2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產品陣容。
2012-10-10 13:37:10
1451 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061450 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合
2023-05-24 17:09:591188 
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產，1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品
2018-12-03 15:12:02
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
的。肖特基二極管是屬于一種低功耗、超高速、反向恢復時間短的二極管，所以肖特基二極管的用途有很多種，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，在通信電路中作整流二極管、小信號檢波二極管等使用。一般
2021-07-09 11:45:01
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4V，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7V，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
直接影響二極管的開關速度，但不一定說這個值小就好。也即當肖特基二極管由導通突然反向時，反向電流由很大衰減到接近IR時所需要的時間。大功率開關管工作在高頻開關狀態時，此項指標至為重要。肖特基二極管規格書下載：
2022-01-24 11:27:53
肖特基二極管一種應用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅動電路中的應用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內部的功耗就小了很多，提高了熱穩定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規格書下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
突破性的進展，150V和 200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。肖特基二極管缺點：肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電
2021-09-09 15:19:01
、高頻變阻肖特基二極管、變容肖特基二極管、發光肖特基二極管、肖特基二極管。 2.識別方法 肖特基二極管的識別很簡單，小功率肖特基二極管的N極(負極)，在肖特基二極管表大多采用一種色圈標出來，有些
2018-11-21 13:51:35
已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間trr特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。二
2016-03-22 14:55:18
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），也有人叫做：肖特基勢壘二極管
2021-06-30 17:04:44
都是根據這兩個工作點計算的。然而，肖特基二極管的快速開關也會引起功耗，其表現形式為在開關期間出現的電壓和電流。 反向恢復也會引起功耗，這與SiC等新型半導體材料的技術發展有關。有許多不同類型的半導體
2019-02-21 13:39:32
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
`編輯ZASEMI肖特基二極管MBR60200PT是肖特基二極管中非常常見的型號，TO-247封裝，正向整流60A，反向耐壓200V，正向壓降0.87V，正向峰值浪涌電流500A，反向漏電流為
2021-04-29 16:26:23
少數載流子的存儲效應很小，其頻率響應僅受RC時間常數的限制。因此，它是一種理想的高頻快速開關器件。 肖特基二極管有什么用？肖特基二極管的最大特點是正向壓降VF比較小，在相同電流情況下，其正向壓降要
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
電壓保護。肖特基二極管的低正向下降使它們在太陽能電路中具有高能效。箝位: 在晶體管箝位電路中，用肖特基二極管作為開關二極管。為了箝位，肖特基二極管連接在集電極和驅動晶體管的基極之間。當開啟時，肖特基
2022-03-19 22:39:23
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中心電源等
2018-10-29 08:51:19
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應用于有六級能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復時間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規格書下載：
2022-01-24 15:00:32
200V。 4、肖特基二極管比普通的二極管通過的電流強。 5、肖特基二極管比普通二極管的結電容小。 6、肖特基二極管可以通過高頻電流。 綜合以上區別可以說肖特基二極管比普通二極管功能性更好，適用廣泛。`
2018-11-05 14:29:49
MDD肖特基二極管具有的優勢：肖特基二極管MBR系列極快的開關速度以及非常低的反向恢復時間使它們非常適合高頻應用，并能最大程度降低開關損耗。肖特基二極管均具有非常低的正向壓降和比傳統二極管更低的熱
2020-08-28 17:12:29
金屬和半導體觸點形成肖特基勢壘以實現整流。與普通PN結二極管相比，它的反向恢復慣量非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。碳化硅（SiC）是一種高性能半導體材料，因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
客戶簡單講解一下。肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長是開關速度非常快，反向恢復時間可以小到幾個納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流
2015-10-19 11:26:11
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數均相當于或優于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
，能夠有效降低產品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導率大的特點，應用開關頻率可達到1MHz，在高頻應用中優勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極
2019-04-12 11:37:43
Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28917 肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理
基本原理是：在肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導
2010-02-26 13:38:584312 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371525 東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26975 
FRED Pt? Gen 4 Ultrafast快恢復二極管，這些器件適用于電源模塊、電機驅動、UPS、太陽能逆變器、焊機逆變器里的高頻轉換器。
2015-06-02 15:10:531320 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14924 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數，易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，肖特基二極管被廣泛應用于變頻器、開關電源、驅動器等電路，作為低壓、高頻、大電流整流二極管、保護二極管、續流二極管等使用
2017-10-23 14:57:394379 本文主要介紹了肖特基二極管原理、肖特基二極管結構、肖特基二極管特點，對肖特基二極管優點和缺點進行了詳細介紹，最后介紹了肖特基二極管的作用以及如何萬用表來檢測肖特基二極管的好壞。
2018-01-12 14:41:3661994 肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，肖特基二極管被廣泛應用于變頻器、開關電源、驅動器等電路，作為低壓、高頻、大電流整流二極管、保護
2018-01-21 10:44:3724950 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻
2018-01-21 11:01:5725064 推動高能效創新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。
2018-03-01 13:14:179301 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
本文首先介紹了肖特基二極管的工作原理然后說明了肖特基二極管的應用最后解釋了肖特基二極管的作用。
2019-08-09 11:04:219563 
本文主要介紹了普通硅二極管和肖特基二極管的相同和區別以及快恢復二極管和肖特基二極管的區別，并附上了普通硅二極管，肖特基二極管和快恢復二極管的圖片。
2019-08-09 15:24:309141 碳化硅（SiC）二極管已經進入迅速擴張的太陽能逆變器市場，尤其是在歐洲。Cree的1200V SiC肖特基二極管已開始用來取代DC鏈升壓電路所使用的硅（Si）PiN類設計，而且將很快出現在商用系統的逆變器領域。
2020-10-02 17:21:005342 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認證 與傳統 SOD/T 封裝二極管相比節省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:522958 
工業級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規級部件。
2021-11-05 16:18:341116 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
Vishay 推出兩款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外線)發光二極管，用于醫療、工業和消費電子應用殺菌。
2022-09-16 10:50:15753 肖特基二極管又稱熱載流子二極管，通過金屬和半導體觸點形成肖特基勢壘，實現整流。與普通PN結二極管相比，它的反向恢復慣性很低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。
2022-10-25 16:32:133470 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244172 
肖特基二極管因其低導通電壓、快速恢復時間和更高頻率下的低損耗能量而得到廣泛應用。這些特性使肖特基二極管能夠通過促進從導通狀態到阻塞狀態的快速轉換來整流電流。因此，肖特基二極管通常是許多應用中半導體器件的理想選擇。以下是肖特基二極管最常見的五種應用。
2023-05-24 11:24:222670 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
肖特基二極管的功能 肖特基二極管的作用 肖特基二極管是一種特殊的二極管，也被稱為肖特基勢壘二極管或熱電子二極管。它是由半導體材料制成的，其中具有一個j收集結和一個n導體結。 與普通二極管相比，肖特基
2023-08-28 17:22:3914445 流、快速開關響應、高頻電流和低電壓降等特性。 肖特基二極管由美國物理學家肖特基于1938年發明，并稱之為“肖特基勢壘”（Schottky barrier）。在固態器件技術中，肖特基二極管與pn結二極管是重要的半導體器件之一。它是應用于高速、高頻、低噪聲
2023-08-28 17:31:469380 肖特基二極管的作用 三腳肖特基二極管的作用 肖特基二極管常見型號與作用? 肖特基二極管是一種半導體器件，利用P型半導體和N型半導體之間的PN結形成的二極管性質進行電子的輸送，是一種具有優良高頻特性
2023-08-31 17:29:573609 肖特基二極管壞了的表現 判斷肖特基二極管好壞 肖特基二極管怎么測量好壞 肖特基二極管是一種特殊的二極管，在半導體器件中擁有廣泛的應用。由于其快速響應和低噪聲等特性，肖特基二極管在電路設計中被廣泛
2023-09-02 10:34:116711 正向壓降比普通硅二極管更低的特點，因此在高頻和高速電路中被廣泛使用。 在肖特基二極管中，由于使用了金屬和半導體材料的形成，這與普通二極管的PN結結構不同。在金屬與半導體接觸處形成了一個稱為肖特基勢壘的電勢壘，具有以
2023-09-02 11:08:287861 一. 肖特基二極管的定義
二. 肖特基二極管的主要參數
三. 肖特基二極管的優點和缺點
四. 肖特基二極管的命名規則
五. 肖特基二極管的封裝類型
六. 肖特基二極管之光伏專用
2021-06-18 14:19:32100 一.肖特基二極管的定義二.肖特基二極管的主要參數三.肖特基二極管的優點和缺點四.肖特基二極管的命名規則五.肖特基二極管的封裝類型六.肖特基二極管之光伏專用
2021-06-26 11:14:34110 肖特基二極管和普通二極管的區別。 1N5711：1N5711是一款常見的肖特基二極管，它具有25V的反向電壓和0.2A的
2024-01-30 10:35:2112246 新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結構設計，額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:122318 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN
2024-07-24 09:26:20822 
電子發燒友網站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書.pdf》資料免費下載
2024-09-05 11:36:560 P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準，無鹵且符合RoHS標準。產品具備超快速開關、零反向恢復
2025-02-25 15:44:15791 
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標準，無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-25 17:44:07773 
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf
2025-02-27 17:11:28678 
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封裝形式為 TO - 220I - 2，具有超
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產品通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-28 17:52:15813 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行等特性，正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04900 
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