（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:53
4300 
Transphorm驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦，這進(jìn)一步印證了GaN用于電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:283009 GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源
2023-06-02 13:54:07746 15 日 – 新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案
2023-06-19 17:47:16729 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款
2023-11-07 17:51:231546 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022年
2024-02-26 06:30:003364 
了電源轉(zhuǎn)換器的濾波元件尺寸，提升充電效率與功率密度，但在汽車核心動(dòng)力總成，此前尚未有成熟應(yīng)用案例。 ? 最近浩思動(dòng)力發(fā)布的Gemini 微型增程器搭載自研 “冰刃” 系列氮化鎵功率模塊，成為全球首款將 GaN 技術(shù)規(guī)模化應(yīng)用于汽車增程器的混動(dòng)系統(tǒng)
2025-11-27 08:44:004006 `一種數(shù)字控制的緊湊型 1kW 交流/直流電源設(shè)計(jì)，適用于服務(wù)器電源單元 (PSU) 和電信整流器應(yīng)用。該高效設(shè)計(jì)支持兩個(gè)主要功率級(jí)，包括一個(gè)前端連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱無橋功率因數(shù)校正
2020-06-22 18:22:03
和FPGA的低直流電源通常需要多級(jí)直流 - 直流轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。如果高壓設(shè)備可用于進(jìn)行轉(zhuǎn)換，則可以減少轉(zhuǎn)換次數(shù)。GaN器件提供了這種潛力。一個(gè)例子是數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)。數(shù)據(jù)中心包含許多需要高電流低電壓的高功率
2017-05-03 10:41:53
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
輸入到USB-C PD/PPS輸出的全功能產(chǎn)品。Transphorm的氮化鎵材料可用于傳統(tǒng)的AC-DC升壓PFC和DC-DC準(zhǔn)諧振反激(QRF)拓?fù)洹ｋS后，Salom負(fù)責(zé)采用該系統(tǒng)、對(duì)其進(jìn)行微調(diào)、外圍
2021-08-12 10:55:49
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
描述此參考評(píng)估模塊擁有 TPS23454 PoE 接口和直流轉(zhuǎn)直流控制器，用于需要高效率的 4 類 PoE 應(yīng)用。不論是適配器輸入 (21.6-57VDC) 還是以太網(wǎng)供電，輸出功率都為 5V
2018-07-25 07:32:52
高功率放大器采用堅(jiān)固的帶狀線電路架構(gòu)，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，廣泛應(yīng)用于
2025-02-21 10:39:06
放大器（HPA）單片微波集成電路（MMIC），主要面向 4.5-6.8GHz 頻段應(yīng)用，采用 GaN-on-SiC HEMT 工藝并帶濕度保護(hù)，封裝為 QFN 塑封。具備高功率輸出、高效率及寬電壓工作范圍等
2025-12-12 09:40:25
F是一個(gè)6位數(shù)字移相器MMIC，具有0°- 360°的范圍。它被設(shè)計(jì)用于5到6GHz頻率范圍的應(yīng)用。該電路支持多種C波段相控陣應(yīng)用，包括工業(yè)傳感器和軍用雷達(dá)。該電路采用功率PHEMT工藝，0.25μm柵
2018-07-20 12:26:50
DN98- 高度集成的高效DC / DC轉(zhuǎn)換
2019-06-04 15:28:24
輸出晶體管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槲覀兡軌虼蠓?jiǎn)化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸，如圖2所示。因此，我們能夠?qū)崿F(xiàn)更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉(zhuǎn)向
2018-10-17 10:35:37
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
Leadway GaN系列模塊通過材料創(chuàng)新、工藝優(yōu)化和嚴(yán)格測(cè)試，實(shí)現(xiàn)了-40℃至+85℃（部分+93℃）的寬溫工作范圍，同時(shí)兼顧高功率密度（120W/in3）和高效率（≥92%），為工業(yè)自動(dòng)化
2025-11-12 09:19:03
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目 前針對(duì)戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
汽車行業(yè)電氣化程度不斷提高的趨勢(shì)使汽車制造商既能經(jīng)濟(jì)高效地向市場(chǎng)提供新的創(chuàng)新，又能滿足日益嚴(yán)格的排放法規(guī)。將車輛的主總線電壓提高到48 V有助于滿足輕度混合動(dòng)力汽車的啟停電機(jī)/發(fā)電機(jī)等高功率系統(tǒng)
2023-02-21 15:57:35
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
Ω、600-V GaN 功率晶體管和專用驅(qū)動(dòng)器。目標(biāo)應(yīng)用包括電動(dòng)汽車的車載充電器、電信整流器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、焊接電源和其他工業(yè)交流供電轉(zhuǎn)換器。該設(shè)計(jì)支持用于提高效率的切相和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間、用于提高輕負(fù)載
2022-04-12 14:11:49
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說明設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對(duì)于硅材料所具有的優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場(chǎng)也存在整并壓力，這一點(diǎn)從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
顯示的是將用來驅(qū)動(dòng)LMG5200的Hercules模塊。圖1：具有死區(qū)發(fā)生器的Hercules PWM模塊GaN與Hercules功率級(jí)是天生的一對(duì)兒。它們?cè)诠I(yè)和汽車應(yīng)用中都能發(fā)揮很好的作用
2022-11-17 06:56:35
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過硅MOSFET產(chǎn)品。 GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同，高效率的高頻開關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
Hercules微控制器來驅(qū)動(dòng)它。圖1顯示的是將用來驅(qū)動(dòng)LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區(qū)發(fā)生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級(jí)是天生的一對(duì)兒。它們?cè)诠I(yè)和汽車
2018-08-31 07:15:04
請(qǐng)問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
描述此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
QPM2239：高效能13-15.5 GHz 80瓦GaN功率放大器模塊在現(xiàn)代通信技術(shù)中，功率放大器（PA）是實(shí)現(xiàn)高效能信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。Qorvo推出的QPM2239是一款高性能的13-15.5
2024-11-05 10:14:06
美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:442262 2014年9月26日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）與功率轉(zhuǎn)換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵（GaN）的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。
2014-09-26 19:42:001351 北卡羅納州 – 2015年3月17日-推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN），和功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立
2015-03-19 14:28:433009 國產(chǎn)高效GaN微波功率模塊，HEG001D、HEG205B等。針對(duì)寬帶、高功率微波系統(tǒng)及有源相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模塊，采用先進(jìn)的平面內(nèi)匹配合成技術(shù)，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:53
14 麥姆斯咨詢：2016年，全球功率GaN市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)達(dá)到了1400萬美元。相對(duì)于總規(guī)模達(dá)到驚人的300億美元的硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，功率GaN市場(chǎng)還顯得很微不足道。不過，功率GaN技術(shù)憑借其高性能和高頻解決方案適用性。
2017-12-29 15:07:5112533 
在最近的electronica China上，富士通剛剛展示了代理品牌Transphorm的氮化鎵（GaN）解決方案，可是讓好多現(xiàn)場(chǎng)觀眾駐足圍觀呢。
2019-04-16 18:13:235061 對(duì)于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)板來解決的。當(dāng)然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進(jìn)行對(duì)比，比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。
2019-09-08 09:44:437611 
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半導(dǎo)體和電子元件。根據(jù)協(xié)議，貿(mào)澤電子將分銷Transphorm的經(jīng)過JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET和評(píng)估工具。
2019-09-19 14:37:591264 首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn)，其客戶AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH發(fā)布了首批650 V GaN基電源。
2019-12-19 14:07:361898 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:164912 DN98-高集成高效DC/DC轉(zhuǎn)換
2021-04-27 11:39:027 大功率、高效μ模塊電源產(chǎn)品
2021-05-20 10:39:555 功率模塊包括IGBT模塊、MOSFET模塊、IPMs（智能功率模塊）和SIP模塊。功率模塊廣泛應(yīng)用于大功率逆變器應(yīng)用，如可再生能源轉(zhuǎn)換、電池備份系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、牽引和航運(yùn)。 對(duì)于高
2021-09-27 15:31:46927 適用于廣泛工業(yè)應(yīng)用的新型交流-直流功率模塊提供高壓GaN優(yōu)勢(shì)：更高的效率、更高的性能、更緊湊的尺寸?加州戈利塔--(美國商業(yè)資訊)--設(shè)計(jì)和制造擁有最高可靠性且唯一獲得認(rèn)證的高壓(HV)氮化鎵
2022-01-06 15:56:172 這家國際航空電子供應(yīng)商因GaN驅(qū)動(dòng)的更高功率密度而勝過競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加州戈勒塔--(美國商業(yè)資訊)--首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者
2022-01-11 10:52:211 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV
2022-01-16 11:05:005280 意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會(huì)議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺(tái)積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨(dú)特的設(shè)計(jì)和封裝專業(yè)知識(shí)
2022-08-03 10:44:571285 
在第一部分，我們研究了數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，并介紹了氮化鎵 (GaN) 功率 IC 及其在第二次電力電子革命中的作用。現(xiàn)在，讓我們看看數(shù)據(jù)中心本身內(nèi)支持 GaN 的高效硬件。 具有交流輸入的 GaN 對(duì)于
2022-08-04 09:35:211421 
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案，并提供應(yīng)用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:133008 
使用電源管理模塊有效控制 GaN 功率放大器的電源開關(guān)
2022-12-26 10:16:141436 
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:441434 近日，可靠性、高性能氮化鎵（GAN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)。
2023-02-06 10:15:232237 高效IPM（智能功率模塊）
2023-02-08 13:43:242057 
隨著社會(huì)壓力不斷增大，越來越多的立法要求減少二氧化碳的排放。這一趨勢(shì)推動(dòng)汽車、電信等行業(yè)加大投資，以提高電源轉(zhuǎn)換效率和電氣化水平。功率氮化鎵(GaN)技術(shù)不但表現(xiàn)出極大的性能優(yōu)勢(shì)，還能為各類功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來一系列優(yōu)勢(shì)，尤其是在電動(dòng)汽車中。
2023-02-09 09:35:30760 
白皮書：功率GaN技術(shù)：高效率轉(zhuǎn)換的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮書：功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 您可以通過多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:412479 
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。 該器件已
2023-06-16 18:25:041016 
與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN
2023-08-28 13:44:35585 
Transphorm在公告中表示，他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線，GaN器件可以實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽能系統(tǒng)，同時(shí)還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。Transphorm還表示，氮化鎵技術(shù)在全球光伏領(lǐng)域的市場(chǎng)空間將超過5億美元。
2023-08-30 16:42:342176 
Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導(dǎo)通電
2023-10-12 16:40:56976 電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首個(gè)集成型光伏（PV）系統(tǒng)采用
2023-10-16 16:34:151348 
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:031794 
專為大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，有助于加速氮化鎵半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10880 新設(shè)計(jì)工具有助于加速兩輪電動(dòng)車市場(chǎng)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，并幫助系統(tǒng)工程師充分利用SuperGaN FET的優(yōu)勢(shì) ? 2023 年 12 月 21 日 －全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商
2023-12-27 17:39:221521 
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議
2024-01-11 18:17:321642 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股
2024-01-12 14:11:581224 在科技領(lǐng)域的巨浪中，瑞薩電子以35%的溢價(jià)宣告了一項(xiàng)重磅收購。1月11日，瑞薩電子正式宣布與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議，按照協(xié)議的規(guī)定，瑞薩電子的子公司將以每股
2024-01-12 14:54:251402 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達(dá)成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購Transphorm，這一價(jià)格較Transphorm在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:331231 此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料）的內(nèi)部技術(shù)。
2024-01-19 11:32:57673 瑞薩電子近日宣布了一項(xiàng)重大收購，以每股5.10美元的價(jià)格收購美國氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元，相當(dāng)于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價(jià)，此次收購溢價(jià)約35%。
2024-01-23 15:53:211413 近日，無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動(dòng)電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
2024-06-12 10:24:241287 氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹基于GaN的IPM，目標(biāo)應(yīng)用包括
2024-06-17 11:32:132358 
2024年6月20日完成對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供
2024-06-21 13:59:301288 全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子近日宣布，已成功完成對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）的收購，此舉標(biāo)志著瑞薩電子在寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-06-22 14:08:351682 在全球半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的今天，瑞薩電子以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和果斷的行動(dòng)，成功完成了對(duì)氮化鎵（GaN）器件商Transphorm的收購，收購價(jià)高達(dá)3.39億美元。這一交易的完成，不僅標(biāo)志著瑞薩電子在GaN技術(shù)領(lǐng)域的重大突破，也為其在高壓電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的布局注入了新的活力。
2024-06-25 10:07:431037 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的GaN功率IC創(chuàng)新.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:59:040
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論