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電子發燒友網>處理器/DSP>基于DSP和X5165芯片的非易失性數據存儲設計

基于DSP和X5165芯片的非易失性數據存儲設計

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2022-11-29 15:56:464852

STT-MRAM存儲器特點及應用

STT-MRAM隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久、單字節訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣揮發性,保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:582188

簡單的門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲門控信號(模塊或發送)。
2023-01-12 11:30:521732

Netsol存儲Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有特性和幾乎無限的耐用。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說,這是最理想的內存。適用于工業設備中的代碼存儲數據記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和特性。
2023-02-23 14:52:55585

Netsol MRAM存儲芯片數據記錄應用的優選

因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫入速度與高耐久。英尚微提供的存儲芯片NETSOL MRAM的主要優勢包括:與SRAM不同,無需電壓控制器、電池及電池插座;與nvSRAM不同,無需電容器;寫入速度快;近乎無限的耐用(100兆次的寫入次數);斷電即時數據備份。
2023-03-22 14:41:071090

Netsol并口STT-MRAM存儲S3R8016

數據始終是非的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的和幾乎無限的續航特性,它適用于工業設計中的代碼存儲數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39883

閾值轉變憶阻器:AIoT時代的新興推動者

選通管(Selector)。為了抑制交叉存儲陣列的漏電流問題,往往引入選通管與存儲單元集成設計。相比于性器件,憶阻器作為選通管時,不需要額外的復位操作,簡化了外圍電路的設計,有助于存儲芯片的高密度集成;
2023-06-02 14:43:374554

使用XOD訪問ESP32存儲

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2023-06-15 14:35:410

回顧存儲器發展史

存儲器的發展歷程 繼續關于存儲器的發展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發展史,本期內容我們將回顧存儲器的發展歷程。存儲器在計算機開機時存儲數據,但在關閉時將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:282450

基于C8051F340的大容量數據存儲方案

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2023-10-18 11:02:571

中芯國際獲存儲裝置及其制作方法專利

該專利涉及一種新型存儲裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區與器件區的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋器件區并露出器件區;
2024-05-06 10:33:02886

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