硫系化合物隨機存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結構是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質.
2012-04-27 11:05:09
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的存儲器技術，以替代閃存技術，更有效地縮小存儲器，提高存儲性能。這篇文章將分析新的主要的基于無機材料的非易失性存儲器技術，如鐵電存儲器 (FeRAM)、磁阻存儲器(MRAM)和相變存儲器(PCM)，以及主要的基于鐵電或導電開關聚合物等有
2017-12-18 10:02:216033 
的關鍵數據存儲。作為系統關鍵組成部分，存儲性能至關重要。面對市場上參差不齊的存儲器，選擇的方向是什么？未來，存儲技術的創新又該從哪些方面下手呢？
2021-02-26 07:43:09
存儲。作為系統關鍵組成部分，存儲性能至關重要。面對市場上參差不齊的存儲器，選擇的方向是什么？未來，存儲技術的創新又該從哪些方面下手呢？
2019-09-03 06:37:36
存儲器ram的特點
2021-01-05 06:57:06
首先討論HDD及其功能，并比較儲存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來的專欄中，我們將專門討論SSD，并探索在可預見的未來將持續發展的數據儲存趨勢。 儲存 vs 存儲器 電子數據
2017-07-20 15:18:57
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎上產生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點
2017-12-21 17:10:53
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎上產生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點，所以
2017-10-24 14:31:49
目前高級應用要求新的存儲器技術能力出現。隨著電子系統需要更多的代碼和數據，所導致的結果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創新的關鍵技術特色滿足了目前電子系統的需要。針對電子系統的重點
2018-05-17 09:45:35
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區別？
2021-06-18 07:03:45
半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數據讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關閉電源后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
技術節點的新式存儲器機制和材料。目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器（PCM）就是其中一個最被業界看好的非易失性存儲器，具有閃存無法匹敵的讀寫性能和升級能力。在室溫環境中，基于第六族
2019-06-26 07:11:05
的載體。因此各種IC卡的應用特 點主要體現在IC卡存儲器的類型，存儲器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個方面。 在IC卡中使用的存儲器類型主要分為兩大類：易失性存儲器和非易失性存儲器。 易失
2020-12-25 14:50:34
變頻器控制電路中電機用三角形接法還是用星型接法？單相變頻器和三相有何區別？單相變頻器和三相變頻器就電機接線方法上有何區別？為什么？
2023-03-28 16:46:02
據新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數據不丟失等優點，被業界稱為下一代存儲技術的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統所獲悉，由該所研發的國際領先的嵌入式相變存儲器現已成功應用在打印機領域，并實現千萬量級市場化銷售，未來中國在該領域有望實現“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
復雜可編程邏輯器件—FPGA技術在近幾年的電子設計中應用越來越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內嵌存儲陣列等特點使其特別適合于高速數據采集、復雜控制邏輯、精確時序邏輯等場合的應用。而應用FPGA中的存儲功能目前還是一個較新的技術。
2019-10-12 07:32:24
Flash類型與技術特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅動器？如何去設計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用？
2021-07-11 06:09:49
汽車微控制器正在挑戰嵌入式非易失性存儲器（e-NVM）的極限，主要體現在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。在許多細分市場（例如：網關、車身控制器和電池管理單元）上，隨著應用復雜程度提高
2019-08-13 06:47:42
幀存儲器AL440B具有什么特點？AL440B的典型應用是什么？
2021-06-04 06:19:17
TPMS技術及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調換輪胎時的重新定位問題？怎么實現外置編碼存儲器輪胎定位技術？
2021-05-14 06:13:50
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細介紹關于SRAM
2022-11-17 16:58:07
。RAM類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術
2011-11-19 11:53:09
。RAM類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術
2011-11-21 10:49:57
非易失性存儲器的特點及應用介紹
2012-08-20 12:54:28
存儲器技術.doc
計算機的主存儲器（Main Memory），又稱為內部存儲器，簡稱為內存。內存實質上是一組或多組具備數據輸
2007-06-05 16:33:48
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存儲器的分類及原理,動態隨機存儲器,靜態隨機存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術.
2008-08-17 22:29:4320 DVD幾種常用的存儲器電路特點
存儲器是DVD視聽產品中必不可少的器件之一，其作用主要是用于數據存取。當然，存儲器由于有許多種，各種類型的存儲器其用途
2010-05-07 18:40:2442 相變存儲器驅動電路的設計與實現摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅動電路的基本原理, 設計了一種依靠電流驅動的驅動電路, 整體電路由帶隙基準電壓源電路
2010-05-08 09:42:3343 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發展潛力存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
相變存儲器技術基礎 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:551074 相變存儲器（PCM）技術基礎知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:033661 非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
相變存儲器：能實現全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22883 光存儲器,光存儲器特點和常用類型有哪些?
光存儲器是由光盤驅動器和光盤片組成的光盤驅動系統,光存儲技術是一種通過光學的方法
2010-03-20 11:41:496823 MCP存儲器,MCP存儲器結構原理
當前給定的MCP的概念為：MCP是在一個塑料封裝外殼內，垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片，
2010-03-24 16:31:282499 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371384 相變存儲器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術。PCM存儲單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:001261 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發性存儲器技術。透過比較PCM與現有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 BM蘇黎世研究中心的科學家們日前表示，已經發現能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法
2011-07-07 09:26:183234 非易失性半導體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 近十年來，在高速成長的非易失性存儲器市場的推動下，業界一直在試圖利用新材料和新概念發明一種更好的存儲器技術，以替代閃存技術，更有效地縮小存儲器，提高存儲性能。目前具有突破性的存儲技術有鐵電RAM
2017-03-27 15:19:411361 存儲器（Memory）是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等
2017-12-06 15:00:4219095 
據報道，華中科技大學光電學院副院長繆向水及其團隊正在研制一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術。他估計，在這項技術基礎上研發的芯片，其讀寫速度會比現在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 耶魯大學和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發領域開展合作，目標是使具有潛在革命性的相變存儲技術更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術作為一種能改變游戲規則的新興技術，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001968 近日，淮安市舉行集成電路產業現場推進暨江蘇時代芯存半導體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式。
2018-03-28 14:58:197267 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產業的面貌。
2018-06-26 08:55:003838 多年來，該行業一直致力于各種存儲技術的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發中。這些不同類型的存儲器都對應特定的應用領域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統型存儲。
2018-09-05 15:51:1210175 新興存儲器(emerging memory)現在多指的是新的非揮發性存儲器，最主要包括相變半導體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054935 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1146034 近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術來替代傳統的存儲技術可以適應計算機技術發展對高存儲能效的需求。
2018-12-22 11:56:312666 新的技術出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲器外，還有鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器（PCM），該公司的首席技術官Rene Penning de Vries表示該技術將十分“有希望”。
2019-01-15 14:30:531448 近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術來替代傳統的存儲技術可以適應計算機技術發展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為
2019-03-19 15:43:0110827 
為了解決這個問題，IBM的研究人員給相變存儲器引入了一個所謂的投影段（projection segment）。投影段是該團隊在2015年首次提出的，它是一個金屬氮化物導電層，包裹著相變材料芯，并在電極之間平行于相變材料芯運行。投影段將信息的寫入和讀取過程分開。
2019-08-29 11:51:134277 據介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數據兩種優點的存儲器，而目前通用的存儲器技術主要是動態隨機存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221675 相變存儲器具有很多優點，比如可嵌入功能強、優異的可反復擦寫特性、穩定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:516097 。存儲器產業未來的技術發展方向仍是未知數。 在非易失性MRAM存儲器方面，Everspin MRAM已經有產品應用于航空
2020-04-25 11:05:573525 
隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細介紹
2020-04-30 15:48:133900 
新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設計是成功制造非易失性存儲器產品的重要關鍵，包括測試和驗證設備性能以及在制造后一次在晶圓和設備級別進行質量控制測試。新興的非易失性存儲器技術的制造和測試，這些技術將支持物聯網，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:161487 
只讀存儲器和隨機存儲器區別：作用不同、特點不同
2020-07-27 15:09:4318654 較弱。在對存儲芯片材料的研發刻不容緩之際，相變存儲器走進了人們的視野。近日，《中國電子報》就相變材料發展問題，采訪了中國科學院上海微系統與信息技術研究所納米材料與器件實驗室主任宋志棠。
2020-09-26 12:01:182396 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內外研究者的廣泛關注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術特點及其國內外最新研究進展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 本應用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:152074 
MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨立存儲器中處于領先地位。
2020-11-24 15:29:163440 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:168369 對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術進行對比。如果你對存儲器相關內容具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:009204 文章目錄內存結構程序存儲器數據存儲器通用寄存器區位尋址區一般RAM區特殊功能寄存器區內存結構MCS-51單片機在物理結構上有四個存儲空間:片內程序存儲器、片外程序存儲器、MCS-51單片機在物理結構
2021-11-23 09:36:0513 。 據了解，在新型存儲器中，相變存儲器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術最成熟的存儲技術。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047 隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 本系列文章的第1 部分解釋了內存如何影響汽車中區域和域系統的計算性能、功耗、可靠性和成本。現在，讓我們談談一種特定類型的非易失性存儲器 (NVM) — 相變存儲器 (PCM) — 在 MCU 的關鍵
2022-07-19 11:58:022123 
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉變——例如結晶態和非晶態之間的轉變——以及相關的電氣特性變化——來存儲數據。
2022-10-18 15:42:094237 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:151623 在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們仍然希望存內計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。
2023-02-14 11:33:403191 
相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(低阻)與非晶態(高阻)之間的相互轉換來實現信息的存儲和擦除，通過測量電阻的變化讀出信息。
2024-04-27 06:35:002196 
在計算機系統中，存儲器是不可或缺的核心部件，它負責存儲和處理各種數據和信息。根據存儲位置和功能的不同，存儲器可大致分為內存儲器（簡稱內存）和外存儲器兩大類。這兩者雖然都是用于存儲數據，但在多個方面存在顯著的差異。本文將詳細探討內存儲器與外存儲器的主要區別。
2024-05-22 18:16:329244 存儲器是計算機系統中不可或缺的組成部分，用于存儲數據和程序。在眾多存儲器類型中，PROM、EPROM和EEPROM是三種常見的非易失性存儲器。它們具有一些共同的特點，但也有一些不同之處。本文將介紹
2024-08-05 16:56:512568 半導體存儲器，又稱為半導體內存，是一種基于半導體技術制造的電子器件，用于讀取和存儲數字信息。這種存儲器在現代計算機和其他電子設備中扮演著至關重要的角色，是數據存儲和處理的核心部件之一。以下是對半導體存儲器的基本結構、特點以及詳細介紹的詳細闡述。
2024-08-10 16:40:103242 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術。其結構特點主要體現在其獨特的材料構成、工作原理、物理結構以及所展現出的優越性能上。
2024-09-29 15:18:541757 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 ，Read-Only Memory）。 一、隨機存儲器（RAM） 隨機存儲器的定義和特點 隨機存儲器（RAM）是一種可讀寫的存儲器，其特點是可以隨機訪問存儲器中的任何位置，并且讀寫速度相對較快。RAM的主要作用是為計算機的中央處理器（CPU）提供臨時存儲空間，以便快速處理數據和執
2024-10-14 09:54:114300
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