電子工程師必備：探秘FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM 在電子工程師的日常設計工作中，選擇一款合適的非易失性存儲器至關重要。今天我們就來詳細了解一款性能卓越的產品——FM25L16B
2026-01-05 16:25:25
29 英尚代理的恒爍半導體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:0136 藝的 1 - Mbit 非易失性存儲器，邏輯上組織為 128K × 8。它結合了鐵電隨機存取存儲器（F - RAM）的優勢，既具備非易失性，又能像 RAM 一樣快
2026-01-04 17:25:09367 ——FM24V05，它是一款512 - Kbit（64 K × 8）的串行（I2C）F - RAM（鐵電隨機存取存儲器），具備諸多優秀特性，非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用場景。 文件下載
2025-12-31 16:40:23730 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載： FM25L04B-GTR.pdf 產品概述 FM25L04B是一款由Cypress（現屬英飛凌）開發的4-Kbit非易失性鐵電隨機存取存儲器
2025-12-31 16:05:1888 FM24V02A：高性能串行F - RAM的卓越之選 在電子設計領域，非易失性存儲器的選擇至關重要，它直接影響著系統的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們就來深入探討一款高性能的串行F - RAM
2025-12-28 15:25:09404 探索FM25L16B：高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力 在電子設計領域，尋找一款高性能、可靠且耐用的非易失性存儲器是許多工程師的追求。今天，我將帶大家深入了解一款令人矚目的產品
2025-12-23 15:55:09139 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283975 
片上 FLASH 閃存由兩部分物理區域組成：主 FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
1、主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區
2025-12-23 08:28:04
全球存儲器缺貨、價格飆漲的風口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產能余量的工廠快速落地存儲器產能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認。
2025-12-22 11:43:221297 
在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數據，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器（F - RAM）具有非易失性，讀寫操作類似于RAM，能提供長達151年的數據保留時
2025-12-10 17:15:021628 
在電子設備設計中，數據存儲是一個關鍵環節，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性和可重復編程的特性，成為了眾多應用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42446 
所需的高壓 BOOST 電路，無須額外提供編程電壓。
FLASH存儲器組織總容量64KB，分頁管理
每頁 512 字節
共 128 頁
FLASH存儲器保護FLASH 存儲器具有擦寫保護和讀保護功能
2025-12-05 08:22:19
在各類存儲設備中，SRAM（靜態隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統中。其中，雙口SRAM靜態隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計，在高帶寬和多任務場景中表現尤為出色，成為提升系統效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 在存儲技術快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產業視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術實現了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存儲應用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業控制、數據中心和汽車電子等領域表現優異。
2025-11-19 11:51:41146 Ω。
TPL0102配備非易失性存儲器（EEPROM），可用于存儲擦刷 位置。這很有好處，因為雨刷位置即使在斷電時也會被存儲，且 開機后會自動恢復。可以訪問TPL0102的內部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數據能不能留在器件里”來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
EEPROM是一項成熟的非易失性存儲（NVM）技術，其特性對當今尖端應用的發展具有非常重要的意義。意法半導體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產品和工藝創新名企之一，其連接安全產品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 片上FLASH 閃存由兩部分物理區域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區
2025-11-12 07:34:35
NFC Forum Type 5標簽，支持所有ISO/IEC 15693調制、編碼、副載波模式和數據速率。該器件具有一個64Kbit雙接口EEPROM，可通過I^2^C接口或射頻鏈路接口訪問。ST25DV64K支持I^2^C和射頻接口之間的快速數據傳輸，自定義快速讀訪問速度高達53Kbit/s。
2025-10-30 15:26:56486 
在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數據，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現了高速、可靠與長壽命的統一，是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規模部署和對更先進技術的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰性。
2025-10-21 10:38:111440 
鐵電陶瓷作為一種重要的功能材料，以其獨特的自發極化特性在存儲器、傳感器、換能器等尖端設備中占據核心地位。這類材料的電疇方向可通過外部電場進行調控，從而改變其電學、力學和光學性能。然而，鐵電材料極化
2025-10-20 14:49:24215 
STMicroelectronics M24C64-U 64-Kbit串行^I2C^總線EEPROM專為高效可靠的數據存儲而設計。該STMicroelectronics EEPROM采用8K×8位
2025-10-15 17:27:32657 
，用于實現可配置設備地址 (CDA) 和存儲器寫保護功能。憑借這兩項特性，M24C64X-DRE能夠提供可配置設備地址（經軟件授權），以配置多達八個芯片使能地址，并通過設置（經軟件）軟件寫保護位來提供整個存儲器陣列的寫保護。
2025-10-15 09:37:46522 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業級FRAM，150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節點提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00307 
，作為數據存儲的關鍵載體，其重要性不言而喻。不同類型的存儲器，憑借各自獨特的性能、特點與成本優勢，在多樣化的應用場景中扮演著不可或缺的角色。
2025-09-09 17:31:55867 
Cypress 64Kbit FRAM以納秒寫入、萬億次擦寫、微瓦功耗，破解手持檢測器數據丟幀、壽命及續航痛點，覆蓋-40℃~85℃，50G抗震，直接替代EEPROM，30天續航，零掉電丟數。
2025-08-28 09:45:00434 
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術，廣泛應用于現代電子設備中。以下是其核心功能、特點和應用場景的詳細分析： 1. 核心功能 數據存儲：以電信號形式長期保存數據，斷電后數據不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 隨著全球二氧化碳減排的推進，可再生能源，尤其是太陽能發電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調節器可將太陽能板產生的電壓轉換成正確的電流及電壓波形并入電網。由于需要連接到電網基礎設施，因此對可靠性、易維護性和使用壽命有所要求，FeRAM(鐵電體存儲器)的優異特性得以發揮。
2025-08-08 14:41:061506 
? ? I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）-P24C512H ? 產品介紹 ? ?產品概述： ? P24C512H是I2C兼容的串行E2PROM（電可擦除可編程存儲器）設備。它包含
2025-08-07 10:06:531002 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM（動態隨機存取存儲器）。其核心設計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 。 ? 半導體存儲器按照斷電后數據是否繼續保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標是結合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲級內存），部分已在特定領域應用（如MRAM做緩存），是未來重要方向。
CXL：一種新的高速互連協議，旨在更高效地連接
2025-06-24 09:09:39
鐵電材料以其獨特的自發極化特性及電滯回線行為，在存儲器、傳感器、換能器及微波器件中扮演著核心角色。準確表征其極化性能是材料研究和器件設計的基石。在這一精密測量過程中，高壓放大器絕非簡單的附屬設備
2025-06-11 15:31:30433 
14FLASHFLASH的工作原理與應用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導體存儲器，它結合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機訪問存儲器）的優點，具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節NV用戶存貯器。與用來控制數字邏輯節點的硬件跳線和機械開關相比，DS4520為用戶提供了數字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監控電路，具有內部集成的64字節EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41749 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節NV用戶存儲器。DS4550采用數字編程替代硬件跳線和機械開關，實現對數
2025-05-26 09:50:50683 
(SHA-256)的加密、雙向、質詢-響應安全認證功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用戶可編程EEPROM陣列為應用數據提供非易失存儲，附加的保護存儲器用于存儲SHA-256操作的一組讀保護密鑰以及用戶存儲器
2025-05-14 11:28:35867 
PMC-350-FM安全用電監控探測器PMC-350-FM安全?電監控探測器采?的灌封硅膠的?藝開發，集電量監測、測控以及電??災監控的功能于一體，具備可靠 性強，防護等級?的特點，是CET中電技術
2025-05-12 10:12:39
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內置溫度傳感器和相應的模/數轉換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結構通過整合不同性能與功能的存儲單元，優化系統效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內核中，直接參與運算
2025-05-09 10:21:09618 在半導體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據測試序列長度與存儲單元數N的關系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
多軸控制器可使用國產鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲鐵電存儲器SF25C128電壓檢測儀應用方案
2025-04-14 09:46:36719 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應用于各種設備中，從智能手機、個人電腦到服務器和工業控制系統，都是不可或缺的關鍵組件，它們不僅提高了數據的安全性和可靠性，還極大地增強了系統的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設備
2025-04-09 15:22:11735 
便攜式醫療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
替換FM25V20A醫療物聯網設備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717 
，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機訪問存儲器。? 易失性
p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器；
p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機
2025-03-26 11:12:24
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產鐵電存儲器SF25C20助聽器應用方案
2025-03-20 09:55:16676 
特性64 千比特鐵電隨機存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數據保存期限（詳見 “數據保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
鐵電存儲器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計算中應用
2025-03-13 09:46:30774 
NAND閃存是一種非易失性存儲技術，廣泛用于固態硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。
2025-03-12 10:21:145319 
比特的用戶閃存模塊（UFM）用于非易失性存儲多電壓核心使能，可將外部電源電壓設為 3.3V、2.5V 或 1.8V多電壓 I/O 接口，支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03
性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
鐵電存儲器SF24C64對標FM24C64性能、應用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節，分為256頁，每頁32字節。 具有低功耗CMOS技術，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計算機、家用電器、汽車電子、通信設備和工業控制
2025-02-28 15:48:09
3 AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節，分為256頁，每頁32字節。 具有低功耗CMOS技術，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計算機、家用電器、汽車電子、通信設備和工業控制
2025-02-28 15:45:430 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內置實時時鐘、完全靜態的非易失性RAM（結構為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續監控VCC是否發生超出容
2025-02-28 10:31:43995 
帶鋰電池監控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43986 
帶電池監控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現
2025-02-28 09:53:17807 
帶電池監控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現
2025-02-28 09:48:45745 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和512k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1557內所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和32k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1554內所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54820 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
命令將數據傳送到存儲器。該過程確保了修改存儲器時的數據完整性。每個DS1996都有一個48位的工廠激光序列號，以提供一個有保證的唯一標識，從而實現絕對的可追溯性。耐用的MicroCan封裝具有很強的抗
2025-02-26 10:17:41871 
鐵電存儲器SF24C64對標MB85RC64性能、應用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 旋轉編碼器選用國產鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03906 M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲容量。該器件專為需要非易失性存儲的應用設計，能夠在斷電后保持數據
2025-02-18 21:57:03
未來發展趨勢。 DRAM 介紹 動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為 DRAM）是一種易失性存儲設備。這意味著，一旦停止供電，它所存儲的數據就會丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷，以此記錄數據。然而，電容器中的電荷會
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應用場景。目前可提供數量為
2025-02-14 07:46:05
特點FM24C16D提供16384位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為2048個8字每個位，具有128位UID和16字節安全性部門。該設備經過優化，可用于多種場合工業和商業應用低
2025-02-13 14:49:06
? ? 非易失性存儲器是一種應用于計算機及智能手機等設備中的存儲裝置（存儲器），在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數據信息。 現今的計算機中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數據通常保存在易失性存儲器中（
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 特點FM24C256E提供262144位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），由32768個8字組成每個位，具有128位UID和64字節安全性部門，大大提高了可靠性內部ECC邏輯。該設備
2025-02-11 14:34:13
半導體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲器，具有 16 Kbit 的存儲容量，專為需要非易失性存儲的應用設計。這款器件采
2025-02-10 07:41:41
初學者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優勢顯著
2025-02-07 09:29:33907 
忽略的剩余極化和在場致鐵電態中的高最大極化，在高性能儲能方面具有重要的意義。然而，低反鐵電-鐵電相變場和伴隨的大磁滯損耗會降低能量密度和可靠性。
2025-02-06 10:52:381131 
在數字存儲技術的快速發展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應用領域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術特性、分類及其在現代電子設備中的應用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數據時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術飛速發展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數據存儲領域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲器（Cache）是內存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數據或指令，以加快數據的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 效的存儲技術，以滿足大數據、AI推理與訓練的實時性和能效需求，是后摩爾時代存儲技術的核心課題。在這種背景下，以氧化鉿基鐵電材料為代表的新型存儲技術正逐步成為學術界和產業界的研究焦點。
2025-01-23 17:30:312078 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術自主研發的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
特點16-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數據保留期（請參閱數據保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數分析及應用
2025-01-16 10:17:061232 
有人用過數字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質，但是datasheet中關于這點只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應用優勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15902 
滯回線和鐵電參數是人們愈來愈關心的問題之一。鐵電材料的最顯著特征之一是能夠通過施加電場來改變其自發極化狀態。為了進行鐵電材料的極化實驗，需要使用高壓放大器提供足夠強度的電場。高壓放大器可以將低電壓信號放大為
2025-01-09 12:00:22762 
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