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DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉換芯片。它具有超高集成度，內置有源箝位拓撲所需的兩顆GaN HEMT功率管，邏輯控制電路和半橋驅動電路，是目前業內唯一一款一體式合封氮化鎵有源箝位反激功率轉換芯片。

上管采用400mΩ GaN功率管，下管采用260mΩ GaN功率管，最大開關頻率可達500KHz。專利的上管電流關斷控制技術保證了上管在最小電流時關斷，同時此電流可以實現下管的ZVS開通。DK120GA支持120W以內應用設計，特別適用于目前高功率密度PD快充應用。采用DK120GA設計的方案外圍電路非常簡單，調試難度很低，綜合成本遠低于目前市場上歐美廠商的有源箝位方案。

一

DK120GA 芯片介紹

業內唯一的單芯片ACF整合方案！

1

Logic and Control

2

High side GaN HEMT

3

Half Bridge Driver

4

Low side GaN HEMT

二

DK120GA關鍵特性展示

DK120GA腳位圖

1

控制方式

?專利的上管自適應關斷技術，以實現最小負電流關斷，同時該電流足夠抽走下管的Coss電荷，實現下管的ZVS導通；

?峰值電流控制模式；

?上管輕載模式下自適應開通/關斷，提高輕載效率；

?死區時間自適應；

2

外圍元件

?合封兩顆GaN MOSFET，半橋驅動及邏輯控制電路；

?外圍極其簡單；

?無需外部補償電路；

3

功能完善

?自帶高壓啟動；

?自帶X2電容放電，Brown in/out，輸出OVP等保護功能；

三

120W ACF EVB 展示

一

基本原理圖

與市面上友商的ACF方案相比，極大簡化了外圍設計，降低了調試難度，縮短了方案設計周期

二

展示板效率與溫升

三

方案成本對比優勢

120W PD ACF方案 VS LLC方案

?AC-DC功率級電路異常簡單

?外圍元器件少，調試輕松

?成本省去了LLC諧振電容，諧振電感

?效率非常接近主流的LLC方案

?功率密度進一步上升

如需了解詳情或申請樣板使用，歡迎發送郵件至：david@wxdkpower.cn，或點擊公眾號菜單欄“聯系我們--申請樣品”。

微信公眾號 | 東科半導體

官方網站｜http://dkpower.cn

原文標題：新品推薦 | 東科推出業內首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

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