Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導體（下一代電力系統的未來）領域全球領先的企業。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合行業標準，也就是說SuperGaN TOLL FET可以用作任何電子模式TOLL解決方案的開箱即用型替代品。新器件還提供了Transphorm久經驗證的高電壓動態（開關）導通電阻可靠性，這在基于廠家的主要電子模式GaN產品中通常是缺乏的。

這三種表面安裝型器件（surface mount device，SMD）支持在1至3千瓦的平均范圍內運行的更高功率應用。這些電力系統通常出現在高性能領域，如計算（人工智能、服務器、電信、數據中心）、能源和工業（光伏逆變器、伺服電機）以及其他各類工業市場，這些市場目前在全球的GaN TAM價值25億美元。值得注意的是，FET是當今快速擴展的人工智能系統的最佳解決方案，這些系統依賴于需要高出傳統CPU十到十五倍功率的GPU。

Transphorm的高功率GaN設備已供應給各個領域的主要客戶，這些客戶使用這些設備為其生產中的高性能系統供電，其中包括數據中心電源、高功率競技PSU、UPSe和微轉換器。TOLL設備也可以支持這些應用，而基于電動汽車的直流-直流轉換器和車載充電器也可以支持，其中基礎的SuperGaN芯片已經通過了汽車（AEC-Q101）認證。

SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六種封裝類型，為客戶提供了最廣泛的封裝選擇，以滿足其獨特的設計要求。與所有Transphorm產品一樣，TOLL器件利用了常關d模式SuperGaN平臺帶來的固有性能和可靠性優勢。有關SuperGaN和e模式GaN之間的詳細競爭分析，請下載該公司最新的白皮書《d模式GaN在Cascode配置中的基本優勢》。該白皮書的結論與今年早些時候發布的一項正面比較一致。該比較顯示，在商用280 W游戲筆記本電腦充電器中，72毫歐姆的SuperGaN FET的性能優于較大的50毫歐姆的電子模式設備。

SuperGaN器件憑借以下優勢領先市場：

可靠性 < 0.03 FIT

閘門安全裕度 ± 20 V

抗噪性 4 V

電阻溫度系數（TCR）比e模式低20%

采用硅基控制器/驅動器中現成的標準驅動器和保護電路實現驅動器靈活性

設備規格

堅固耐用的650V SuperGaN TOLL器件已通過JEDEC認證。由于常關d模式平臺將GaN HEMT與低壓硅MOSFET配對，因此SuperGaN FET易于使用常用的現成柵極驅動器進行驅動。它們可以用于各種硬開關和軟開關AC到DC、DC到DC和DC到AC拓撲，以提高功率密度，同時降低系統尺寸、重量和總體成本。

可用性和支持資源

審核編輯 黃宇