国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

SK海力士全球首次在移動端DRAM制造上采用HKMG工藝

廠商快訊 ? 來源:SK海力士 ? 作者:SK海力士 ? 2022-11-11 10:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SK海力士全球首次在移動端DRAM采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”*工藝,成功研發出了LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X),并于近期開始正式銷售。

*HKMG(High-K Metal Gate):在DRAM晶體管內的絕緣膜上采用高K柵電介質,在防止漏電的同時還可改善電容(Capacitance)的新一代工藝。不僅可以提高內存速度,還可降低功耗。

這款產品可在固態技術協會(JEDEC,Joint Electron Device Engineering Council)規定的超低電壓范圍(1.01~1.12V)內運行,功耗也比上一代產品減少了25%,從而實現了業界最高能效。

移動端DRAM又稱作LPDDR,其中的LP代表“LowPower(低功耗)”。可見低功耗是最關鍵的因素。移動設備的電量有限,為了延長產品的使用時間,就必須盡可能地降低電耗。

這就是內存產品在加快速度的同時,也注重低功耗的原因。SK海力士推出的LPDDR5X產品,在移動端DRAM中首次引入了HKMG工藝,在提高產品性能的同時降低了電耗,可謂是一箭雙雕。

LPDDR5X的功耗變低,意味著采用LPDDR5X的移動設備充一次電可使用時間更長。消費者使用的電力也將隨之大大減少,與SK海力士一貫堅持的ESG經營理念一脈相承。此外,本次SK海力士成功研發的LPDDR5X的速度比上一代產品加快了33%,可達8.5Gbps。

SK海力士率先在LPDDR產品采用HKMG工藝的舉動引起了業界的不少關注。有業內人士評價稱,SK海力士再一次憑借大膽的挑戰,取得了驚人的成果。SK海力士團隊到底都是何方“神圣”,可以如此不斷突破極限,打造卓越產品?

本期,SK海力士新聞中心采訪了成功研發LPDDR5X的“大神”們——Mobile & Auto策劃團隊的李在赫TL(Technical Leader)、功能器件(Function Device)團隊的南基奉TL 、Canopus LPD5 PE團隊的趙誠權PL(Project Leader)、設計品質創新團隊的金顯承TL和MCP/MO Enablement團隊的李旭宰PL,來聽聽他們在研發過程中的一些幕后花絮,感受他們的挑戰精神。

237487309031.584531610999346552.99.png

▲SK海力士實現世界最早、最高成就的LPDDR研發歷程不斷實現了更快的運行速度和更低的功耗

LPDDR(Low Power Double Data Rate)被稱為移動端DRAM,主要用于智能手機、筆記本、平板電腦等無線電子產品。與一般DRAM相比,LPDDR具有體積小、功耗低的優勢,可以減小無線電子產品的體積,并延長使用時間。近來,智能手機等市場對移動設備的需求激增,進一步助推了LPDDR的快速發展。隨著人們愈發強調環境因素,低功耗的LPDDR備受青睞。

1098610346347.4445354932554639.5497.png

▲ LPDDR5X的速度較LPDDR5提升了33%,僅1秒就可以下載13部5GB大小的視頻

SK海力士緊跟市場趨勢,不斷深耕LPDDR的研發。繼去年成功量產業界最高容量的18GB LPDDR5后,今年再次成功研發出業界最快的LPDDR5X(4266MHZ/8.5Gbps),向外界證明了公司在存儲器半導體領域的領先地位。本期內容中,我們聆聽一下研發和銷售卓越的產品,引領著半導體生態圈的SK海力士主角們。

1206551210814.55081649088896325.2192.png

▲ 五位LPDDR5X開發主角正在笑著回憶以往的故事(從左到右,南基奉TL、趙誠權PL、金顯承TL、李在赫TL、李旭宰PL)

揭曉全球最快的LPDDR5X的研發過程

有句玩笑說:“只有嚴刑逼問外星人才能獲得半導體技術”,可見其難度之大。想成功研發新一代半導體產品并實現量產,需要策劃、設計、生產、銷售等眾多成員的共同努力。負責產品策劃的李在赫TL回想起LPDDR5X的策劃過程,這樣說道:“一般來說,新一代產品的策劃在數年前開始。在策劃LPDDR5X時,實現8.5Gbps的產品規格實屬不易。當時,各個相關部門也是議論紛紛。但我們卻很有信心,這種信心讓我們最終在目標期間內成功完成業界最快、最低功耗的LPDDR5X。”

598375136382.1511351903198195.74585.jpg

▲李在赫TL面帶笑容,向我們敘述LPDDR5X的策劃過程

如今,研發團隊可以笑容滿面地從容講述LPDDR5X的研發過程,但在先前攻堅克難的階段,他們卻吃了不少苦頭。負責LPDDR5X產品設計的金顯承TL回憶道:“技術研發真是要過五關、斬六將,每天都在苦思冥想該如何進一步提高速度、減少功耗。相關會議也是無休無止。”

179230310779.560971236321809029.4412.jpg

▲金顯承TL敘述成功研發LPDDR5X的幕后故事

金顯承TL總結出了在重重困難下依舊成功研發出LPDDR5X的理由:“在我看來,LPDDR5X的成功得益于自由的研發氛圍。其實,開發LPDDR這樣的衍生產品時,我們一般不會大幅度地修改電路。但這次的工作環境相對自由,所以在設計過程中,我們也自由地嘗試修改電路或采用新技術等等。我覺得這種自由的工作氛圍和采用新技術的挑戰精神,是本次項目成功的一大重要因素。”

在LPDDR5X的研發過程中,團隊需要考慮的不僅僅是如何提高產品的運行速度。LPDDR產品主要用于智能手機市場,鑒于該市場周期性地上市新產品,需要及時跟進市場時機成功推出LPDDR5X。

負責產品工程的趙誠權PL在當時也因這一問題倍感壓力。但在攻堅克難后,他跟我們分享了自己的成功經驗:“我們要緊跟智能手機新品開發進度推出并提供產品,才能夠確保產品的競爭力。這樣的條件給我們帶來了較大的心理負擔。最終,我們能在限定的時間內及時推出LPDDR5X,更使其生產良率領先于先前負責的所有產品,這讓我更為自豪。”

1504722152204.0957177718526481.43768.jpg

▲趙誠權PL(從右數第二位)向我們講述研發時的受壓心境

在產品測試過程中,研發團隊也遇到了各種始料未及的難題。南基奉TL負責設計半導體制造的許多工藝流程(PI,Process Integration),他說:“LPDDR5X的研發過程中,我們也遇到了許多意料之外的問題。但每次問題出現,相關部門都會攜手合作,一起分析原因并尋找解決方案。正是同事們的這種積極態度,造就了LPDDR5X的成功研發。”

LPDDR5X的環保特性賦能愈發重要的ESG經營

SK海力士推出的LPDDR5X不僅速度快,還可以在JEDEC*指定的超低電壓范圍(1.01~1.12V)內運行,比前一代產品減少了25%的功耗。

*JEDEC:固態技術協會(Joint Electron Device Engineering Council), 規定半導體標準規格的機構。

在LPDDR5X研發過程中,SK海力士切實踐行了ESG經營理念。李在赫TL說道:“除了延長移動設備的使用時間,我們還考慮了ESG因素,試圖顯著減少電子產品的電力消耗。這種努力并沒有白費,LPDDR5X相較于上一代產品,可節省25%的功耗。”

1314149722750.2291578673221125.357.jpg

▲李旭宰PL重點強調LPDDR5X的低功耗特點

李旭宰PL補充道:“比起搭載上一代產品的智能手機,采用LPDDR5X的智能手機有更長的續航時間。這意味著,消費者充一次電可以使用更長時間。換句話說,充電次數減少了,耗電量也就減少了,也從而起到了減碳的作用。”

此外,為進一步加強SK海力士的ESG經營,許多人認為公司員工需采取更積極的態度去實踐ESG價值。對此,李在赫TL表示:“在產品研發過程中,我們從策劃階段就要積極考慮ESG因素,只有這樣,在實際開發過程中才可以切實落實ESG價值。”

趙誠權PL也說道:“從設計到產品策劃,我們在所有研發階段都積極實踐ESG價值。比如在測試產品時,我們會盡量縮短測試時間,設計階段也盡量考慮產品以最低電耗運行等。”

“挑戰精神可以打造更強的SK海力士”

速度更快、功耗更低的LPDDR5X是SK海力士員工們經過不斷思考、付出辛勤汗水后結出的碩果。負責營銷的李旭宰PL告訴我們,包括系統級芯片(SoC,System on Chip)企業在內的眾多客戶對SK海力士新推出的LPDDR5X產品都贊不絕口。“LPDD5X可以減少20%以上的電耗,客戶對此的反饋也相當不錯,這真的讓我們覺得很欣慰。”

1608379837857.5889853705791082.1016.jpg

▲南基奉TL(中間)在展望SK海力士的積極未來

SK海力士的員工們對未來逐步升級的下一代半導體產品也充滿了希望。他們對研發更快、更強的半導體頗具信心。南基奉TL信心滿滿地說道:“根據我在SK海力士工作的經驗,研發初期,我們總會遇到很多阻礙,總覺得‘怎么就這么難?’但只要躍過幾次高墻,后邊的攻關就容易多了。我們今天躍過了LPDDR5X這一高墻,明天就能躍過更高性能產品的高墻。”

最后,金顯承TL強調稱,SK海力士的員工需要有挑戰精神。他說:“我有句話想囑咐給晚輩同事們。作為引領半導體產業發展的SK海力士成員,我們必須要有挑戰精神,樹立更高更遠的目標。我們要從多個不同的方面考慮,看看有沒有更好的創意,并不停地進行各種挑戰。我相信,只要我們不斷挑戰新的東西,最終真的可以研發出只有外星人才能研發的半導體產品。”

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關注

    關注

    41

    文章

    2393

    瀏覽量

    189136
  • SK海力士
    +關注

    關注

    0

    文章

    1007

    瀏覽量

    41619
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SK海力士與閃迪公司啟動HBF全球標準化制定工作

    SK海力士(或‘公司’)26日宣布,于當地時間25日美國加利福尼亞州米爾皮塔斯的閃迪公司總部,與閃迪公司聯合舉辦“HBF規格標準化聯盟啟動會”,正式發布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF(High Bandwidth
    的頭像 發表于 02-28 16:23 ?205次閱讀

    KV緩存黑科技!SK海力士“H3存儲架構”,HBM和HBF技術加持!

    據韓國經濟日報報道,SK海力士近日IEEE(電氣與電子工程師協會)全球半導體大會上發表論文,提出了一種全新的存儲架構。據悉,該架構名為“H3(hybrid semiconductor
    的頭像 發表于 02-12 17:01 ?6419次閱讀
    KV緩存黑科技!<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>“H3存儲架構”,HBM和HBF技術加持!

    SK海力士HBS存儲技術,基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

    電子發燒友網綜合報道,據韓媒報道,存儲行業巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發的這項HBS技術采用
    的頭像 發表于 11-14 09:11 ?3233次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS存儲技術,基于垂直導線扇出VFO封裝<b class='flag-5'>工藝</b>

    SK海力士發布未來存儲路線圖

    Stack AI Memory Creator)轉型的戰略新愿景,迎接下一個AI時代之前,SK 海力士能深化其角色。 ? 郭魯正指出,AI的加速應用導致信息流量爆炸性增長,但存儲性能未能與處理器進步保持
    的頭像 發表于 11-08 10:49 ?3487次閱讀

    SK海力士ZUFS 4.1閃存,手機AI運行時間縮短47%!

    電子發燒友網綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應其全球率先實現量產的移動NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ?
    的頭像 發表于 09-19 09:00 ?3842次閱讀

    SK海力士宣布量產HBM4芯片,引領AI存儲新變革

    人工智能(AI)技術迅猛發展的當下,數據處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產品
    的頭像 發表于 09-16 17:31 ?1799次閱讀

    SK海力士321層4D NAND的誕生

    SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續創新,NAND閃存(NAND Flash,以
    的頭像 發表于 07-10 11:37 ?1725次閱讀

    SK海力士微細工藝技術領域的領先實力

    SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術的支撐,其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理,SK海力士
    的頭像 發表于 07-03 12:29 ?1855次閱讀

    SK海力士HBM技術的發展歷史

    SK海力士鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其
    的頭像 發表于 06-18 15:31 ?2015次閱讀

    SK海力士宋清基TL榮庸發明日銅塔產業勛章

    SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發明日紀念儀式”,來自HBM開發部門的宋清基TL榮庸銅塔產業勛章。
    的頭像 發表于 06-03 09:36 ?1143次閱讀

    SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者

    近年來,SK海力士屢獲創新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)”。無論是創下歷史最佳業績、開發出全球領先產品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲
    的頭像 發表于 05-23 13:54 ?1548次閱讀

    SK海力士UFS 4.1來了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存

    。該產品具備全球領先的順序讀取性能與低功耗特性,專為側AI進行優化;產品厚度減薄15%,適用于超薄旗艦智能手機。 ? SK海力士表示:“為了
    的頭像 發表于 05-23 01:04 ?8722次閱讀

    HBM重構DRAM市場格局,2025年首季DRAM市占排名

    增長42.5%至267.29億美元,環比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是,2025年一季度,SK海力士憑借HBM領域的絕對優勢,終結三星長達四十多年的市場統治地位,以36.7%
    的頭像 發表于 05-06 15:50 ?1448次閱讀
    HBM重構<b class='flag-5'>DRAM</b>市場格局,2025年首季<b class='flag-5'>DRAM</b>市占排名

    英偉達供應商SK海力士盈利大增158%

    得益于AI需求的有力推動;高帶寬內存(HBM)需求持續暴漲,這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據SK海力士公布的財務業績數據顯示,
    的頭像 發表于 04-24 10:44 ?1508次閱讀

    SK海力士強化HBM業務實力的戰略規劃

    隨著人工智能技術的迅猛發展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現了顯著的增長,為SK海力士去年實創下歷史最佳業績做出了不可或缺的重要貢獻。業內普遍認為,SK
    的頭像 發表于 04-18 09:25 ?1255次閱讀