從三星S22到S23，下一代GaNFast技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片

加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊—納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布再度進入三星進供應鏈：納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用。作為下一代功率半導體技術，氮化鎵正持續取代傳統硅功率芯片在移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車的市場份額。

Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸，分辨率為2340×1080的Dynamic AMOLED 2X屏，刷新率為120Hz，屏幕峰值亮度高達1750尼特，同時配備了康寧大猩猩玻璃增加耐用性。性能方面則搭載了高通第二代驍龍8移動平臺，8G運存和512G存儲空間，使用更加流暢。后置最高達5000萬像素的3攝鏡頭，帶來更優異的影像體驗。

為支撐強大的性能，Galaxy S23配備一塊3900mAh的鋰離子電池，搭載GaNFast氮化鎵功率芯片的25W充電器（型號為EP-T2510）以及USB PD3.0接口，使其僅需30分鐘就能充滿50%的電量，并在待機模式下，只消耗5mW的電力。PD 3.0接口意味著這款新充電器可以為從Galaxy Buds2耳機到Galaxy Z Fold5，Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列設備供電。

納微半導體的GaNFast氮化鎵功率芯片運用在該充電器的150kHz高頻反激(HFQR)拓撲結構中，并憑借著領先的高頻性能，使得充電器體積縮小30%以上。此外，納微的器件具有領先的交付能力、可靠的質量和極高可靠性，完美符合三星嚴格的資質要求。

納微半導體

全球高級銷售副總裁

David Carroll

“作為移動快充的行業先驅，納微半導體持續領導著下一代快充市場，目前全球前十大移動設備生產商都在生產我們的GaNFast充電器。

從25W到20MW，我們將不斷擴大領先的氮化鎵和碳化硅產品組合，全面覆蓋從移動設備和消費電子，到電動汽車、太陽能及工業應用的所有領域。”

審核編輯：彭菁