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Transphorm發(fā)布240瓦電源適配器參考設計

加賀富儀艾電子 ? 來源:TransphormGaN氮化鎵 ? 2023-02-06 10:15 ? 次閱讀
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加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm布緊湊型240瓦電源適配器參考設計,該方案采用了高性能TO-220封裝氮化鎵功率管。

目前,同業(yè)競爭氮化鎵技術均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。采用符合產(chǎn)業(yè)標準的插件式封裝,電源能夠以更低的成本獲得功率密度優(yōu)勢。

近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。

TDAIO-TPH-ON-240W-RD設計方案采用了CCM升壓PFC+半橋LLC拓撲結構,功率密度高達30W/in3,最大功率轉換效率超過96%。

該設計使用了三個Transphorm的SuperGaN功率管 (TP65H150G4PS),該氮化鎵功率管的導通電阻為150毫歐,采用為業(yè)界所熟悉且深受信賴的三引腳TO-220封裝。

在使用PFC架構、較高電流的電源系統(tǒng)中,這種晶體管封裝形式具有出色的低壓線路散熱性能。

該參考設計旨在簡化并加速電源系統(tǒng)的開發(fā),適用于高功率密度的交直流電源、快充、物聯(lián)網(wǎng)設備、筆記本電腦、醫(yī)療用電源、以及電動工具等應用。

主要規(guī)格及特點

TDAIO-TPH-ON-240W-RD是一款240W 24V 10A交直流電源適配器參考設計,采用Transphorm的TP65H150G4PS氮化鎵功率管,搭配onsemi的市售NCP1654 CCM PFC控制器和NCP1399 LLC控制器。

使用一個25毫米的散熱器,該設計的功率密度超過了24W/in3。

基于不同的散熱器設計,功率密度可提高約25%,達到30W/in3。

如此高的功率密度和轉換效率主要得益于設計中使用了TO-220封裝的功率管。

目前,業(yè)界只有Transphorm提供這種封裝形式的高壓氮化鎵器件。

電源適配器以及所有通用交直流電源的低壓線路(即90Vac)具有高電流,需要并聯(lián)兩個PQFN封裝(常見于增強型氮化鎵器件)的功率管,以達到所要求的功率輸出——使用這種方法,器件數(shù)量翻倍,降低了電源的功率密度。

Transphorm的TO-220封裝有效解決了這一問題,以更低的成本實現(xiàn)卓越的功率密度,這是目前增強型氮化鎵器件無法做到的。

其它規(guī)格及特點還包括

可運行于90至264 Vac的寬輸入電壓下

峰值效率超過96%,不同電路及負載下效率曲線平坦

精準的開關頻率調(diào)節(jié),提高輸入EMI濾波器的利用率

超過180kHz的開關頻率,適用于緊湊型設計

此款新參考設計,豐富了Transphorm的適配器/快充設計工具組合。該產(chǎn)品組合目前包括五個開放式USB-C PD參考設計,功率等級覆蓋45瓦至100瓦,以及兩個用于65瓦和140瓦的開放式USB-C PD/PPS適配器參考設計。

uperGaN3e2e80f8-a4cc-11ed-bfe3-dac502259ad0.png的技術優(yōu)勢

在設計SuperGaN平臺時,Transphorm的工程團隊借鑒了以往產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的經(jīng)驗,將這些知識與對性能、可制造性和成本的改進相結合,進而開發(fā)出一個由專利技術組成的新GaN平臺。

該平臺在諸多方面均有實質(zhì)性的改進和極大的簡化,例如:

性能:更平坦、更高的效率曲線,品質(zhì)因數(shù)(RON*QOSS)提高約10%。

易設計性:在高輸出電流下, 開關節(jié)點不需增加緩沖電路。

成本:簡化器件組裝有助于降低成本。

穩(wěn)健性:業(yè)界領先的+/-20Vmax柵極穩(wěn)健性和4V抗干擾性能。

可靠性:業(yè)界領先的可靠性,在超過850億小時的現(xiàn)場應用中,F(xiàn)IT失效率<0.10。






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:Transphorm發(fā)布240瓦電源適配器參考設計,其高達96%的轉換效率是如何實現(xiàn)的?

文章出處:【微信號:Fujitsu_Semi,微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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