硫系化合物隨機存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結構是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質.
2012-04-27 11:05:09
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英特爾與美光科日前發表新型非揮發性內存技術──3D XPoint，該種內存號稱是自1988年NAND閃存芯片推出以來的首個新內存類別，能徹底改造任何設備、應用、服務，讓它們能快速存取大量的數據，且現已量產。
2015-07-31 09:36:552057 近日，在美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相變存儲）技術固態硬盤的性能數據。美光在大會上展示，相較于
2016-08-12 13:59:381518 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據中科院網站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 ）、氧化物電阻存儲器（OxRAM）。Rambus公司的杰出發明家和營銷方案副總裁Steven Woo說：“經典存儲架構中有一個需要填補的空白。這些新型存儲器中有一兩種會生存下來，可能是3D XPoint
2017-02-21 11:05:473149 
目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這種環境下，業界試圖利用新材料和新概念發明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
通過3D堆疊技術將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
英特爾周一宣布，下一世代3D XPoint存儲器芯片的研發計劃，將轉移陣地至新墨西哥州廠。據新墨西哥州長Susana Martinez表示，英特爾變更布局將為當地帶來逾100個新工作機會。（usnews.com）
2018-09-12 11:33:263956 ，大多局限于利基市場。然而，2017年英特爾推出的基于3D XPoint(由Micron和Intel聯合開發的技術)的光學產品可以被視為在主流應用中采用新興NVM的決定性時刻。
2019-04-28 11:22:063487 Intel的傲騰系列閃存上因為使用了最新的3D XPoint閃存所以其速度和耐用性都給人留下了深刻的印象。而當年和Intel一起合作開發3D XPoint的美光在昨天也終于正式宣布推出自己的首款3D XPoint產品——X100。
2019-11-27 17:01:071214 當地時間3月16日，存儲器大廠美光宣布從即日起將停止對3D XPoint的開發，并出售其在猶他州Lehi的3D Xpoint晶圓廠，預計可在2021年底之前完成。
2021-03-19 09:19:587151 感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎上產生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點
2017-12-21 17:10:53
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎上產生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點，所以
2017-10-24 14:31:49
設計需求相變存儲器技術直接解決了當今電子系統的需求:密度隨著消費者，電腦和通訊電子系統的融合，所有電子系統中代碼均出現指數性增長，數據的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要，存儲器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
數據存儲架構發生變化，一個表現在QLC的大容量，另一個是3D Xpoint技術的高性能、低延遲。目前IBM云服務、騰訊數據中心分別采用傲騰和QLC技術，百度云人工智能更是結合了QLC和傲騰的優勢，達到
2018-09-20 17:57:05
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
閱讀哦。 一、存儲器卡 存儲器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器（EEPROM）為核心的，能多次重復使用的IC卡。沒有任何的加密保護措施 ，對于卡片上的數據可以任意改寫
2020-12-25 14:50:34
據新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數據不丟失等優點，被業界稱為下一代存儲技術的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統所獲悉，由該所研發的國際領先的嵌入式相變存儲器現已成功應用在打印機領域，并實現千萬量級市場化銷售，未來中國在該領域有望實現“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術的飛速發展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
擴展存儲器讀寫實驗的目的是什么？怎樣去設計一種擴展存儲器讀寫的電路？擴展存儲器讀寫實驗的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產品有別于競爭對手的產品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續增長，其復雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
是第一個推出1Tb級產品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發布的非易失性存儲器（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
怎么設計一種面向嵌入式存儲器測試和修復的IIP？如何解決設計和制造過程各個階段的良品率問題？嵌入式存儲器測試和修復技術的未來趨勢是什么？STAR存儲器系統的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
網絡存儲器技術是如何產生的？怎樣去設計一種網絡存儲器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一
2011-11-21 10:49:57
不同的應用對存儲器結構有不同的需求：在運行控制任務時，需要Cache 匹配速度差異；在處理數據流時，需要片內存儲器提高訪問帶寬。本文設計了一種基于SRAM 的可配置Cache/SRAM
2010-01-25 11:53:55
24 相變存儲器驅動電路的設計與實現摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅動電路的基本原理, 設計了一種依靠電流驅動的驅動電路, 整體電路由帶隙基準電壓源電路
2010-05-08 09:42:3343 摘要：磁電存儲器不僅存取速度快、功耗小，而且集動態RAM、磁盤存儲和高速緩沖存儲器功能于一身，因而已成為動態存儲器研究領域的一個熱點。文章總結了磁電
2006-03-24 13:01:372315 
相變存儲器技術基礎 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:551074 相變存儲器（PCM）技術基礎知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:033661 相變存儲器：能實現全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 光存儲器,光存儲器特點和常用類型有哪些?
光存儲器是由光盤驅動器和光盤片組成的光盤驅動系統,光存儲技術是一種通過光學的方法
2010-03-20 11:41:496823 存儲器卡,存儲器卡是什么意思
存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的，能多次重復使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073966 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371384 相變存儲器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術。PCM存儲單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:001261 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發性存儲器技術。透過比較PCM與現有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 英國研究人員最近報告說，他們研發出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設備，與現在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53652 長久以來，PC產業一直都在努力開發能夠填補RAM和硬盤之間速度差距的新技術。在去年，英特爾和鎂光聯合發布了一種名叫3D XPoint的中間技術。而在本周，與之相關的更多信息也得到了公布。
2016-10-20 10:58:401583 一種高可靠星載大容量存儲器的壞塊表存儲方案設計_李姍
2017-01-03 15:24:450 一種基于時鐘抽取偏置電壓技術的存儲器位線_楊澤重
2017-01-07 21:45:570 XPoint，打造出25年以來的首款新型態內存技術。2016年，英特爾發布采用3D XPoint技術的Optane品牌儲存產品 ，成為該技術最先上市的新一代高性能固態硬盤（SSD）系列。 根據TechInsights的材料分析，XPoint是一種非揮發性內存（NVM）技術。位儲存根據本體（bulk）
2017-09-18 19:39:004 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優勢，3D Xpoint被看做是存儲產業的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
耶魯大學和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發領域開展合作，目標是使具有潛在革命性的相變存儲技術更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術作為一種能改變游戲規則的新興技術，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001968 在3D存儲器選通管和高密度阻變存儲器及其集成技術的研究上開展合作，全力研發下一代3D存儲芯片，為早日實現存儲器芯片技術的國產化貢獻力量。
2018-06-11 01:15:002853 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產業的面貌。
2018-06-26 08:55:003838 據加拿大阿爾伯塔大學官網近日消息，該?？茖W家完善相關技術，研制出了迄今儲存密度最高的固態存儲器，其存儲能力相比目前計算機存儲設備提高了1000倍。
2018-08-05 10:42:475061 長江存儲科技公司表示，盡管仍采用3D分層，但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029 多年來，業界一直致力于各種新興存儲技術，包括納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有的已經開始出貨，有的還處于研發階段。這些新的內存類型各不相同，而且都是針對特定應用，但是它們都號稱可以取代當今系統內存/存儲器層次結構中的一個或多個傳統內存。
2018-08-27 09:19:005972 多年來，該行業一直致力于各種存儲技術的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發中。這些不同類型的存儲器都對應特定的應用領域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統型存儲。
2018-09-05 15:51:1210175 英特爾在當地時間周日開始出貨首批基于3D XPoint新技術的產品，希望借此重塑計算機內存市場，協助公司從科技行業的數據爆炸中獲得更多利潤。
2018-09-16 10:50:153653 根據紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿試驗區舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 新興存儲器(emerging memory)現在多指的是新的非揮發性存儲器，最主要包括相變半導體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054935 近期，美光正式宣布，對IM Flash Technologies，LLC（簡稱“IM Flash”） 中的權益行使認購期權。IM Flash是美光與英特爾的合資公司，主推市場上的新型存儲芯片技術3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418 技術確實降低了每千兆字節的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 新的技術出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲器外，還有鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
在3D NAND Flash大行其道的21世紀，當Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時候，市場掀起了軒然大波。據當時的介紹，3D Xpoint會比NAND Flash快1000倍，且壽命也會比其長1000倍。
2019-01-19 09:41:381340 近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術來替代傳統的存儲技術可以適應計算機技術發展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為
2019-03-19 15:43:0110827 
據介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數據兩種優點的存儲器，而目前通用的存儲器技術主要是動態隨機存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221675 據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:411115 物理學家設計了一種3-D量子存儲器，解決了實現長存儲時間和快速讀出時間之間的權衡，同時保持了緊湊的形式。新存儲器在量子計算，量子通信和其他技術中具有潛在的應用。
2019-09-12 11:39:233054 相變存儲器具有很多優點，比如可嵌入功能強、優異的可反復擦寫特性、穩定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402724 
長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經歷多年的研發，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰。
2019-11-29 15:39:053808 至于原因，東芝認為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術，現在市面上96層堆疊的閃存已經大量涌現，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 未來十年，存儲市場仍將繼續追求存儲的密度、速度和需求的平衡點。盡管各個廠家的技術側重點不盡相同，但鎧俠（原東芝存儲器）對 3D XPoint 之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:02:115268 
相變存儲器具有很多優點，比如可嵌入功能強、優異的可反復擦寫特性、穩定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:516097 在此前高調地宣布“分道揚鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應協議。分析人士指出，鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142525 目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯合研發的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:573525 
新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設計是成功制造非易失性存儲器產品的重要關鍵，包括測試和驗證設備性能以及在制造后一次在晶圓和設備級別進行質量控制測試。新興的非易失性存儲器技術的制造和測試，這些技術將支持物聯網，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:161487 
存儲器是集成電路最重要的技術之一，是集成電路核心競爭力的重要體現。然而，我國作為IC產業最大的消費國，相較于國外三星、英特爾等大型半導體公司的存儲器技術與產品而言，我國存儲器的自給能力還相對
2020-09-26 12:01:182396 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內外研究者的廣泛關注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術特點及其國內外最新研究進展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 提供，也就是仰仗美光。據美光最新表態，3D Xpoint仍是公司關注的領域和業務，且有明確的路線圖。 日前出席伯恩斯坦運營決策會議時，美光CFO David Zinsner坦言，3D Xpoint的收入幾乎全來自外售存儲芯片。換言之，自家第一款也是唯一的3D Xpoint固態盤X100銷量低迷，還沒有產
2020-11-29 11:54:412026 對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術進行對比。如果你對存儲器相關內容具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:009204 。 據了解，在新型存儲器中，相變存儲器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術最成熟的存儲技術。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047 本系列文章的第1 部分解釋了內存如何影響汽車中區域和域系統的計算性能、功耗、可靠性和成本。現在，讓我們談談一種特定類型的非易失性存儲器 (NVM) — 相變存儲器 (PCM) — 在 MCU 的關鍵
2022-07-19 11:58:022123 
Racetrack存儲器可以存儲大量數據，這些數據可以非?？焖俚卦L問。現在，在一項新的研究中，科學家們發現了3D racetrack存儲設備，這可能會極大地提高這項技術的潛力。
2022-10-25 11:55:393019 半導體存儲器（Semiconductor Memory）是一種電子元件，用于存儲和檢索數據。它由半導體材料制成，采用了半導體技術，是計算機和電子設備中最常用的存儲器。 半導體存儲器可以分為兩種
2024-02-01 17:19:055136 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(低阻)與非晶態(高阻)之間的相互轉換來實現信息的存儲和擦除，通過測量電阻的變化讀出信息。
2024-04-27 06:35:002196 
定義： RAM（Random Access Memory）：隨機存取存儲器，是一種易失性存儲器，主要用于計算機和其他設備的臨時存儲。 ROM（Read-Only Memory）：只讀存儲器，是一種
2024-08-06 09:17:482549 高速緩沖存儲器（Cache），通常簡稱為緩存，是一種具有高速存取能力的存儲器。其原始意義是指存取速度比一般隨機存取存儲器（RAM）更快的一種RAM。高速緩沖存儲器一般采用靜態隨機存儲器（SRAM
2024-09-10 14:09:284406 在探討存儲器中訪問速度最快的是哪一種時，我們首先需要了解計算機存儲系統的層次結構以及各類存儲器的特性和功能。計算機存儲系統通常包括多個層次的存儲器，從速度最快、容量最小的寄存器開始，到速度較慢、容量較大的外存儲器結束。這些存儲器在訪問速度、容量、價格等方面各有優劣，共同構成了計算機的存儲體系。
2024-10-12 17:01:055359 ，Read-Only Memory）。 一、隨機存儲器（RAM） 隨機存儲器的定義和特點 隨機存儲器（RAM）是一種可讀寫的存儲器，其特點是可以隨機訪問存儲器中的任何位置，并且讀寫速度相對較快。RAM的主要作用是為計算機的中央處理器（CPU）提供臨時存儲空間，以便快速處理數據和執
2024-10-14 09:54:114300 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM（動態隨機存取存儲器）。其核心設計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
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2024-06-29 00:03:008061
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