半導體設備領軍企業泛林集團（Lam Research）近日震撼發布其專為3D NAND Flash存儲器制造設計的第三代低溫介質蝕刻技術——Lam Cryo 3.0。據泛林集團全球產品部高級副總裁Sesha Varadarajan介紹，這一技術革新標志著向實現1000層堆疊3D NAND Flash閃存生產的宏偉目標邁出了堅實步伐。

作為行業內的技術先鋒，泛林集團的低溫蝕刻技術已成功應用于超過五百萬片晶圓的生產，而Lam Cryo 3.0的推出，無疑是3D NAND Flash閃存制造領域的一次重大飛躍。該技術能夠在埃米級精度上塑造出高深寬比的圖形特征，同時顯著減少對環境的負擔，其蝕刻效率是傳統介電技術的兩倍以上，彰顯了其在效率與精準度上的雙重優勢。

針對AI時代對NAND Flash閃存制造提出的更高要求，Lam Cryo 3.0應運而生，專為解決關鍵制造難題而生。在構建3D NAND Flash閃存時，細長且垂直貫穿各層的孔道是實現層間存儲單元互聯的關鍵。然而，即便是原子級別的細微偏差，也可能對產品的電氣性能和最終良率造成不利影響。

為了克服這一挑戰，Lam Cryo 3.0集成了高能密閉式等離子反應器、超低溫工作環境（遠低于0°C）以及創新的化學蝕刻材料，實現了深寬比高達50:1、深度可達10微米的通道蝕刻，且從頂部到底部的特征尺寸偏差控制在驚人的0.1%以內。相比傳統技術，Lam Cryo 3.0不僅將蝕刻速度提升至2.5倍，還實現了能耗降低40%和排放量減少90%的環保成就，為未來更高層數堆疊的3D NAND Flash閃存生產提供了理想的解決方案。