據韓媒每日經濟報導，三星平澤2號產線正在進行地下結構工程，決定投資興建平澤半導體廠2號產線，欲生產DRAM，預計將在2019年底完工，2020年正式啟用投產。

2018年原廠三星、東芝/西部數據、美光/英特爾、SK海力士等不僅在96層和QLC創新技術上展開激烈競爭，更是在投資、建廠、擴產等方面拉開戰局。然而，由于NAND Flash市場供過于求，價格大跌，影響原廠獲利，為了改變市況，Flash原廠在2018年底不得不采取減少產出，或減緩投資計劃等策略。

不僅僅是NAND Flash，DRAM市場也是供過于求，未來DRAM仍存在較大的市場跌價風險。三星電子總計投資30兆韓元(約267億美元)，欲建設全球最大半導體生產基地。目前平澤1-1產線生產NAND Flash，1-2產線生產DRAM。三星擴大DRAM產能，是為了擴大市占率。

另一方面，市場經過一定時間的供需調整，再加上2019年新一代的旗艦機產品紛紛推出，尤其是三星、華為、OPPO、小米等5G手機、折疊手機等引爆市場商機，且搭載的Mobile DRAM容量向12GB升級，NAND Flash容量提高到1TB，將對存儲芯片需求快速增加。

三星曾表示，2019年首季因為處于淡季，需求會有所下滑，但第2季DRAM的庫存調整結束后，預計市場需求就會逐漸恢復，再加上第二季度新CPU的推出，服務器高容量DRAM需求增長穩定，將帶動DRAM需求在Q2增加。

在NAND Flash方面，原廠96層3D NAND技術將單顆Die容量提升到1Tb，2019年NAND Flash供應會持續增加，為了避免再現供過于求的窘境，三星推出的Galaxy S10系列將容量升級到1TB容量，開啟旗艦機配置新標桿，推動市場需求增加。