人工智能（AI）芯片缺貨，英偉達(dá)H100和A100芯片均采用臺積電CoWoS先進(jìn)封裝，但CoWoS產(chǎn)能受限待爬坡。法人分析，CoWoS封裝所需中介層因關(guān)鍵制程復(fù)雜、高精度設(shè)備交期拉長而供不應(yīng)求，牽動CoWoS封裝調(diào)度及AI芯片出貨。

大語言模型訓(xùn)練和推理生成式AI（Generative AI）應(yīng)用，帶動高端AI服務(wù)器和高性能計算（HPC）數(shù)據(jù)中心市場，內(nèi)置集成高帶寬內(nèi)存（HBM）的通用繪圖處理器（GPGPU）供不應(yīng)求，主要大廠英偉達(dá)（Nvidia）A100和H100繪圖芯片更是嚴(yán)重缺貨。

研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）指出，AI及HPC芯片對先進(jìn)封裝技術(shù)需求大，其中以臺積電的2.5D先進(jìn)封裝CoWoS技術(shù)，是目前AI芯片主力采用者。

美系外資法人分析，英偉達(dá)是采用臺積電CoWoS封裝的最大客戶，例如英偉達(dá)H100繪圖芯片采用臺積電4納米先進(jìn)制程，A100繪圖芯片采用臺積電7納米制程，均采用CoWoS技術(shù)，英偉達(dá)占臺積電CoWoS產(chǎn)能比重約40%至50%。

至于英偉達(dá)8月上旬推出的L40S繪圖芯片，未采用HBM內(nèi)存，因此不會采用臺積電CoWoS封裝。

產(chǎn)業(yè)人士指出，通用繪圖處理器采用更高規(guī)格的高帶寬內(nèi)存，需借由2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)將核心晶粒（die）集成在一起，而CoWoS封裝的前段芯片堆棧（Chip on Wafer）制程，主要在芯片廠內(nèi)通過65納米制造并進(jìn)行硅穿孔蝕刻等作業(yè)，之后再進(jìn)行堆棧芯片封裝在載板上（Wafer on Substrate）。

不過臺積電CoWoS封裝產(chǎn)能吃緊，在7月下旬法人說明會，臺積電預(yù)估CoWoS產(chǎn)能將擴(kuò)張1倍，但供不應(yīng)求情況要到明年底才可緩解。臺積電7月下旬也宣布斥資近新臺幣900億元，在竹科轄下銅鑼科學(xué)園區(qū)設(shè)立先進(jìn)封裝芯片廠，預(yù)計2026年底完成建廠，量產(chǎn)時間落在2027年第2季或第3季。

英偉達(dá)首席財務(wù)官克芮斯（Colette Kress）在8月24日在線上投資者會議透露，英偉達(dá)在CoWoS封裝的關(guān)鍵制程，已開發(fā)并認(rèn)證其他供應(yīng)商產(chǎn)能，預(yù)期未來數(shù)季供應(yīng)可逐步爬升，英偉達(dá)持續(xù)與供應(yīng)商合作增加產(chǎn)能。

美系外資法人集成AI芯片制造的供應(yīng)鏈消息指出，CoWoS產(chǎn)能是AI芯片供應(yīng)產(chǎn)生瓶頸的主要原因，亞系外資法人分析，CoWoS封裝產(chǎn)能吃緊，關(guān)鍵原因在中介層供不應(yīng)求，因為中介層硅穿孔制程復(fù)雜，且產(chǎn)能擴(kuò)展需要更多高精度設(shè)備，但交期拉長，既有設(shè)備也需要定期清洗檢查，硅穿孔制程時間拉長，因此牽動CoWoS封裝調(diào)度。

法人指出，除了臺積電，今年包括聯(lián)電和日月光投控旗下硅品精密，也逐步擴(kuò)展CoWoS產(chǎn)能。

臺廠也積極布局2.5D先進(jìn)封裝中介層，臺積電在4月下旬北美技術(shù)論壇透露，正在開發(fā)重布線層（RDL）中介層的CoWoS解決方案，可容納更多高帶寬內(nèi)存堆棧；聯(lián)電在7月下旬說明會也表示，加速展開提供客戶所需的硅中介層技術(shù)及產(chǎn)能。

美系外資法人透露，臺積電正將部分硅中介層（CoWoS-S）產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至有機(jī)中介層（CoWoS-R），以增加中介層供應(yīng)。

日月光投控在7月下旬說明會也表示，正與芯片廠合作包括先進(jìn)封裝中介層組件；IC設(shè)計服務(wù)廠創(chuàng)意去年7月指出，持續(xù)布局中介層布線專利，并支持臺積電的硅中介層及有機(jī)中介層技術(shù)。