電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）在內存之后，閃存價格也開始暴漲。據韓國《電子時報》報道，三星電子今年第一季度要將NAND閃存的供應價格上調100%以上，這一漲幅遠超市場預期，凸顯了當前存儲芯片市場嚴重的供需失衡情況。

有多家機構分析認為，AI浪潮所帶來的內存市場價格上漲已經波及全球，并且還將繼續(xù)影響2026年供應鏈和消費市場。

存儲芯片迎來超級周期

不久前，三星電子、SK海力士等存儲頭部企業(yè)一季度的服務器DRAM價格已經上漲了60%-70%。有知情人士透露，三星電子于去年年底完成了與主要客戶的供應合同談判，并從1月起正式實施新的價格體系。

目前，該公司已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

從市場情況來看，據TrendForce報告，2026年第一季度，DRAM合同價格預計環(huán)比上漲55-60%，NAND閃存價格預計上漲33-38%。

一些報告顯示，DRAM現貨價格已上漲約40-50%，甚至在某些市場達到170%的漲幅。 NAND閃存也隨之水漲船高，導致SSD等存儲產品價格持續(xù)攀升。 整體來看，這種上漲趨勢從2025年底開始加劇，并可能持續(xù)到2027年。

而NAND價格之所以快速攀升，有業(yè)內人士認為主要原因有兩點，一方面在于需求的持續(xù)擴大。伴隨著AI基礎設施投資的增加，企業(yè)級固態(tài)硬盤需求在顯著增長。

例如OpenAI等公司已占據全球DRAM供應的約40%。 這使得內存制造商（如三星、SK海力士、美光）將生產重點轉向AI相關產品，擠壓了消費級市場的供應。

另一方面，移動設備和PC也在加快搭載高性能、大容量的存儲方案。尤其是在終端設備直接進行AI運算的邊緣側AI趨勢的推動下，對于高規(guī)格存儲的需求也在進一步放大。

值得注意的是，HBM正在吞噬整個DRAM產能。一方面在于HBM價格是普通DRAM的5-10倍。并且制造復雜度極高，同樣一片晶圓，HBM產出要比普通DRAM少甚多。

因此對于廠商的理性選擇，就是將有限的晶圓，全部優(yōu)先供給HBM。路透社直接稱這一輪為memory super cycle（存儲超級周期），并表示影響將持續(xù)到2027年以后。

據市場機構Tom’s Hardware測算的一個驚人數字顯示，2026，全球約70%的內存產能將被數據中心吞掉，而剩下的30%才會分給PC、手機、工控及消費電子。

而到了NAND，主要是過去幾年市場實在太過慘烈，在2023、2024這兩年閃存市場嚴重過剩，導致價格崩盤。因此到了2025年，廠商開始主動削減QLC以及消費級NAND，轉向生產企業(yè)級SSD、AI存儲等產品。

但產能減的太過夸張，據Tom’s Hardware數據，一塊30TB的企業(yè)級SSD，在2025年第二季度價格約為3000美元，到了2026年一季度，已經漲到了11000美元，漲幅高達257%。而同期的HDD只漲了35%左右，導致SSD比HDD要貴上16倍。

此外，地緣政治和供應鏈中斷也加劇了市場的不確定性，但當前主要仍然是需求驅動。因此，三星電子、SK海力士此次將NAND再次上調100%，是看準了市場有價無市。

存儲缺口到底有多大？

想要具體量化DRAM和NAND的總缺口，是很難精確計算的。但我們可以進行大概的預估，尤其從去年下半年，市場開始傳出存儲即將缺貨的消息時，下游的企業(yè)開始明顯加大采購、提前囤貨。

有行業(yè)人士透露，大型模組廠實際拿到的顆粒，有時只有原需求量的30%–50%；拿到手的少，又怕后面拿不到，只能“有錢先囤”。而一些服務器內存、企業(yè)級SSD等高價值產品，被大量貿易商和資金方高價囤貨，賭原廠持續(xù)控產、價格持續(xù)攀升，這也進一步加劇了現貨市場的緊張。

從市場的供給來看，NAND Flash的bit供給增速在13%-18%，而需求增速則在18%-23%，也就是說即便在擴產的情況下，需求端每年仍比供給端多出約5個百分點左右的速度差。

而在DRAM市場，據Omdia的數據，2026年，三星、SK海力士、美光三大DRAM廠的晶圓總產出預計同比增長約5%，達到約1800萬片（等效 12 英寸）。而DRAM的需求增速在20%-25%，而供應增速則在15%-20%。

與此同時，北美的云廠商從2025年底開始，便提前鎖定2027年供貨產能，用捆綁式談判來鎖定采購量及價格條件，例如鎧俠在2025年的NAND產能已經全部售罄。這些云廠商拿到了幾乎所有的新增bit供給，這意味著哪怕產能上升，也沒有PC、手機、嵌入式等應用的份額。

從產業(yè)鏈調研的實際情況來看，大型模組廠實際拿到的顆粒，僅相當于原先需求的30%-50%。很多手機、PC 品牌廠今年能拿到的供應量，也只有原本計劃的50%-70%。但有趣的是，AI和服務器市場已預售大部分產能，甚至2026年的HBM內存已售罄。

供應的減少只能導致產品成本的上升，有PC OEM表示，內存成本占整個BOM比例已經從過去的15%-18%來到了35%-40%。

例如NAND閃存，消費級產品被大幅減產能，而企業(yè)級/AI存儲需求則飽滿，目前數據中心的SSD交期已經普遍來到了6-9個月，部分型號甚至要排到2027年。對此，IDC判斷，這輪閃存的緊張至少要持續(xù)到2027年。

大摩則認為，存儲成本壓力會導致大多數OEM廠商在2026年上半年大幅提價，繼而導致安卓手機和Windows PC全年出貨量下滑。此外硬盤的供應短缺加劇，未來12個月供需缺口有可能擴大至200EB。

那么這一輪存儲超級周期的行業(yè)要持續(xù)到什么時候才能結束呢？從整個市場行情來看，暫時還不明朗。一個是市場急需的HBM擴產很慢，新產線投入周期在18-24個月。第二是AI需求也沒有減速的跡象，盡管美國業(yè)界已經在提醒AI泡沫，但目前來看還為時尚早。

總結

本輪的內存和閃存價格的暴漲，本質上是AI基建的快速擴張吃掉了絕大多數的新增產能，加上原廠的主動控制和分類供給，以及渠道商的恐慌性囤貨導致的結構性短缺。行業(yè)普遍預期這輪存儲超級周期將維持到2027年，同時價格中樞整體抬升，但是漲速可能會在之后的幾個季度逐步趨緩。