DeepSeek的突破性進展，讓中國在AI產業領域似乎迅速縮小了和美國的差距，然而整個國產大模型的運行仍高度依賴英偉達的芯片支持。盡管國產GPU設計能力迅速提升，但隨著臺積電對中國大陸的供應限制，高端GPU的國產化制造成為中國AI產業發展的關鍵挑戰，尤其是CoWoS先進封裝制程的自主化尤為緊迫，目前中國大陸產能極少，且完全依賴進口設備，這一瓶頸嚴重制約著國產AI發展進程。在此背景下，普萊信智能開發的Loong系列TCB設備，通過與客戶的緊密合作，率先完成了國產AI芯片的CoWoS-L測試打樣，實現了國產TCB設備在AI芯片CoWoS封裝領域的首次突破。

CoWoS封裝——AI芯片高密度集成的基石

隨著AI大模型、自動駕駛、高性能計算（HPC）的爆發式增長，傳統芯片封裝技術已無法滿足算力密度和能效比的需求。臺積電推出的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技術，通過將邏輯芯片、高帶寬內存（HBM）、硅中介層等異構元件三維堆疊集成，成為AI芯片的“終極封裝方案”。其核心優勢在于：

1、超高密度互聯：利用硅中介層實現微米級TSV（硅通孔）互連，布線密度較傳統2D

封裝提升10倍以上，突破數據傳輸瓶頸；

2、極致能效比：HBM與GPU/ASIC芯片的“近存計算”架構，將數據傳輸功耗降低50%，顯著提升能效比；

3、卓越異構集成能力：突破傳統封裝限制，支持多芯片、多工藝節點（如7nm邏輯芯片+40nm硅中介層）混合封裝，為芯片設計提供更大自由度。

TCB設備——CoWoS封裝的心臟與技術制高點

在CoWoS封裝流程中，熱壓鍵合（Thermal Compression Bonding, TCB）是決定良率與性能的核心環節。其作用包括：

1、精準連接：以微米級精度將芯片與中介層或基板對準，通過熱壓實現銅柱凸點（Cu Pillar）的共晶鍵合；

2、熱應力控制：在高溫高壓下平衡芯片翹曲，避免微裂紋或界面分層；

3、多層堆疊：支持HBM與邏輯芯片的多次鍵合，確保信號完整性。

應用于CoWoS封裝的熱壓鍵合（TCB）設備，精度要求極高，通常不低于±1.5μm，甚至新一代的TCB設備，精度要求達到亞微米，要在這種對溫度、壓力嚴格控制環境下，實現穩定的精度和力控，全球現在只有國際少數幾家半導體設備巨頭能生產TCB設備，如新加坡ASM Pacific、美國Kulicke & Soffa，韓國Hanmi等。同時，隨著AI芯片尺寸增大（如英偉達GB200芯片達130×90mm），設備需支持更大鍵合面積、更高精度及多芯片同步對準，及對無助焊劑封裝的要求，Fluxless的鍵合與自適應翹曲補償技術成為未來趨勢。

全球CoWoS市場爆發式增長，中國需求激增與產能瓶頸并存

據Yole Développement預測，2023年全球CoWoS封裝市場規模已突破35億美元，未來三年將以年均42%的復合增長率快速擴張，預計2026年市場規模將超100億美元。其中，AI芯片貢獻超70%需求——僅英偉達H100/H200、AMD MI300X等旗艦產品，單顆芯片即需1-2片CoWoS中介層，而2024年全球AI芯片出貨量預計達150萬顆，拉動CoWoS產能缺口持續擴大。

中國作為全球AI芯片第二大市場，CoWoS封裝需求正急速攀升：華為昇騰910B、寒武紀思元590、壁仞BR100等國產AI芯片已進入CoWoS量產階段，單顆芯片中介層需求達2-4片；互聯網巨頭（如百度、阿里）自研AI芯片亦加速導入CoWoS。

據測算，2024年中國大陸CoWoS封裝市場規模將達8億美元，2026年有望突破25億美元，年增長率超70%。但核心瓶頸在于包括TCB設備在內的關鍵設備100%依賴進口，且美國可能將高端TCB設備納入對華半導體設備禁令，導致產能擴張計劃面臨“無米之炊”風險。

美國禁令倒逼國產化，TCB設備成AI芯片制造破局關鍵

美國商務部工業與安全局（BIS）已將CoWoS相關技術列為“重點關注領域”，若對TCB設備實施出口管制，中國大陸先進封裝產線或將陷入停滯。例如：ASM Pacific已暫停向部分中國客戶供應TCB系列設備；Besi的LAB設備對中國客戶實施“逐案審查”。在此背景下，TCB設備國產化不僅是商業需求，更是AI芯片供應鏈安全的生死線。

3月26-28日，SEMICON China展會期間，普萊信（展位號：N1-1285）將攜TCB熱壓鍵合機Loong（國產唯一HBM/CoWoS鍵合設備）、巨量轉移式板級封裝設備XBonder Pro、高速夾焊系統Clip Bonder、多功能超高精度機DA403等亮相。

審核編輯 黃宇