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　　為滿足客戶對非易失數據存儲的要求，設計師通常會使用一個串行EEPROM。這些EEPROM器件體積很小、價格便宜、而且在市場上已經被長期使用，設計工程師使用這些器件非常便利。但是在當今對成本非常敏感的市場領域，增加一個并不昂貴的EEPROM可能會使設計超出預算。

　　很多處理器使用閃存存儲程序代碼，使用靜態RAM存儲數據信息。盡管充分利用閃存未使用的部分作為非易失數據存儲很有吸引力，但是傳統的哈佛架構制約了這種應用。MAXQ架構屬于哈佛架構，具有獨立的代碼和數據總線。但MAXQ器件包含的硬件部分可以實現偽馮諾依曼架構，如同訪問數據空間一樣訪問代碼空間。這種額外的多功能性，結合MAXQ的效用函數，可實現存儲器的擦寫服務，為完整的可讀寫非易失存儲子系統提供了解決方案。

　　關于閃存的基本考慮

　　閃存是一種電子可擦除存儲。通常也被認為是“主讀”。簡言之，盡管閃存是可寫的，但數據更新并不會很頻繁，多數的操作都是讀操作。多數閃存器件從字面意思來講都是可寫的，但每次只能整塊擦除。這使得那些存儲器件通常都不適合用于易變存儲，只適合用作從不改變內容的固定數據存儲。

　　有兩種類型的閃存：NAND閃存和NOR閃存。NAND閃存用在存儲卡和U盤中。通常，由于數據按時鐘串行傳輸，從NAND器件中讀數據需要數個周期。這種有序的操作使NAND閃存不適合用作程序代碼存儲，因為讀取時間會太長。相反，NOR閃存類似傳統字節寬度或字寬度存儲。讀取NOR閃存就像讀取ROM器件：先發器件選擇和地址命令，在等待足夠的存取時間之后，從總線上讀取數據。NOR閃存用于MAXQ處理器中。

　　MAXQ處理器的閃存

　　MAXQ處理器中使用的閃存單元被擦除時會變成“1”狀態。因此，在擦除后，存儲單元中的每個位置都將包含0xFFFF。對某一存儲位置進行編程會把某些位從“1”變成“0”狀態。為了使被編程過的位重新變回“1”狀態，整個單元必須被擦除。

　　任何電擦除的存儲器件必須面臨的問題是持久性。根據特定的技術，一個閃存單元在完全失效之前，可以忍耐的擦除次數少達1,000次，多達1,000,000次。因此，使用閃存做數據存儲的任何應用都必須保證寫操作循環在整個陣列中均勻分布，不允許某一個位置的擦除編程次數比其他位置多很多。

　　多數閃存器件都允許把之前已經編程過的位置中的沒有編程過的位從“1”變成“0”狀態。例如，對于多數器件，允許對某個位置編程，把數據從0xFFFE變為0x7FFE，在這個編程過程中，沒有任一個位從“0”變成“1”。然而，MAXQ系列器件中使用的閃存，不允許對已經編程過的位置再編程，即使沒有發生從“0”到“1”的變化。這樣的寫操作會失敗，保持數據在0xFFFE狀態。

　　MAXQ器件編程受限制的理由如下。正在被編程的存儲單元起初是作為代碼空間的，所以必須很謹慎，禁止對已寫過的位置的任何寫操作。0xFFFF指令指一條無效的源代碼，它不太可能出現在有效的代碼單元內。因此，阻止對已編程過的位置的寫操作能夠幫助保持代碼單元的完整性。