探索ACPL-K308U工業(yè)光伏MOSFET驅(qū)動(dòng)器：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在工業(yè)電子領(lǐng)域，高效可靠的MOSFET驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天我們要深入探討的是博通（Broadcom）公司
2025-12-30 16:10:03
75 。
主要優(yōu)勢：
集成方案，簡化設(shè)計(jì)：可直接替代由分立NPN/PNP晶體管搭建的驅(qū)動(dòng)電路，大幅減少外圍元件數(shù)量，簡化PCB布局，提升整體可靠性并降低成本。
提升效率與性能：強(qiáng)勁的電流輸出與納秒級(jí)的開關(guān)速度
2025-12-29 08:33:43
MAX845：用于PCMCIA應(yīng)用的隔離式變壓器驅(qū)動(dòng)器 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，為特定應(yīng)用選擇合適的電源解決方案至關(guān)重要。對于PCMCIA及其他對空間和高度敏感的應(yīng)用場景，MAX845隔離式變壓器驅(qū)動(dòng)器
2025-12-28 15:25:02389 自動(dòng)化裝置的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
小型電機(jī)控制：驅(qū)動(dòng)小型步進(jìn)電機(jī)、有刷直流電機(jī)，滿足消費(fèi)電子、家電等產(chǎn)品的電機(jī)控制需求。
緊湊型電源模塊：可用于空間受限的POL（負(fù)載點(diǎn)）電源、隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
#SiLM2026 #半橋驅(qū)動(dòng)器 #半橋門極驅(qū)動(dòng)
2025-12-27 09:27:00
?雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC.pdf 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC，專為驅(qū)動(dòng)Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關(guān)而設(shè)
2025-12-21 09:30:03543 IC.pdf 1. 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC，專為驅(qū)動(dòng)Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關(guān)而設(shè)計(jì)。所有產(chǎn)品都采用
2025-12-20 20:35:051020 探索FDA117光伏MOSFET驅(qū)動(dòng)器：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們將深入探討Littelfuse公司的FDA117光伏
2025-12-16 10:00:02221 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCP51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器憑借其出色的性能和豐富的功能，在眾多
2025-12-09 10:17:20360 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（NCP51563 EVB），了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。
2025-12-08 14:20:24347 
在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，它具備諸多出色特性，適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-05 15:41:49354 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，看看它有哪些特性和優(yōu)勢，以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的要點(diǎn)。
2025-12-05 15:33:08336 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)時(shí)。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NCP51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，這款產(chǎn)品憑借其卓越的性能和豐富的特性，在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出強(qiáng)大的競爭力。
2025-12-03 11:21:50312 
對功率驅(qū)動(dòng)的“快、穩(wěn)、久”需求，正被傳統(tǒng)方案的先天缺陷不斷制約。而納芯微電子推出的NSI6801M隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，以“光耦兼容+性能升級(jí)”的雙重優(yōu)勢，賦能
2025-12-01 17:32:581220 
納芯微電子NSI6801M隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，以“光耦兼容+性能升級(jí)”的雙重優(yōu)勢，賦能工業(yè)高壓高頻場景升級(jí)。
2025-12-01 11:19:53214 
SLM346CK-DG不僅解決了傳統(tǒng)光耦驅(qū)動(dòng)器的核心痛點(diǎn)——如高延遲、低抗干擾和老化問題——還通過引腳兼容設(shè)計(jì)大幅降低了升級(jí)門檻。如果你正在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源或電源項(xiàng)目中尋求一種兼顧高性能、高可靠性和低成本
2025-12-01 08:25:19
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NCP51752 隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，它在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率開關(guān)方面表現(xiàn)出色，具備眾多令人矚目的特性。
2025-11-27 16:23:30340 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCV51752 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器以其出色的性能和豐富的特性，成為眾多
2025-11-27 15:55:50279 
的可靠性600V耐壓為380V工業(yè)母線系統(tǒng)提供充足余量，其負(fù)壓耐受能力可抑制寄生電感引起的電壓尖峰。2.集成化與成本優(yōu)化相比分立方案，單芯片集成高低邊驅(qū)動(dòng)可減少光耦或隔離電源數(shù)量，降低BOM復(fù)雜度和布板
2025-11-20 08:47:23
Vishay Semiconductors VOMDA1271汽車用MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供從隔離柵低壓一次側(cè)紅外發(fā)射器驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路所需的全部電流。該款汽車級(jí)光隔離MOSFET驅(qū)動(dòng)器無需電源即可
2025-11-14 11:08:31443 
Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長SO-6封裝的緊湊型、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。VOFD341A光耦合器具有3A高峰
2025-11-11 16:33:481436 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計(jì)、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341412 SLM27517AD-7G單通道高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT等功率開關(guān)，采用一種能夠從內(nèi)部極大的降低直通電流的設(shè)計(jì)，將高峰值的源電流和灌電流脈沖提供給電容負(fù)載，以實(shí)現(xiàn)軌到軌
2025-11-11 09:30:30
STMicroelectronics STGAP2SiCD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)在每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。STGAP2SiCD柵極驅(qū)動(dòng)器具有4A電流能力和軌到軌輸出，因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用，例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器逆變器。
2025-10-31 14:12:03419 
STMicroelectronics STGAP2HD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器在每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有4A電流能力和軌到軌輸出，因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用，例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器逆變器。
2025-10-31 14:03:56333 
STMicroelectronics STGAP2GSN隔離式3A單柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵極驅(qū)動(dòng)通道、低壓控制和接口電路。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有2A源電流、3A灌電流能力以及軌到軌輸出，因此適合用于中等
2025-10-25 09:48:34890 
該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級(jí)。33
2025-10-15 15:22:57494 
UCC23511-Q1 是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，具有 1.5A 源電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kV~有效值
2025-10-14 14:44:27493 
該UCC21330是一個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-10-11 16:20:142356 
的電源。 緊湊的高性能功率級(jí)依賴快速、可靠的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案。這類解決方案既有簡單的低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，也有適合高壓環(huán)境的全隔離版本。對于許多設(shè)計(jì)來說，浮地非隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供了一條有效的成功途徑。 柵極驅(qū)動(dòng)器用作中間器件，將通常來自微控制器或脈
2025-10-02 17:22:001715 
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器用于隔離高低壓電路，提升功率晶體管的開關(guān)效率，保障系統(tǒng)安全與抗干擾能力。
2025-09-28 14:52:23331 
UCC21351-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-09-25 14:14:21587 
在工業(yè)自動(dòng)化、電力電子等領(lǐng)域的設(shè)備制造與系統(tǒng)集成中，設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行直接關(guān)系到生產(chǎn)效率與運(yùn)營安全。柵極驅(qū)動(dòng)器作為功率器件的關(guān)鍵控制部件，其性能優(yōu)劣對整個(gè)系統(tǒng)的可靠性和效率起著決定性作用。光耦隔離式柵極
2025-09-19 16:21:09304 SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定（UVLO）功能，在共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI
2025-09-19 09:24:19
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于工作電壓高達(dá)2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá) ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774 
Texas Instruments UCC21756-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于工作電壓高達(dá)2121 V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性
2025-08-26 10:01:15687 
Texas Instruments LM2105半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成的自舉二極管無需使用外部分立式二極管，從而節(jié)省電路板空間并降低系統(tǒng)成本。
2025-08-21 09:35:57807 
Texas Instruments UCC21717-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高級(jí)集成保護(hù)、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性
2025-08-18 10:32:021585 
深度解析一款在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域極具競爭力的高性能隔離驅(qū)動(dòng)芯片：SiLM8263BAHB-DG 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器專為應(yīng)對高功率密度、高可靠性應(yīng)用的嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)。核心亮點(diǎn)與關(guān)鍵特性：
強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)
2025-08-16 09:18:54
、MOSFET等功率器件的理想升級(jí)方案。核心定位：無縫升級(jí)，性能飛躍
SiLM5343ATCR-DG專為需要替換或升級(jí)現(xiàn)有光耦隔離驅(qū)動(dòng)方案的設(shè)計(jì)而優(yōu)化。它保留了光耦驅(qū)動(dòng)器的標(biāo)準(zhǔn)SOP6W-T封裝和引腳定義
2025-08-15 08:56:44
一款專為高效、可靠驅(qū)動(dòng)中小功率 IGBT 和 MOSFET 設(shè)計(jì)的隔離方案——SLM345CK-DG。它完美兼容傳統(tǒng)光耦驅(qū)動(dòng)器TLP5771的，提供顯著的性能提升和可靠性飛躍，是光耦升級(jí)的理想選擇
2025-08-14 08:37:14
和6A峰值灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅(qū)動(dòng)器是光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。通過
2025-08-11 14:36:401136 
Texas Instrument LM2005半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-08-08 14:36:111001 
Texas Instruments UCC21551/UCC21551-Q1雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC和IGBT晶體管。該隔離式
2025-08-06 15:09:10941 
Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高度可配置的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有可調(diào)壓擺率，用于在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車（EV/HEV）應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高功率
2025-08-04 14:10:121812 
Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704 
Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它具有4A峰值拉電流和6A峰值灌電流
2025-08-03 16:29:23941 
UCC25800-Q1超低EMI變壓器驅(qū)動(dòng)器集成了開關(guān)功率級(jí)、控制和保護(hù)電路，以簡化隔離式偏置電源設(shè)計(jì)。它允許設(shè)計(jì)使用具有更高漏感但寄生初級(jí)到次級(jí)電容小得多的變壓器。這種低電容變壓器設(shè)計(jì)使通過
2025-07-31 13:36:22669 
面對工業(yè)與新能源領(lǐng)域?qū)Ω咝詢r(jià)比功率驅(qū)動(dòng)方案的迫切需求，川土微電子基于已獲市場驗(yàn)證的CA-IS3211系列產(chǎn)品，推出CA-IS3211C全新一代光耦兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。CA-IS3211C
2025-07-30 17:52:461050 
Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器是雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計(jì)，以
2025-07-29 15:17:31539 
封裝中。其優(yōu)化的內(nèi)部設(shè)計(jì)有效抑制直通電流，提供軌到軌驅(qū)動(dòng)。無論是需要同相/反相驅(qū)動(dòng)的半橋應(yīng)用、高頻開關(guān)電源、電機(jī)控制，還是對空間和成本敏感的設(shè)計(jì)，這款驅(qū)動(dòng)器都能提供高性能、高可靠性且設(shè)計(jì)簡便的方案。
#SiLM27519AD-7G #SiLM27519 #門極驅(qū)動(dòng)器 #低邊驅(qū)動(dòng)器 #非隔離驅(qū)動(dòng)
2025-07-26 09:13:52
用光耦隔離驅(qū)動(dòng)的兄弟們，提供了一條無損升級(jí)的捷徑！保留光耦的管腳便利性，性能卻全方位吊打：電流更大（尤其關(guān)斷猛）、速度快得多、抗干擾強(qiáng)幾倍、還不用擔(dān)心老化。SMP8封裝安規(guī)到位，皮實(shí)耐操。#SLMi350DB-DG #SLMi350 #隔離驅(qū)動(dòng)器 #門極驅(qū)動(dòng)
2025-07-23 09:05:49
峰值灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和GaN晶體管。UCC21231可配置為兩個(gè)低壓側(cè)、兩個(gè)高壓側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器。輸入端通過1.6kV~RMS~ 隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離。這種隔離的最低要求是125V/ns共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）。
2025-07-21 16:38:53605 
工程師提供了一個(gè)比傳統(tǒng)光耦驅(qū)動(dòng)器性能更強(qiáng)、可靠性更高且直接兼容的解決方案。無論是新建項(xiàng)目設(shè)計(jì)，還是對現(xiàn)有光耦驅(qū)動(dòng)方案的性能升級(jí)，SLM34x都是驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET的強(qiáng)力候選。#SLM345 #SLM345CK-DG #隔離驅(qū)動(dòng)器 #門極驅(qū)動(dòng)
2025-07-21 08:56:31
Texas Instruments TPSI3100/TPSI3100-Q1隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器是集成式隔離式器件，與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時(shí)形成完全隔離的固態(tài)繼電器解決方案。柵極驅(qū)動(dòng)電壓為15.8V
2025-07-11 14:46:43669 
今天深入解析SLMi350DB-DG——一款兼具強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)能力與無縫升級(jí)優(yōu)勢的單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。它專為高效、可靠地驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT（無論是低邊還是高邊應(yīng)用）而設(shè)計(jì)，在保持與傳統(tǒng)光耦隔離
2025-07-11 09:51:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
NCP51752是一款隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品，具備+4.5A源極電流和-9A吸收峰值電流，專為快速切換設(shè)計(jì)，能夠驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiCMOSFET功率開關(guān)。該系列產(chǎn)品提供短而匹配的傳播
2025-07-09 09:01:001876 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
設(shè)計(jì)壓力。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)：簡化系統(tǒng)，降低成本
核心優(yōu)勢： 浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)直接支持高達(dá)600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)。
解決痛點(diǎn)： 無需外部分立隔離電源（如光耦或隔離DC-DC）或復(fù)雜的電平
2025-07-03 08:45:22
一、產(chǎn)品概述：高可靠性隔離驅(qū)動(dòng)的集成化突破
SLMi8233BDCG是 雙通道死區(qū)可編程隔離驅(qū)動(dòng)器 ，專為高功率、高噪聲環(huán)境設(shè)計(jì)。其核心采用雙電容隔離技術(shù)與 OOK傳輸技術(shù) ，實(shí)現(xiàn)5kVRMS隔離
2025-06-28 08:45:31
本文通過說明如何評(píng)估交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器終端設(shè)備中三種常見的電壓測量過程，為選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">隔離式放大器提供指導(dǎo)。
2025-06-23 14:19:112073 
一、產(chǎn)品概述
MAX13253ATB+T是一款 1A推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器 ，專為簡化低EMI隔離電源設(shè)計(jì)而優(yōu)化。其核心價(jià)值在于通過單芯片集成振蕩器、功率開關(guān)及EMI抑制功能，替代傳統(tǒng)分立方案。器件采用
2025-06-18 11:56:19
隔離型門極驅(qū)動(dòng)器，以卓越的電氣性能、多元的功能配置及廣泛的行業(yè)適用性，成為驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率器件的理想選擇。本文將深入解析其技術(shù)特性與應(yīng)用價(jià)值。 一、產(chǎn)品概述：高集成度與高可靠性的完美融合 BTD5350x 系列是專為高壓隔離場景設(shè)計(jì)的
2025-06-10 09:00:57628 
MAX250和MAX251芯片組構(gòu)成了完整的電氣隔離RS-232雙路發(fā)射器/接收器的核心。許多功能都可以集成在兩個(gè)芯片上，使得隔離式數(shù)字接口的成本和復(fù)雜性大大降低。只需四個(gè)低成本光耦合器、四個(gè)電容
2025-06-06 16:44:491508 
ADuM1234 是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司**iCoupler ^?^ 技術(shù)，提供獨(dú)立且隔離的高端和低端輸出。這款隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器解決方案的出色性能特征。
2025-06-06 14:02:311008 
ADuM5230是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術(shù)提供獨(dú)立的隔離高端和低端輸出。此款隔離器件結(jié)合了CMOS和微變壓器技術(shù)，并集成DC/DC轉(zhuǎn)換器來提供隔離
2025-06-05 16:37:581143 
ADuM6132是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司iCoupler ^?^ 技術(shù)，提供集成275 mW高端電源的隔離式高端驅(qū)動(dòng)器。該電源由內(nèi)部隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器提供，不僅
2025-06-05 16:17:261076 
AduM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司**i**Coupler?技術(shù)，提供獨(dú)立且隔離的高端和低端輸出。這款隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器
2025-06-05 11:44:31802 
[ADuM3220]/ADuM3221是采用ADI公司**i**Coupler ^?^ 技術(shù)的4 A隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于脈沖變壓器和柵極驅(qū)動(dòng)器組合等替代器件的出色性能特征。
2025-06-05 11:10:59973 
ADuM3123是一款4.0 A隔離式單通道驅(qū)動(dòng)器，采用ADI的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)提供精密解決方案。 ADuM3123提供3000 V rms隔離，采用窄體8引腳SOIC封裝
2025-06-04 09:43:35941 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng) 非隔離5V低成本方案YD925板子最小，原裝現(xiàn)貨
YD925典型應(yīng)用：替代阻容降壓的小家電輔助電源。
YD925線性穩(wěn)壓方案特點(diǎn)：
1、外圍簡單，尺寸小，可以全貼片加工
2025-06-03 16:53:18
ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸入信號(hào)和輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離。
2025-05-30 14:14:441382 
UCC21530 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。
輸入側(cè)
2025-05-24 15:47:00684 
UCC21530-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET
2025-05-24 15:41:00581 
適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV~RMS~隔離等級(jí)。33V 的高
2025-05-24 14:43:00793 
UCC21520 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。
輸入側(cè)通過
2025-05-19 15:34:431495 
UCC21521 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET，具有一流的傳播延遲和脈
2025-05-19 14:27:00788 
UCC20520 是一款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET，具有一流的傳播
2025-05-19 14:21:04568 
UCC21520-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。
輸入
2025-05-19 10:25:291329 
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準(zhǔn)，這有利于雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。
2025-05-17 11:36:49897 
UCC23513-Q1 驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21718 
UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 11:38:18691 
UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628 
UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:51:30554 
UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:30:59664 
UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:17:06914 
UCC23525驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 5kVRMS 增強(qiáng)型隔離
2025-05-15 16:43:47892 
UCC21231 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，以
2025-05-15 14:38:21643 
UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器
2025-05-15 11:32:02821 
UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865 
的電壓信號(hào)出現(xiàn)明顯振蕩或過沖。同時(shí)，探頭的寄生電容可能引入位移電流，使被測電流信號(hào)疊加額外的寄生電流，影響測量準(zhǔn)確性。
采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動(dòng)態(tài)測試平臺(tái)
測試效果
2025-04-08 16:00:57
概述:PC2899X 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品，提供符合UL1577 標(biāo)準(zhǔn)的隔離電3.75kVrms 和5.0kVrms 兩種類型。 PC2899 A 可單獨(dú)控制輸出信號(hào)的上升和下降時(shí)間，方便
2025-04-03 14:23:02
的控制器驅(qū)動(dòng)器提供雙通道 2A 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 用于 4 個(gè)外部橋式 MOSFET 以及用于次級(jí)側(cè)同步的控制信號(hào) 整流器 MOSFET。外部電阻器對 主和同步整流器控制信號(hào)。同步整流器的智能啟動(dòng) 即使在 prebias 負(fù)載條件下，也允許電源轉(zhuǎn)換器的單調(diào)導(dǎo)通。
2025-03-28 09:56:041299 
AD8137是一款低成本差分驅(qū)動(dòng)器，提供軌到軌輸出，非常適合在要求低功耗和低成本的系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。 它應(yīng)用簡便，內(nèi)部共模反饋架構(gòu)允許通過在一個(gè)引腳上施加電壓來控制輸出共模電壓。 內(nèi)部
2025-03-18 15:34:551271 
和降低成本方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。通過集成先進(jìn)的傳感器技術(shù)和智能控制系統(tǒng)，自動(dòng)密封測試儀可以快速準(zhǔn)確地檢測產(chǎn)品的氣密性。與傳統(tǒng)的手動(dòng)測試方法相比，密封測試儀可以大大縮短
2025-03-07 11:52:32743 
在租用站群服務(wù)器時(shí)，降低成本是許多站群管理者關(guān)注的重要問題。主機(jī)推薦小編為您整理發(fā)布租用站群服務(wù)器時(shí)如何降低成本，以下是一些實(shí)用的策略和建議，有助于在保持性能的同時(shí)降低租用成本。
2025-01-22 10:45:31616 川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布，該系列產(chǎn)品為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2025-01-10 18:08:421602 
相比，分布式光伏發(fā)電具有更靈活的布局、更低的建設(shè)成本和更高的能效，能夠有效滿足用戶的用電需求，同時(shí)減輕對環(huán)境的影響。電站通常由光伏組件、逆變器、支架系統(tǒng)、電纜和監(jiān)控系統(tǒng)等幾個(gè)主要部分組成，光伏組件是將太陽光轉(zhuǎn)化為電能的核心部分；
2025-01-10 14:24:371299 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN53-微功耗高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:02:31
0 的相關(guān)內(nèi)容，包括 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用、具體設(shè)計(jì)方案、變壓器設(shè)計(jì)、整流二極管選擇等方面，旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供低成本
2025-01-08 14:17:212485 
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