據快科技，最近Intel、美光、西部數據、東芝紛紛宣布了各自(或合作)在96層堆疊閃存、QLC閃存方面的進展，而作為全球第一大閃存廠商的三星電子也不甘示弱，早先已經宣布量產96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會在年內推出全球第一款32TB超大容量SSD。

三星去年剛量產64層堆疊第四代V-NAND，而最新的第五代堆疊層數增加了一半，減少了晶圓上的物理X、Y尺寸，性能和功率更高，并首次采用Toggle DDR 4.0接口，數據傳輸率可達1.4Gbps，比上代提升40％。

按照三星的設想，3D堆疊閃存未來能超過200層。

三星還透露，已經首發容量達1Tb(128GB)容量的3D TLC閃存顆粒，數據傳輸率1.2Gbps，并支持32顆堆疊封裝，從而實現4TB的單顆容量。

三星未來的PM1643系列SSD就將采用這種顆粒，最大容量能做到32TB(只需八顆芯片)，只需4U空間就能實現以往兩個機柜的存儲容量。

這種新硬盤將采用2.5寸規格、SAS接口，號稱隨機讀取性能比上代產品提升2.5倍，面向數據中心企業市場。

東芝/西數日前宣布的96層堆疊QLC閃存可以做到單個封裝芯片2.66TB的容量，八顆也能實現20TB以上的SSD。

此外，三星還將面向消費級市場推出QLC SSD，SATA接口，持續讀寫性能540MB/s、520MB/s，但具體型號、規格、時間未公布。

理論上，QLC SSD可以輕松做到5TB乃至是10TB的大容量，但首發肯定不會這么大，畢竟要考慮消費者的承受能力，不過照此趨勢下去，256GB、512GB SSD明年就能遍地走了。