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      電子發燒友網>新品快訊>RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

      RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

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      2025-04-29 18:17:541107

      氮化鎵電源IC U8765產品概述

      氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
      2025-04-29 18:12:02942

      氮化鎵電源芯片U8726AHE產品介紹

      EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。
      2025-04-28 16:07:21719

      25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH

      25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
      2025-04-24 16:20:38593

      聯合電子推出超級氮化鎵車載充電機

      聯合電子發布CharCON 5U產品后，以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來越多客戶的認可。針對國內市場的特點，聯合電子持續加快創新步伐，深化技術布局，再推革命性產品——CharCON HyperGaN（超級氮化鎵車載充電機）。
      2025-04-24 14:30:261188

      氮化鎵快充芯片U8766產品介紹

      700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
      2025-04-23 17:00:17776

      直擊AI服務器電源痛點！英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場

      電子發燒友網報道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數字能源、消費電子、汽車電子、機器人領域最新的氮化鎵器件方案。 圖：英諾賽科展臺新品和氮化鎵晶圓 電子
      2025-04-21 09:10:422407

      納微半導體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規認證

      ? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產表現，可為車載充電機（OBC）和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
      2025-04-17 15:09:264296

      鎵創晶合：從GaN材料到器件研發，打造三大應用競爭力

      氮化鎵的應用已經從消費電子的快充向工業級功率領域滲透，這給了國內廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產品和市場近況以及行業趨勢等話題
      2025-04-16 15:12:491442

      氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W

      氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
      2025-04-10 16:30:58665

      ZS826GaN+ZS7606C 高性價比氮化鎵DMOSGaN 20WPD快充方案推薦+測試報告

      氮化鎵20WPD快充方案
      2025-04-10 11:06:04731

      氮化鎵快充芯片U8732產品介紹

      防止過熱。這種功能可以與OTP協同工作，提供雙重保護。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！
      2025-04-02 17:52:32781

      330W氮化鎵方案，可過EMC

      氮化鎵
      深圳市三佛科技發布于 2025-04-01 11:31:39

      CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC

      深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
      2025-03-31 14:26:10

      氮化鎵快充芯片U8766的主要特點

      深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
      2025-03-20 17:41:40835

      GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案

      GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
      2025-03-13 18:06:0046930

      氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

      氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
      2025-03-13 16:33:054783

      納微半導體發布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

      唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
      2025-03-13 15:49:392996

      京東方華燦光電氮化鎵器件的最新進展

      日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
      2025-03-13 11:44:261526

      氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用: 優勢、實際應用案例、設計考量

      介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統硅基解決方案，闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件
      2025-03-12 18:47:172081

      氮化鎵技術推動電動汽車電源設計革新！

      電動汽車設計師致力于通過提升功率、縮小系統尺寸并減少散熱需求，使電動汽車更輕量化、自動化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級功率器件在功率轉換、高頻開關和熱管理領域的突破性進展，電動汽車的能
      2025-03-03 11:41:561005

      氮化鎵晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

      氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
      2025-02-27 18:26:311103

      氮化鎵（GaN）充電頭安規問題及解決方案

      什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
      2025-02-27 07:20:334528

      氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能

      什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
      2025-02-26 04:26:491181

      40W ACDC系列氮化鎵電源模塊 HLK-40Mxx系列

      ，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節省了設計空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
      2025-02-24 12:02:321020

      混合式氮化鎵VCSEL的研究

      在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發光層再搭配
      2025-02-19 14:20:431084

      垂直氮化鎵器件的最新進展和可靠性挑戰

      過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
      2025-02-17 14:27:362014

      氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz

      氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測
      2025-02-13 16:22:261075

      GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-13 16:10:220

      GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-13 14:24:192

      GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-12 08:30:510

      聞泰科技深耕氮化鎵推動產業升級

      隨著人工智能、數據中心、汽車電子等應用領域的快速發展，第三代半導體——氮化鎵（GaN）正迎來前所未有的發展機遇。聞泰科技已布局GaN領域多年，憑借卓越的創新能力不斷推動產業鏈發展，創造新的價值增量。
      2025-02-10 17:15:041127

      GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-10 16:22:371

      氮化鎵電源芯片方案介紹

      氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
      2025-02-07 16:01:021105

      深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力

      深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力氮化鎵芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域，設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
      2025-02-07 15:40:21919

      納微半導體氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

      近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
      2025-02-07 13:35:081231

      為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

      650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
      2025-01-23 16:27:431780

      測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響

      在半導體產業這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰
      2025-01-22 09:43:37449

      測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實際影響

      在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
      2025-01-20 09:36:50404

      不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

      在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發揮
      2025-01-17 09:27:36420

      氮化鎵襯底的環吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

      在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
      2025-01-16 14:33:34366

      氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？

      的代替材料就更加迫切。 氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優秀
      2025-01-15 16:41:14

      氮化鎵電源芯片和同步整流芯片介紹

      氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和高頻率的開關能力，能夠迅速地切換電路狀態，實現
      2025-01-15 16:08:501733

      PI公司1700V氮化鎵產品直播預告

      PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
      2025-01-15 15:41:09898

      氮化鎵芯片U872XAHS系列的主要特性

      帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4。
      2025-01-06 15:52:201000

      英諾賽科登陸港交所，氮化鎵功率半導體領域明星企業閃耀登場

      近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導體領域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優質的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
      2025-01-06 11:29:141123

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