（1）產品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數，在實際的應用中要結合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個尖峰
2025-12-23 08:37:26
（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負載能力，超過這個值可能會因為超負荷導致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數選擇時，需要考慮連續工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強型器件的深度解析 在電子設計領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）作為關鍵的電子元件，在各類電路中發揮著至關重要的作用
2025-12-16 09:45:03
264 （1）Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負溫度系數，選擇參數時需要考慮。
（3）不同電子系統選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據系統的驅動
2025-12-16 06:02:32
MOSFET和50mΩ的低端功率MOSFET，能實現高效的降壓DC - DC轉換。采用恒定導通時間（COT）控制，減少了外部
2025-12-10 17:20:061123 
2025全球EMS代工廠50強(TOP 50)
2025-12-10 16:12:11395 
。
再進一步講，為什么電阻是100Ω呢？
我在網上看到一個仿真試驗，實驗在MOSFET電路中的柵極串聯電阻R3，分別對它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進行仿真實驗：
當R3為1歐姆時，輸出電壓Vds上
2025-12-02 06:00:31
Diodes 公司（Diodes）（納斯達克代碼：DIOD）推出AL3069Q，一款符合汽車標準的高效率 60V 升壓控制器，適用于背光應用。該器件包含四個80V高精度灌電流（Current
2025-12-01 16:15:311023 在緊湊的板對板連接中，您是否正被微小的對準偏差所困擾？這不僅影響生產效率，更可能成為產品可靠性的隱患。TE Connectivity（以下簡稱“TE”）新型0.8毫米自由高度浮動連接器，正是為化解這一挑戰而來。
2025-11-26 11:52:53579 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、優異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-24 14:45:26185 
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性，適用于各類開關應用場景。一、產品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54302 近日，福布斯中國正式發布“2025中國創新力企業50強”榜單。在人工智能浪潮下，瀾起科技憑借其在數據中心高速互連芯片領域的持續創新與市場領先地位，繼2023年首次入選后，于2025年再度成功入選該權威榜單。此次再度登榜，標志著公司的創新實力獲得了市場與權威機構的持續驗證與高度認可。
2025-11-20 09:19:33382 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、優異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-19 11:15:03277 仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、100%雪崩測試驗證及500V耐壓，適用于高效開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32239 平面工藝低？
回復：超結高壓功率MOSFET管的P柱幾乎貫穿整個芯片厚度，生產工藝復雜，內部晶胞單元密度大，多層外延結構P柱兩側電荷平衡不均勻，或者直接填充結構內部布局有空隙，影響中間耗盡層與橫向電場
2025-11-19 06:35:56
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、50A大電流承載能力及快速開關特性，適用于各類開關應用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36254 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59239 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07286 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12226 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33298 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關應用（如DC-DC轉換器
2025-10-31 17:36:09228 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50HF是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、半橋式電子鎮流器
2025-10-31 17:17:21192 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借60V耐壓、超低導通損耗及高速開關特性，廣泛適用于各類開關應用（如DC-DC轉換器、電機驅動
2025-10-28 17:44:21762 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借500V耐壓、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-10-28 16:01:06430 在電力電子領域，場效應管（MOSFET）作為核心開關器件，其性能直接決定了整機系統的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優異的電氣參數與穩定的工作特性
2025-10-27 14:36:45337 
合，外圍
電路簡單、器件個數少。同時產品內置高耐壓MOSFET 可提高系統浪涌耐受能力。
與傳統的PWM控制器不同，KP3251X內部無固定時鐘驅動 MOSFET，系統開關頻率隨負載變化可
實現自動
2025-10-22 15:20:45
Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）宣布推出PI7C9X762Q，這是一款符合汽車標準*的高性能 I2C/SPI 總線至雙通道 UART 網橋。該器件在工作狀態和睡眠模式下
2025-10-17 17:51:131015 波峰焊引腳的爬錫高度有標準么？另外引腳高度與焊盤的面積要如何搭配才比較合適？
2025-10-13 10:28:35
Melexis推出新型嵌入式電機驅動芯片MLX81339。該芯片配備PWM/串行接口，專為工業應用設計，支持高達40W的三相無刷直流電機（BLDC）和步進電機控制，適用于風扇、泵及定位系統等緊湊型設備。其內置可編程閃存支持應用的全功能定制。
2025-10-10 10:45:50679 電子發燒友網綜合報道 隨著單芯片性能的不斷提高，AI芯片的功率飆升至數千瓦級別，需要更加搞笑的散熱來保證芯片的穩定運行。最近市場有消息傳出，英偉達已要求供應鏈伙伴開發一種名為MLCP的新型液冷技術
2025-09-20 00:36:001761 在快充技術快速迭代的當下，高效能與高可靠性成為電源設計的核心挑戰。泉州海川半導體推出的SM5501 30V N溝道功率MOSFET，以5.8mΩ超低導通電阻、50A最大電流承載能力及6.2℃/W結殼熱阻的卓越性能，為快充行業提供了極具競爭力的高性能解決方案。
2025-09-18 16:41:231158 
Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）宣布推出符合車用規范*的全新矩陣式LED驅動器AL5958Q，具備48通道恒定電流源，支持最多32組掃描。該器件為車用動態照明帶來變革，提升全新汽車平臺的安全、個性與美學。
2025-09-11 17:17:31693 場效應晶體管)作為一種新型高性能材料，逐漸受到業界的關注。那么，SiCMOSFET與普通MOSFET有什么區別?在此，浮思特科技結合至信微SiCMOSFET分析，將
2025-09-04 14:46:09637 
Diodes公司（Nasdaq：DIOD）推出四款符合車用規范*的異步降壓轉換器，適用于48V 低電壓軌負載點（PoL）應用。
2025-09-01 17:26:591933 在電子設備的設計與制造中，直插鋁電解電容的尺寸選擇往往成為工程師們面臨的一個關鍵挑戰。從10mm到50mm的高度差異，看似簡單的數字背后，隱藏著電路性能、散熱效率、機械強度以及機箱空間適配等多重因素
2025-08-26 16:16:12565 
AiP2503是中微愛芯推出的一款高度集成的驅動芯片。該電路內置78L05三端穩壓器，可以提供穩定的5V電壓輸出，同時內部包含五個獨立的達林頓管驅動電路，單路達林頓管最大可輸出500mA電流，多路并聯可承受更大的電流。
2025-08-25 16:37:531041 
近日，《財富》雜志正式發布“中國科技50強”榜單，瀾 起科技憑借在內存接口和高速互連芯片領域的突破性創新與全球影響力成功入選，成為中國半導體行業中技術實力與國際化發展兼備的杰出代表企業之一。 據悉
2025-08-25 10:03:462361 
圣邦微電子推出 VCE2755，一款基于各向異性磁阻（AMR）技術的高度集成旋轉磁編碼器芯片。該器件可應用于各種典型的需要角度位置反饋和速度檢測的應用場景。
2025-08-21 11:51:501343 
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AP7372低噪聲低壓差 (LDO) 穩壓器，用于為數據轉換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環 (PLL) 等精密元器件供電。
2025-08-18 09:32:25892 REF50xx 是一系列低噪聲、低漂移、超高精度基準電壓源。這些基準電壓源能夠吸收和提供電流，并具有出色的線路和負載調節功能。
使用專有設計技術實現了出色的溫度漂移 （2.5ppm/°C
2025-08-10 11:28:441104 
充的期待。而合科泰 HKTG50N03 N 溝道 MOSFET，憑著超低阻、微型封裝的特性，替65W快充提供平衡方案。
2025-08-08 16:51:451782 隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護技術，本章節主要介紹三菱電機車規級SiC MOSFET產品，包括模塊及芯片。
2025-08-08 16:14:213189 
Diodes 公司的AP66x00Q/AP64x03Q 3A DC-DC 降壓轉換器，設計用于和符合汽車標準的理想二極管 MOSFET 控制器 AP74700Q 搭配使用，確保符合 EMC（電磁兼容性）規范。
2025-07-14 10:16:285009 
砹德曼半導體MOSFET代理
PC主板應用 重點推薦MOSFET 規格
◆DCDC用MOSFET
AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3/14.5mohm Typ.(VGS=10V
2025-07-04 11:37:54
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC
2025-06-19 16:57:201227 
MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN8044內置650V高壓啟動模塊，實現系統快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外
2025-06-19 10:38:58
一、產品概述：KP85302SGA是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。高速風簡專用電機驅動芯片KP85302采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路
2025-06-14 09:08:31
模數轉換芯片 - MS9280是一款單芯片、單電源、10bit、50MSPS模數轉換器；內部集成了采樣保持放大器和電源基準源。MS9280使用多級差分流水線架構保證了50MSPS數據轉換數率下全溫度范圍內無失碼。
2025-06-09 17:16:23600 
講解當無葉風扇送出柔風時，內部13萬轉無刷電機正被MOSFET精準驅動；掃地機鉆進7cm縫隙，7組電機協同完成毫米級貼邊清掃；電動牙刷以31,000次/分鐘振動清潔齒縫，筋膜槍在50μs內響應力度調節，而高空作業無人機正用高壓水刷洗摩天幕墻
2025-06-09 11:09:52764 
Diodes 公司擴大碳化硅 (SiC) 產品組合，推出五款高性能、低品質因數 (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。
2025-06-06 16:09:51867 
Ci24R02是一款高度集成的低功耗SOC芯片，具有低功耗、Low Pin Count、寬電壓工作范圍，集成了 13/14/15/16位精度的ADC、LVD、UART、SPI、I2C、TIMER
2025-06-01 18:41:12
大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世——國產功率半導體的200V高壓革命為國產替代進程注入了強勁動力！ 微碧半導體（VBsemi）正式發布 VBP2205N ——中國大陸 首款
2025-05-29 17:44:06806 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
在可靠性檢驗中，不僅展現出樣本間的高度一致性，更實現了零老化問題。 ?瑞能超級結 MOSFET 展現出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫表現 測試環境 測試平臺: 1200W?服務器電源 輸入
2025-05-22 13:59:30490 
旋智全新推出的SPD1121高度集成SoC微控制器，以“MCU+HVIC+Buck”三合一架構，重新定義1KW以內功率段電機控制方案，助力客戶實現“少器件、高性能、高可靠”的產品升級。
2025-05-19 15:28:211312 
AT2401C高度集成射頻前端芯片，支持2.4GHz頻段，集成功率放大器和低噪聲放大器等模塊，適用于智能家居、工業傳感和醫療設備，具備低功耗、高性能和抗干擾特性，助力快速開發與成本優化。"
2025-04-24 17:48:501278 Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標準* 的 3D 線性霍爾效應傳感器。AH4930Q 可檢測 X、Y、Z 軸的磁場，實現可靠且高精度的非接觸旋轉運動與接近檢測。產品應用包括信息娛樂系統上的按壓旋鈕、換擋撥片、門把手和門鎖，以及電動座椅調角器。
2025-04-23 17:01:41961 接下來接著看 12N50 數據手冊上面這個參數是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計算公式：RBJC = Tj?Tc P
2025-04-22 13:29:18
5 本文檔主要介紹開關電源設計與維修。內容包括開關電源的基本電路,開關電源集成控制器,新型開關電源電路設計,開關電源主控元器件,開關電源實例與維修,新型開關集成穩壓器應用等,內容豐富,實用性強,而且
2025-04-17 15:36:00
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 首次推出先進的銻化銦 (InSb) 霍爾器件傳感器系列，可檢測旋轉速度和測量電流，適用于筆記本電腦、手機、游戲手柄等消費產品應用
2025-04-14 15:19:07880 客戶的后臺程序只能設置16或者32的高度，即1632或者3232，但是現場安裝的是832的模組，安裝了三塊高度是24。
為了實現最理想的顯示效果，如果在2432點的模組上接收顯示32*32的內容？
顯示屏是單色的紅色滾動跑馬屏,使用的控制卡是深圳流明電子的控制卡
2025-04-14 11:05:51
想知道油箱在滿油，少油和缺油時電路的變化分析
2025-04-09 23:01:28
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態測試可用于獲取器件的開關速度、開關損耗等關鍵動態參數，從而幫助工程師優化芯片設計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關特性
2025-04-08 16:00:57
引言
隨著電力半導體器件的發展[1-2]，已經出現了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產品族）。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
中國上海–2025年3月13日–近日，全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子（Future Electronics）榮獲Diodes 公司頒發的“2024年度亞洲最佳分銷商獎（Asia Best
2025-03-18 09:29:46409 
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。
2025-03-12 15:53:221529 
前言高度測量顯微鏡顯微鏡配備了操作簡單，功能強大的測量軟件，客戶可根據需要設置測試偏好。軟 件附帶了各類手動取點與自動取點的測量功能，適功能高度集成的一體式設計使用范圍更廣，即使對復雜的形狀，也可以
2025-03-07 10:58:49
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及，全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，以其優越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291399 本帖最后由 jf_94815006 于 2025-4-25 10:11 編輯
午芯芯科技(遼寧省)有限公司是專注于MEMS芯片和集成電路的研發、設計、生產、銷售于一體的科技創新型企業。午芯芯
2025-02-19 12:19:20
Diodes公司近日推出其首款自我保護型且符合汽車規范的高側IntelliFET產品——DIODES ZXMS81045SPQ。這款小型化設備不僅能提供高功率電源，還集成了保護和診斷功能，專為驅動
2025-02-18 11:49:32
我們有些投影使用的是DLPC3433芯片, 如果芯片溫度在50C以下, 則正常顯示, 但是如果是芯片溫度超過50C后, 圖像會有明顯抖動!
如果更換新的DLPC3433, 則這個問題消失, 老的芯片重新植球后, 再次焊接后,問題依舊
請問這是為何? 有什么可以詳細檢查?
2025-02-17 07:14:42
在電子技術飛速發展的今天，各類電子設備對電源管理芯片的性能要求日益嚴苛。SL3160H 降壓恒壓芯片憑借其獨特的技術優勢，在眾多電源管理芯片中脫穎而出，成為電動工具、備用電源等領域的理想選擇
2025-02-13 17:00:58
年12月25日正式實現了4×27 km的少模光纜工程鏈路貫通。 這一項目的成功實施，標志著少模通信技術正式從實驗室理論研究階段邁向了實際的工程應用階段，具有里程碑式的意義。少模光纜作為一種新型的光纖傳輸介質，以其獨特的傳輸特
2025-02-12 09:59:22783 近日，深圳市晶揚電子有限公司成功獲得了一項關于新型開關芯片的專利，專利名稱為“一種能夠替代PMOS管的開關芯片”。該專利的授權公告號為CN118984150B，申請日期為2024年10月。這一創新無疑為電子行業帶來了新的可能，尤其是在開關芯片領域。
2025-02-11 09:22:36922 英飛凌科技股份公司在電容式微機械超聲波傳感器(CMUT)技術領域取得了重大突破?；谶@一先進技術，公司成功推出了首款高度集成的單芯片解決方案，為超聲波應用的開發注入了新的活力。 這款單芯片解決方案
2025-02-08 13:59:36998 近日，Diodes公司宣布推出全新85V、符合汽車標準的LED驅動器——AL8866Q，進一步擴展了其汽車級產品組合。這款直流開關LED驅動控制器專為高功率LED照明系統設計，能夠驅動外部
2025-02-06 11:08:321623 碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導體材料（WBG）的一種，具有許多優異的參數特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應用中表現出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數特性，并通過對比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術優勢和應用領域。
2025-02-02 13:48:002731 Diodes公司（納斯達克代碼：DIOD）近日正式宣布推出其最新的AL8866Q LED驅動器，進一步豐富了其符合汽車標準的產品線。這款直流開關LED驅動控制器專為外部MOSFET設計，能夠支持降壓
2025-01-23 15:44:402758 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅動器，擴大符合汽車標準*的產品組合。這款直流開關 LED 驅動控制器可驅動外部 MOSFET，支持
2025-01-23 13:53:231245 SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8891Q LED 驅動器，擴大符合汽車標準*的產品組合。這款同步降壓 LED 驅動器簡單易用，具有高側電流感測功能
2025-01-17 13:51:28907 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
Diodes 公司 (Diodes)(Nasdaq：DIOD)推出新款符合汽車規格*的 36 通道線性 LED 電流驅動器。AL5887Q 具備驅動 RGB 配置及單獨 LED 的能力，可幫助設計人
2025-01-09 16:17:481039 ，也就是俗稱的老年人呼叫器，20歲的年紀就用了老年人無線呼叫器——妥妥的少走50年彎路！ 倉庫無線呼叫器?? ??????在我國，人口的老齡化日益嚴重，為老人設計的智能呼叫產品卻不多見，我們技術部研發了這款老人無線呼叫器
2025-01-07 16:34:31713 
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