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分析氮化鎵芯片的特點(diǎn)

jf_52490301 ? 來源:jf_52490301 ? 作者:jf_52490301 ? 2023-10-07 15:32 ? 次閱讀
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作為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn),是制作功率芯片的理想材料。如今,電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率,減少熱量的產(chǎn)生,并且縮小了充電器的體積,使用戶在日常出行時更容易攜帶。

PD充電器是KeepTops的一個知名系列產(chǎn)品。此前已在30W、65W、100W和200W四個功率領(lǐng)域推出了相應(yīng)的產(chǎn)品。

用(KeepTops)KT65C1R200D氮化鎵設(shè)計的100W氮化鎵PD充電器,采用可折疊國標(biāo)插腳,外出時攜帶方便。它支持100-240V寬電壓輸入,并配備了一個2C1A輸出接口。分別支持100W PD快速充電和22.5W SCP快速充電。

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ACDC一次側(cè)采用KeepTops半導(dǎo)體的密封氮化鎵系列產(chǎn)品KT65C1R200D。它集成了一個650V/200mΩ氮化鎵功率晶體管和一個控制和驅(qū)動電路芯片。KT65C1R200D采用專利谷鎖QR算法。穩(wěn)定谷鎖定算法在降低開通損耗、提高系統(tǒng)效率的同時,避免了音頻噪聲的引入,大大簡化了高功率密度反激式電源的設(shè)計。KT65C1R200D具有完備的保護(hù)功能,支持輸出過壓保護(hù)、電源過壓、欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)等多種保護(hù)功能。

KT65C1R200D采用DFN8*8封裝,外圍器件簡化。適用于高功率密度快速充電適配器、筆記本電源適配器等應(yīng)用場合。

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凱泰電子有限公司,成立于2005年,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵的研發(fā)設(shè)計產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。我們擁有專家級的技術(shù) 團(tuán)隊,致力于開發(fā)創(chuàng)新的芯片設(shè)計方案。通過精確的設(shè)計和優(yōu)化,能夠?qū)崿F(xiàn)高效、精確的芯片制造過程。我們嚴(yán)格把控每個環(huán)節(jié),確保產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平,滿足客戶的需求。 重點(diǎn)市場包括:消費(fèi)電子、電動工具、數(shù)據(jù)中心、便攜儲能、微型逆變器、電動汽車、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。豐富的應(yīng)用方 案包括:PD快充適配器、電動工具充電器、LED驅(qū)動電源、儲能雙向逆變器、電池化成電源、ICT服務(wù)器電源、算力電源、車載 雙向DC-DC等。

凱泰電子將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),為全球客戶提供卓越的芯片解決方案和技術(shù)支持。

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KeepTops的氮化鎵超級充電器使用折疊插腳,便于儲存和攜帶。這款充電器擁有2C1A輸出接口,USB—C接口支持100W輸出功率,并支持盲插和自動配電,使用起來非常方便。USB—A端口還支持快速充電,可以輕松為新老設(shè)備充電。一個充電器就可以滿足筆記本電腦手機(jī)同時快速充電的需求。

KeepTops的氮化鎵PD充電器采用了PFC+反激式架構(gòu)。反激式部分采用東科KT65C1R200D氮化鎵封裝芯片進(jìn)行定壓輸出。這款芯片采用了KeepTops獨(dú)有的QR算法,有效降低了開關(guān)損耗,從而提高了充電器的整體效率。此外,該芯片還集成了氮化鎵功率晶體管、控制和驅(qū)動電路,全部集成到一個DFN8*8個封裝芯片。這種密封設(shè)計不僅簡化了電路設(shè)計,降低了研發(fā)成本,而且有助于充電器的小型化。

審核編輯 黃宇

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