NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態硬盤,手機存儲等等,電腦傳統硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
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并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復制的。
2022-11-14 15:34:19
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東北大學近日宣布,單晶鈷(Co)/鉑(Pt)結構是一種簡單的鐵磁/非磁雙層結構,可以在不使用外部磁場的情況下通過電流注入來磁化。表明Co/Pt結構可以用光記錄信息,也可以有效地用電記錄信息,并且,他們已經開發了一種非易失性磁場,可以存儲來自光纖和電線的數據。宣布已成功開發一種記憶材料。
2023-07-11 09:59:55
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的非易失性存儲器,既可以進行非易失性數據存儲,又可以像RAM一樣操作。本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB
2023-09-22 08:01:59
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新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業規格的認證,支持苛刻環境下的非易失性代碼存儲和數據記錄應用,包括航天和工業應用。
2021-04-01 11:10:54
3054 0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述:FM1808是RAMTRON公司生產的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的,但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
)頻繁的記錄數據而使寫密集時。除了EEPROM中有功電流不足,EEPROM 還產生額外頁編寫延遲,這樣導致器件在較長時間內保持活躍模式。它會使功耗增加。 使用以下的公式1和公式2計算出寫入FRAM
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲器提供即時寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯誤率,以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣,因為其使用解決了這些缺點。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數據保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM,相較于其他非易失性存儲器技術,可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
單芯片FRAM存儲解決方案成為嵌入式設計的理想選擇
2021-03-04 07:37:38
存取速度分類):1、隨機存取存儲器:SRAM、DRAM、FRAM;2、非隨機存取存儲器:掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類):1、易
2012-01-06 22:58:43
隨機存取存儲器)和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器),三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個每秒累加的方法。問題:非易失性內存有寫入限制,所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
這個芯片編程設置好以后,掉電會遺失設置嗎?里面有沒有非易失存儲器?
2024-11-12 07:16:06
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術。他們利用Fowler-Nordheim隧穿(FN隧穿)的優勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數據。FN隧道技術的主要優勢在于,它可以大大提高NV耐久性,并大大
2020-04-08 14:58:44
一樣周期性刷新。由于鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,與電磁作用無關,所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件(諸如磁場因素)的影響,能夠同普通ROM存儲器一樣使用,具有非易失性的存儲特性
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級,您可以放心,因為在室溫下,它的數據保留時間為 150 年,無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
。”高云半導體全球市場副總裁兼中國區銷售總監黃俊先生表示,“GW1N系列器件可滿足消費類電子、視頻、安防、工業物聯網、有線/無線通信等不同市場的智能連接、接口擴展等需求。通過GW1N系列產品,高云半導體可以向用戶提供高安全性、單芯片、低成本、小薄封裝等優勢的最優化非易失性FPGA解決方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中,我們需要將安全數據(例如密鑰)存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
數字電位器存儲類型標注具有“易失性”,他的意思是不是說,假設當前已經調節好電位器處于3.5kΩ這個位置,那么斷電再上電后,電位器就回到初始狀態位置,不再是3.5kΩ這個位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
,比較是否一致,一致則計數”。然后重復測N次得到非易失性的有效讀寫次數。但是又不能直接拿STM32的引腳來驅動FRAM芯片的VCC,又不能老是手動斷電上電這么來測,這下有點找不準方向了。想知道論壇里面各位大神有沒有什么好的測試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
我應該用什么API來存儲非易失性數據?我使用CYW43907,手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據,或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法,解釋如何處理存儲在非易失性設備(如小型 EEPROM 或閃存)中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的,這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
隨機存取存儲器(FRAM)是一種非易失性的獨立型存儲技術,本文將論述FRAM的主要技術屬性,同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
數據嗎? 不會。FRAM 是一款非易失性存儲器,即使在斷電后也可保持其中的數據。 與可在個人計算機、工作站和非手持游戲控制臺(例如 PlayStation 和 Xbox)的大型(主)存儲器中使用的常用
2018-08-20 09:11:18
”。 鐵電存儲器就是利用了這種非易失性。 雖然EEPROM或閃存也會根據元件內的存儲區域是否有電荷來記憶數據,但FRAM是根據極化的方向來記憶數據的,所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長FRAM
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
FM25C160 是美國Ramtron 公司生產的非易失性鐵電介質讀寫存儲器。它具有高速讀寫,超低功耗和無限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點﹑管腳定義﹑內部結構和工作
2009-11-12 14:11:03
35 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:50
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摘要:本文討論如何使用安全數字(SD)媒體格式擴展MAXQ2000的非易失數據存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數據,
2009-04-23 16:25:25
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充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲服務
摘要:需要非易失數據存儲的應用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:54
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非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46
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非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22
883 AGIGARAM非易失性產品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度,從而為系統架構師和設計者提供了充分的靈活性,可以專為某些特定應用需求量身定制非易失性存儲器。AgigA
2010-08-20 09:27:26
1002 賽普拉斯半導體子公司AgigA技術公司日前宣布,推出業界最高存儲密度的DDR3解決方案,成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度,從而為系統架構師和設計者提供了充
2011-01-26 16:45:37
876 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM),該存儲器具有I2C和SPI接口,可用于儀表、工業和汽車應用
2011-04-06 19:06:01
1886 MAXQ器件包含的硬件部分可以實現偽馮諾依曼架構,如同訪問數據空間一樣訪問代碼空間。這種額外的多功能性,結合MAXQ的效用函數,可實現存儲器的擦寫服務,為完整的可讀寫非易失存
2011-05-31 11:51:50
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本內容提供了內置易失性存儲器的數字電位計的各種型號參數知識,來方便大家選型
2011-12-12 15:24:48
29 賽普拉斯半導體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列,其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口,全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25
858 鐵電隨機存取存儲器(FRAM)是一種非易失性的獨立型存儲技術,本文將論述FRAM的主要技術屬性,同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:55
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使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:57
1 非易失性半導體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:54
14 隨著物聯網 (IoT) 的擴張,新連接的設備數有望到 2020 年達到數十億。連接這些設備的主要原因之一是要通過數據處理實現更智能的自動化系統。這些設備收集的數據越多,越有利于作出更明智的決策以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。
2017-04-26 17:19:17
1027 (phase-change memory, PCM)、磁阻式隨機存儲(magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻變式存儲(resistive random access memory, RRAM)等主要非易失性存儲技術已經有了較長的開發歷史。
2018-07-04 11:55:00
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影響,相關的存儲與事務處理技術是其中值得關注的重要環節.首先,概述了事務型數據庫系統隨存儲環境發展的歷史與趨勢;然后,對影響上層數據管理系統設計的非易失性存儲技術以及面向大數據應用領域與硬件環境優化的事務技術進行綜述
2018-01-02 19:04:40
0 包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。16-Mbit 系列
2018-09-30 00:22:02
933 半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器,易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化,依然是以靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)為主,非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:00
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FRAM的非易失性對于當時業界可以說是顛覆性的,存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態下依然可以保存所存儲信息的特性,這意味著電路中無須加入后備電池,仍可在偶發斷電時保存重要數據,因此一經推出即備受關注。而當談及FRAM,往往無法避開這一家半導體廠商,它就是——富士通半導體。
2019-02-21 11:32:39
5482 存儲器的核心是存儲芯片。以斷電后數據是否丟失為劃分依據,存儲芯片可分為“易失性芯片”和“非易失性芯片”兩大類。
2020-03-22 09:59:00
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在2019全球閃存峰會上,Everspin作為MRAM存儲芯片供應商分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存的介質有
2020-07-10 14:19:20
1190 鐵電存儲器(FRAM)是一種隨機存取存儲器,是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,它將DRAM的快速讀取和寫入訪問,它是個人電腦存儲中最常用的類型,與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣
2020-08-18 15:22:32
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宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。 非易失性存儲器是一個
2020-08-27 10:21:55
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FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數據保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:48
2340 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取資料時,不定要從頭開始,隨時都可用相同的速率,從內存的任何
2020-09-21 13:50:34
3890 新型的存儲器既具有RAM的優點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產品同時擁有隨機存取存儲器(RAM
2020-10-30 16:47:12
1278 電子發燒友網站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:00
26 存儲器概況 存儲器是計算機系統中的記憶設備,主要是用來存放程序和數據。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導體存儲器。 非易失性存儲器 非易失存儲器是指在系統停止供電的時候仍然
2020-12-07 14:26:13
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內存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數據完整性的應用程序,內存耐用性是關鍵的系統性能特征和設計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05
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應用程序來決定執行數據任務的存儲器是易失性的還是非易失性的。通常可執行代碼的存儲器采用基于ROM的技術,而數據任務的存儲器則采用基于RAM的技術。作為賽普拉斯中的一款非易失性RAM產品,FRAM提供了獨特的優點—它能夠將可執
2021-01-04 14:27:44
691 CYPRESS串行非易失性存儲器為關鍵任務數據捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲器FRAM系列提供高速非易失性數據記錄功能,即使在極端溫度下在惡劣的汽車和工業操作環境中也可防止數據
2021-01-07 15:16:02
862 器相比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數據,而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02
1621 
ADM1260:帶芯片間總線和非易失性故障記錄數據表的超級序列器
2021-04-16 17:27:20
0 電子發燒友網為你提供F-RAM非易失性存儲技術優勢與安全氣囊設計資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:47:55
5 富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM, 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器,FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,以及醫療
2021-04-26 15:49:16
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賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器,采用先進鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行閃存,EEPROM和其他非易失性存儲
2021-06-08 16:32:20
1314 MRAM是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRAM的設備可以為“黑匣子”應用提供解決方案,因為它以SRAM
2021-06-23 16:16:26
1347 低功耗設計的植入人體的增強生命的患者監護設備,小尺寸內存,賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性,而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。
2021-06-30 15:42:46
2413 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:28
1719 Everspin公司生產的MRAM用于數據持久性和應用的市場和應用。Everspin MRAM應用在數據中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠將存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結合,同時具有非易失性和節能性。
2021-08-17 16:26:19
2880 [ESP8266學習筆記]components_nvs 非易失性存儲 Non-Volatile Storage(NVS),保存數據到flash
2021-12-02 12:51:11
11 電子發燒友網站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:41
0 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質,利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點: 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:14
3282 
FRAM存儲器提供即時寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯誤率,以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣,因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41
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在過去幾十年內,易失性存儲器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質(可稱作系統內存)。
2022-11-29 15:56:46
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STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發性,保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:58
2187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現非易失性門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲門控信號(模塊或發送)。
2023-01-12 11:30:52
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英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說,這是最理想的內存。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55
585 因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優勢包括:與SRAM不同,無需電壓控制器、電池及電池插座;與nvSRAM不同,無需電容器;寫入速度快;近乎無限的耐用性(100兆次的寫入次數);斷電即時數據備份。
2023-03-22 14:41:07
1090 其數據始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性,它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39
882 電子發燒友網站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載
2023-06-15 14:35:41
0 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56
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易失性存儲器的發展歷程 繼續關于存儲器的發展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發展史,本期內容我們將回顧易失性存儲器的發展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數據,但在關閉時將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28
2450 電子發燒友網站提供《基于C8051F340的非易失大容量數據存儲方案.pdf》資料免費下載
2023-10-18 11:02:57
1 FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46
4890 該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區與非器件區的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋非器件區并露出器件區;
2024-05-06 10:33:02
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