華虹半導體最新推出90nm 超低漏電嵌入式閃存工藝平臺，助力大容量MCU解決方案

全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司近日宣布，最新推出

90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）工藝平臺，滿足大容量微控制器（MCU）的需求。該工藝平臺作為華虹半導體 0.11微米超低漏電技術的延續，以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案，適用于物聯網、可穿戴式設備、工業及汽車電子等方面的應用。

華虹半導體新近推出的 90 納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺 1.5V核心 N 型和 P 型 MOS 晶體管漏電達到 0.2pA/μm，可有效延長 MCU 設備的待機時間。該平臺的嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP 具有 10 萬至 50 萬次擦寫次數、讀取速度達 30ns 等獨特優勢。同時邏輯單元庫集成度高，達到 400K

gate/mm2 以上，能夠幫助客戶多方面縮小芯片面積。

該工藝平臺的最大優勢是集成了公司自有專利的分離柵 NORD 嵌入式閃存技術，在 90 納米工藝下擁有目前業界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式 NORflashIP，而且具有光罩層數少的優勢，幫助客戶進一步降低MCU、尤其是大容量 MCU 產品的制造成本。該平臺同時支持射頻（RF）、eFlash 和 EEPROM。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差異化技術的創新和不斷優化，為客戶提供市場急需的、成本效益高的工藝和技術服務。在精進 8 英寸平臺的同時，加快 12 英寸產線的產能擴充和技術研發。物聯網、汽車電子是 MCU應用的增量市場， 此次 90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺的推出，進一步擴大了華虹半導體 MCU客戶群在超低功耗的市場應用領域的代工選擇空間。”（來源：華虹宏力）

責任編輯：xj

原文標題：華虹半導體最新推出 90 nm 超低漏電嵌入式閃存工藝平臺，助力大容量 MCU 解決方案

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