Gallium Nitride delivers size， weight and CO2-reduction benefits to Dell users

　　氮化鎵材料使戴爾用戶擁有更輕、更小的充電，同時減少排放二氧化碳

　　加利福尼亞州埃爾塞貢多 – 2021 年 12 月 17 日 — 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現快充。

　　氮化鎵 （GaN） 是下一代半導體技術，其運行速度比傳統硅快 20 倍，實現了 3 倍功率的提升以及節省了 40% 的能耗，但尺寸和重量減半。 納微的 GaNFast? 功率 IC 集成了氮化鎵功率器件、驅動器以及保護控制電路，以提供簡單、小巧、快速的產品和高效的性能。 納微擁有 130 多項已申請或正在申請的專利，包括專有工藝設計套件 （PDK） 在內的重要IP，其在下一代氮化鎵功率 IC 領域處于多年領先地位。

　　戴爾全新的 60W氮化鎵快充是除傳統硅適配器之外，筆記本“內置”的可供升級的適配器選項，現已發貨。這款適配器的尺寸僅為 66 x 55 x 22 毫米（94 cc），重量僅為 175 克，比上一代硅充電器小 50%，輕 25%。

　　氮化鎵功率芯片的二氧化碳足跡比傳統硅芯片低 4 到 10 倍。納微估計，GaNFast 氮化鎵功率 IC 使戴爾能夠將其適配器的二氧化碳總排放（包括制造、運輸和使用過程中產生的）減少近 30%。

　　納微半導體首席執行官兼聯合創始人 Gene Sheridan 表示：“戴爾的消費者欣賞技術創新、性能和質量優異的領先技術，同時他們也欣賞 GaNFast 氮化鎵技術為地球帶來的顯著益處。事實上，每一枚交付的 GaNFast 功率芯片都能夠減少 4 公斤的二氧化碳排放量。”

　　在高速有源鉗位反激 （ACF） 拓撲架構下，戴爾適配器中采用了兩個 GaNFast 功率芯片（NV6115、NV6117），同時使用先進的平面變壓器，從而誕生了這顆厚度僅僅22 毫米的纖薄的適配器。