盡管內燃機驅動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流馬達獲取車載系統的電氣需求，但由于混合動力電動汽車採用了幾個系統，它們需要更高的功率等級。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或純電動汽車而言，耗能最多的組件是馬達驅動裝置。該裝置需要在沒有內燃機支援的情況下，至少在一定時間內有效驅使車輛行進。為在不損失阻性連接通道上大部份電能條件下，為數十千瓦至上百千瓦的大功率馬達供電，大電流路徑需要實現更高的電壓（範圍為600V至1，200V）。但即使在如此之高的電壓條件下，所需的電流水平也不過為幾百安培。

　　高壓電網的導入，使汽車產業開始採用兩個全新的功率密集型產品：將直流轉換成交流以驅動馬達的DC-AC轉換器，以及在高壓電網和12V電網之間實現電能交換的DC-DC轉換器。混合動力汽車仍然需要12V電網，因為多數標準汽車電子系統都採用12V電源。

　　如前所述，換流器和轉換器需要管理幾千瓦的功率，因此需要配備最佳化半導體元件和高級封裝的十分復雜的高效電子裝置。因此，這種半導體平臺要滿足這些全新高功率電子系統的要求需具備下述性能：

　　1） 在各種應用中具備更高能效；

　　2） 更高的載流能力，在600V至1，200V典型電壓條件下，載流能力為100A至300A；

　　3） 更出色的機械和電氣性能，確保能夠經受惡劣的汽車環境，同時滿足防失效設計所有安全和保護要求；

　　4） 更低的電磁干擾和寄生電感，由于開關大電流和高壓會產生極強的電磁場，包括傳導或傳遞噪音/電磁干擾、過壓尖峰和對汽車感應電子裝置造成影響的其他干擾等。

　　下文詳細探討圖1所示的可解決上述問題的5個主要平臺元素：

　　圖1：滿足混合動力電動汽車的功率管理需求的五大‘必備要素’。

　　1. 高效的高壓IGBT：在電壓範圍為600V至1，200V條件下，要想高效地開關幾百安培的大電流，需要採用這種類型的功率開關。相對于MOSFET而言，溝槽型IGBT在這些高壓條件下能效更高。這些元件在極高的電流密度條件下，具備極低的導通電阻。如果採用標準接腳鍵合封裝，其性能將會大幅受到這種傳統裝配技術的限制。因此IR公司專利的可焊正面金屬製程，使IGBT能夠被焊接在兩側，因而徹底避免在換流器或轉換器模組中使用接腳鍵合。該解決方案可解決上文所述的兩個以上的問題：由于避免了‘鍵合接腳脫落’這種典型的故障模式，無接腳鍵合裝配的可靠性和穩健性大幅提高。潛在的故障機制是焊劑磨損殆盡，但這需要很長的時間和很高的應力。採用這種技術的模組廠商可使用更小的元件──相對于接腳鍵合裝配解決方案，可在更高溫度條件下執行，并能夠承受更寬的溫度變化。圖2顯示的是高級無接腳鍵合裝配的應力測試典型結果。

　　圖2：採用基于專利陶瓷的定製封裝的接腳鍵合IGBT，與無接腳鍵合雙面焊接IGBT的功率循環的比較。左圖和右圖顯示不同的溫度應力剖面，每個豎條代表一種被測元件。

　　除提高穩健性外，採用前面可焊金屬的元件還能改善其他問題，包括寄生電感、產生噪音的振鈴以及大電流開關帶來的電磁干擾等。透過實現雙面焊接連接，感應率被降至最低或者完全消失。事實證明，IR公司的無接腳鍵合元件相對于任何標準的接腳鍵合或塑料封裝元件，具備更出色的開關性能。例如，圖3為IR公司的專利DirectFET封裝與接腳鍵合塑料封裝元件的快速開關性能比較。

　　圖3：IR公司的專有無接腳鍵合DirectFET封裝，可降低寄生電感和振鈴，明確具備更出色的電磁干擾性能。

　　2. 先進的封裝是高效電源管理平臺的另一個重要的因素。如上文所述，IR公司針對汽車產業推出了十分先進的封裝技術。將結實耐用的前面金屬層置于我們的硅開關（MOSFET、IGBT）上，使我們能夠將無接腳鍵合的晶片級功率封裝應用于所有功率開關。直接封裝（Direct-Packages）具備出色的開關性能、基本為零的寄生電感、更強的機械可靠性和強韌性──塬因是避免了接腳鍵合，還能實現晶片雙面散熱。如果一面有接腳鍵合是無法實現雙面散熱的。這些封裝解決了上文所述的主要問題，使客戶能夠設計出創新的控制裝置和電源模組。

　　3. 快速開關元件也是混合動力電動汽車應用一個十分重要的需求。儘管馬達驅動變頻器的典型開關頻率為6kHz至10kHz，但DC-DC轉換器或其他電池充電裝置通常具備更高的頻率範圍（100kHz至200kHz），以提高降壓/升壓轉換器效率，并縮小這些系統中的被動組件（電感器/電容器）的尺寸。不幸的是，基于其雙極元件實體特徵，IGBT可在10KHz開關頻率下達到最理想的性能，但在100kHz以上的高頻條件下，需採用特殊的MOSFET、CoolMOS或超結（Super Junction）元件。不過，這些元件都有缺點，例如極高的成本和有限的穩健性等。IR公司的汽車產品組合，提供了以更低的成本和出色的開關性能解決這些問題的替代解決方案。IR公司的汽車用DirectFET，設立了電壓高達250V的快速開關性能的標桿。更高電壓的快速開關產品，需要採用IR公司的專有WARP speed IGBT。相較典型的高壓超結元件而言，WARP speed IGBT可以更出色的性價比實現更高的開關頻率。新一代汽車WARP speed IGBT可滿足100kHz以上的開關頻率要求，因此是混合動力電動汽車的大功率DC-DC轉換器的理想解決方案。

　　4. 具備高抗雪崩能力的MOSFET，是混合動力電動汽車半導體平臺的另一個重要元件。硬開關產品常常需要MOSFET透過進入雪崩模式實現重復開關。在雪崩模式下，電壓基本上會超過擊穿電壓，高度加速的載流子在擊穿電壓水平下，會涌入MOSFET的PN結區。這些高度加速的‘熱載流子’通常會逐漸損壞閘極氧化層。經過一段時間或重復多次出現雪崩事件后，MOSFET會出現不可逆轉的損傷。閾值電壓漂移，漏電流逐漸增大，或者有時閘極氧化層斷裂。IR公司的專利MOSFET尤其穩健耐用，可實現可靠的重復雪崩開關。事實證明，這些元件應用于馬達驅動等電感負載的硬開關產品時，穩健性。結合無接腳鍵合Direct封裝，這些元件可設立開關性能標桿，同時確保出眾的硅晶片穩健性。

　　5.驅動功率元件的穩健耐用、功能強大的控制IC。為幫助系統設計人員利用所需的控制IC完成整個功率級開發任務，IR公司推出了陣容強大的汽車用驅動IC產品組合。該產品組合適用于廣泛的拓樸結構，可滿足高級換流器、轉換器或電源的系統需求。專有的汽車用高壓和低壓閘極驅動IC，具備非凡的穩健性和自鎖抗擾度。針對電壓小于75V的應用，IR推出了專利智慧化功率IC，它們能夠處理的電流，遠遠高于採用尖端BCD製程製造的類比混合訊號IC。針對電壓範圍為100V至1，200V的應用，也推出了眾多具備業界領先的負瞬態電壓尖峰安全作業區（NTSOA）的高壓結隔離驅動IC產品，如圖4所示。世界一流的驅動IC的故障模式是，經常會因為以很高的電流和電感負載執行半橋開關時產生的高負電壓尖峰而產生栓鎖現象。IR公司推出的車用驅動IC，不僅堅固耐用，而且具備自鎖防護功能，這使它們成為驅動電流密度很高的大型IGBT的理想之選。

　　圖4：IR公司的車用閘極驅動，由于採用專有的製程和設計，因此更加穩健耐用。這些製程特性和設計可確保產生高負電壓尖峰的大型IGBT的絕對栓鎖控制。

　　圖1概述了本文內容，體現了硅功率管理平臺的5大要素。該平臺有助于克服目前汽車動力總成電氣化所面臨的一些最緊迫的問題。