氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件。GaN功率器件技術在多個領域都具有廣泛的應用前景，可以提高系統效率、減小體積，并推動電力電子技術的發展。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇開幕大會上。英諾賽科歐洲總經理Denis Macron分享了《具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術》的主題報告，GaN功率器件使功率轉換系統（AC/DC、DC/DC等）比硅功率器件更小、更高效、更簡單，從而更便宜，從而徹底改變了功率半導體行業。然而，關于GaN功率器件仍然存在一些問題，比如它們非常昂貴，可靠性值得懷疑。

報告介紹了通過利用規模經濟，8英寸高通量制造晶圓廠完全致力于生產硅晶片上的8英寸GaN（即，相對于6英寸，每片晶片約2倍的器件），可以提供具有價格競爭力的GaN功率器件。

同時介紹了innoscience的最新可靠性結果，包括失效測試和壽命提取，這將消除關于GaN功率器件可靠性的最后一個懸而未決的問題。通過展示如何利用離散（InnoGaN) 和集成（SolidGaN) Innoscience GaN功率器件增強了AC-DC和DC-DC轉換器的性能，以最大限度地提高其效率，同時減小其尺寸。

審核編輯：劉清