電力流動可靠控制方面至關重要。從控制逆變器的IGBT或MOSFET的開關到監測和管理電池的充電狀態、健康狀況和熱條件，高壓驅動器確保對開關事件的精確控制。電動機控制
2024-08-29 11:45:491198 
電子發燒友網站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南.pdf》資料免費下載
2024-09-11 14:21:390 最新 IGBT 和 MOSFET 驅動器 器件峰值輸出電流高達?4 A 工作溫度高達?+125 °C，傳播延遲低至?200 ns Vishay 推出兩款采用緊湊、高隔離延展型 SO-6 封裝
2024-11-03 13:42:001015 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器。浮動溝道驅動器可用于獨立驅動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020 Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯混合驅動逆變器設計的關鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器，設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設計、快速開關IGBT和MOSFET驅動器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341415 Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型、快速開關IGBT和MOSFET驅動器。VOFD341A光耦合器具有3A高峰
2025-11-11 16:33:481436 在電力電子設計領域，IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其驅動電路的性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅動器。
2025-12-01 14:29:16469 
在電力電子領域，IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其驅動電路的性能對整個系統的效率和可靠性起著至關重要的作用。今天，我們就來詳細探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅動器。
2025-12-09 09:37:551544 
先進的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅動器，主要用于xEV牽引逆變器中的SiC和IGBT模塊驅動。它通過先進的柵極驅動功能，在節省空
2025-12-24 14:25:02225
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