氮化鎵(GaN)功率半導體技術為提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大貢獻。通過降低器件的寄生參數，以及采用更短的柵極長度和更高的工作電壓，GaN晶體管已實現更高的輸出功率密度、更寬的帶寬和更好的DC轉RF效率。

前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。

Transphorm TPH3205WSBQA （圖片來源：Transphorm）

3kW ZHR483KS采用Transphorm的GaN器件，效率達到98%，成為迄今為止電信行業(yè)效率最高的GaN驅動模塊。原始設計制造商（ODM）可以將提供標準化輸出連接器配置的ZHR483KS與現有的同功率模塊交換，從而以較低的總體系統(tǒng)成本實現高可靠性、高性能解決方案。

高可靠、高性價比助力打造電信行業(yè)新標桿

ZHR483KS是HZZH首個基于GaN的功率解決方案，也是新產品線的龍頭產品。該模塊的輸入電壓范圍為85伏至264伏，而其輸出電壓范圍為42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用于交錯無橋圖騰式PFC，以實現98%的半負載效率。GaN器件降低了功率模塊的開關損耗和驅動損耗，因此ZHR483KS的性能優(yōu)于以前使用超級結硅MOSFET的模塊。

HZZH首席技術官Guo博士表示：“我們在尋找一種功率晶體管，幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件，但在低電壓條件下無法達到預期優(yōu)勢。然后，我們審查了幾家GaN制造商的器件，最終鑒于可靠性、器件成本和實現簡單，我們選擇了Transphorm的GaN場效應晶體管（FET）。”

四大關鍵因素挖掘寬廣GaN“護城河”

Transphorm的GaN FET是一種雙芯片增強型場效應晶體管，可采用標準的TO-XXX封裝和普通現成驅動器驅動的PQFN模塊。當前的Gen III系列提供了GaN半導體行業(yè)最高閾值電壓（4V）和最高門穩(wěn)健性（±20V）。因此，客戶能夠輕松地設計出高可靠性的GaN解決方案，以實現該技術的高功率密度優(yōu)勢。

Transphorm亞洲區(qū)銷售副總裁Kenny Yim說：“Transphorm在開發(fā)每一代GaN平臺時都考慮了四個關鍵因素：可靠性、可驅動性、可設計性和可重復性。HZZH認為，我們的客戶打破市場需要這四個因素，因此選擇我們作為其GaN合作伙伴，于此，我們感到自豪。正是此次合作，我們的GaN被設計成各種不同的多千瓦電力系統(tǒng)，創(chuàng)造了行業(yè)記錄。我們預計，隨著我們未來在產品上的繼續(xù)合作，HZZH將繼續(xù)創(chuàng)新。”

ZHR483KS目前正在生產中。

關于Transphorm

富士通電子旗下代理品牌 Transphorm，是一家設計、生產氮化鎵功率轉換器和模塊的企業(yè)。 2007年成立，Transphorm以美國加州大學圣塔芭芭拉分校的教授和研究人員為主體，致力于設計、生產GaN（氮化鎵）功率轉換器和模塊，已獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰(zhàn)略合作伙伴在內的眾多投資機構的青睞。 2013年，Transphorm推出了當時業(yè)內唯一經過JEDEC認證的GaN器件，建立了業(yè)界第一個也是唯一通過JEDEC認證的600V GaN產品線。 2014年2月，Transphorm與富士通半導體的功率器件業(yè)務部進行了業(yè)務合并，Transphorm負責設計、富士通半導體負責制造并代理銷售。 2015年，Transphorm和安森美建立合作關系，共同推出基于GAN的電源方案。公司創(chuàng)立十多年來，Transphorm一直專注于將高壓GaN FET推向市場。致力于為電力電子市場（數據中心服務器、PV轉換器、感應/伺服電機、工業(yè)及汽車等商業(yè)供電市場）設計、制造和銷售GaN產品。 2017年3月，又推出了市場上僅有的一款經過AEC-Q101認證的650V車用GaN器件。