以上，這也是目前氮化鎵在手機充電器上廣泛被應用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導體此前被廣泛應用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導體銷售營運總監李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
6891 納微 (Navitas) 半導體宣布，將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學會學術年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應用。
2017-10-30 11:54:4814245 采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應用電路圖： 半橋結構應用 應用在半橋電路中，自舉電路
2020-03-24 01:08:007599 
大家清晰的了解GaN產品。 1．從氮化鎵GaN產品的名稱上對比 如下圖所示，產品GaN標示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0027189 
前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502390 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現快充。
2021-12-30 15:06:091790 
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 11:18:151534 
2022年1月18日，納微半導體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763 
氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克股票代碼： NVTS）正式宣布其發貨數量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:481184 
芯片行業領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）發布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現。 氮化鎵是相比傳統高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，助力打造業界最快、最小、最高效的解決方案。 加利福尼亞州托倫斯2024年10月14日訊
2024-10-17 16:31:091304 
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經量產商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
，只應用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內已經有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關管，控制器以及驅動器
2021-11-28 11:16:55
應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調
2018-11-05 09:51:35
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
6×8mm QFN 封裝中，用于交流電或400V 直流電的輸入應用。
無論是“全橋”還是“半橋”電路設計，納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片都能夠支持。GaNFast 氮化鎵功率芯片具備適用性極強
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，現在還有什么是阻礙氮化鎵器件發展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源，因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-180W電源管理芯片-DK8718AD一、產品概述：DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率電源管理芯片
2025-01-08 10:53:32
集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋120W-AC-DC電源管理芯片-DK8712AD一、產品概述DK87XXAD電源管理芯片是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片
2025-01-08 15:29:04
東科半導體集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產品概述DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片
2025-01-08 15:33:07
氮化鎵功率器件及其應用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設計中的應用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化鎵功率器件及其應用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設計中的應用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
納微半導體今日正式宣布，其出貨量創下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現產品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 ? 納微半導體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發中心。納微半導體擁有一支強大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業應用首秀。
2021-04-27 14:11:531302 納微半導體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應用。
2021-08-24 09:39:212060 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經成功出貨。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關拓撲，集成氮化鎵開關管、獨立驅動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102573 
納微半導體今日宣布，小米正式發布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092410 
氮化鎵功率芯片的行業領導者納微半導體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630 
全球氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業 Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產品。
2021-11-02 09:51:311289 
氮化鎵作為下一代半導體技術，其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術，集成了氮化鎵功率場效應管（GaN Power［FET］）、驅動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562302 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）正式發布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應用。
2022-05-11 11:24:312749 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導體是氮化鎵功率芯片行業領導者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術的
2022-07-29 16:17:441027 
納微半導體于2022年9月正式發布新一采用GaNSense技術的 NV624x GaNFast半橋功率芯片，作為全新一代產品，其集成了兩個GaN FETs 和驅動器，以及控制、電平轉換、傳感和保護功能 ，其適用于手機移動、消費和工業市場中100-300W應用。
2022-09-09 14:44:532505 GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅動器，以及控制、電平轉換、傳感和保護功能，為電子元件創建了一個易于使用的系統構建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少60%的元件數量及布局結構，進而減少系統成本、尺寸、重量與復雜性。
2022-09-09 14:51:141998 普通消費者，甚至對氮化鎵了解不多的工程師，普遍認為氮化鎵只能實現幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實，因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式，在中大功率應用場景的散熱問題難以解決。
2022-11-25 15:41:282258 未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251382 
納微半導體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達克上市，上市當天企業價值10億美元。1個月后，納微半導體再進
2023-02-21 14:57:11
0 領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業領導者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:131763 在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統硅功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232504 DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉換芯片。它具有超高集成度，內置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電路和半橋驅動電路，是目前業內唯一一款一體式合
2022-06-21 09:47:164264 
早前，納微半導體率先憑借氮化鎵功率芯片產品，踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應用爆發的節奏，成為氮化鎵領域的頭部企業。同時，納微也不斷開發氮化鎵和碳化硅產品線，拓展新興應用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934 
納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低
2023-09-01 14:46:041591 
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業應用內樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151913 作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:442505 氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 進入三星進供應鏈：納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用。作為下一代功率半導體技術，氮化鎵正持續取代傳統硅功率芯片在移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車的市場份額。 Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸，分辨率為2340×
2023-11-03 14:06:311663 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優點，被廣泛應用于通信、醫療、工業等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416132 氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環境下表現出較好的性能。
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導體器件，具有很多優點和一些缺點。以下是關于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優秀的高頻特性，可以實現高頻率工作，適合用于射頻和微波
2024-01-10 10:16:526202 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 納微氮化鎵技術助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵，不僅有效確保糧食安全，同時讓印度農民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發電機。
2024-04-22 14:07:26954 在電力電子領域，納微半導體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體技術，已成為行業內的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺上展示其最新技術成果。
2024-05-30 14:43:081171 近日，納微半導體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話，分享了在AI數據中心所需電源功率呈指數級增長的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670 在科技日新月異的今天，充電技術正不斷取得新的突破。近日，納微半導體宣布其先進的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯想兩款全新充電器所采用，為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，納微半導體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態照明電源等多個領域展現出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311138 輝煌的十年。 ? 如今，納微在氮化鎵產品線上不斷拓展，最近重磅發布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產品——GaNSlim，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態照明電源等領域，進一步
2024-10-23 09:43:592386 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237 
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產表現，可為車載充電機（OBC）和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264300 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導體今日正式宣布推出 全新專為電機驅動
2025-05-09 13:58:181260 
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。
2025-06-09 09:05:591599 
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