10月10日，華虹半導體有限公司（“華虹半導體”）宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產，該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢，對于工業控制應用和DC-DC轉換器等產品是理想的工藝選擇。

第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺40V DMOS擊穿電壓達到52V，其導通電阻低至 20 mOhm.mm2，達到該節點領先工藝水平，可提高產品的驅動能力，減小芯片面積，擴大高壓管安全工作區（Safe-Operation-Area， SOA），保證產品的高可靠性。該工藝平臺最少光罩層數為18層。

該工藝平臺提供豐富的可選擇器件，包括高阻、電容、Zener二極管、肖特基二極管等。此外，該平臺還提供in-house設計的標準單元庫、SRAM編譯器、IO和eFuse，從而為電源管理芯片提供完善的設計解決方案。

目前，在與國內外多家客戶緊密合作下，公司已完成應用于電機驅動、快充、通訊、安防、DC-DC、LDO等多個領域芯片產品的驗證，并成功進入量產。

以綠色科技為主導，電源管理技術扮演著舉足輕重的地位。華虹半導體已引入全面的電源管理（PMIC）BCD工藝方案，在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米節點上積累了豐富的量產經驗。未來，華虹半導體將繼續發揮在BCD和eNVM特色工藝上的技術優勢，提供二者的集成方案，為智能化電源產品，打造高端電源管理系統級芯片（SoC）。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導體一直將電源管理平臺視作工藝研發的重點之一，第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產標志著我們在PMIC領域的核心競爭力再度提升。展望未來，我們還將持續拓展更先進的智能電源管理平臺，為客戶提供差異化技術的競爭優勢。”