手機越用越慢，排除各類軟件后臺等因素，手機存儲也會影響手機運行速度，特別是在可用空間較少的時候。

什么是NAND閃存？

內存顆粒又稱閃存，是一種非易失性儲存器，掉電不會丟失內容。閃存顆粒有很多變種，其中NAND閃存常用于固態硬盤、手機存儲器。

閃存顆粒：

根據NAND顆粒每個單元內儲存的比特數不同又可以分為SLC（Single-LevelCell）、MLC（Multi-LevelCell）、TLC（Triple-LevelCell）和QLC（Quad-levelcell）

儲存密度越高讀寫性能可能會越差、壽命會越短，但成本越低。目前市面90%以上的固態硬盤、手機都是TLC顆粒。

TLC顆粒壽命一般在1000次完全寫入（1000P/E）左右。所謂完全寫入，例如128G存儲，寫入128G數據為一次P/E。

NAND顆粒的組成：

在NAND閃存顆粒中：

1.Block是最小的擦除單位Block包含多個Page。

2.Page是最小的寫入單位。

3.刪除數據時，數據并沒有擦除，而是把文件的儲存空間（Page）標記為作廢。

4.必須先擦除才能寫入數據

當寫入數據的時候：

如果存儲空間充足，芯片會找一個新的（干凈的/擦除過的）Block以Page為單位寫入數據。

如果沒有太多空閑容量時（已經沒有閑置的（干凈的）整個Block，只有作廢的Page），芯片會將某個Block讀取到緩存，然后將原本的數據和新添加的數據一起寫入剛才的Block。

這種情況造成了原本只需要寫入一個Page變成了一個Block，這就是閃存的寫放大（WriteAmplification）。這種情況下原本只要寫入4K的數據，卻造成了整個Block的寫入，寫放大128倍。重新寫入整個Block的操作造成速度變慢。

可用空間不足時寫入數據的步驟：

前面提到NAND閃存擦寫次數是有限的，寫放大不僅使寫入性能下降而且加速了NAND閃存的磨損。

垃圾回收（GarbageCollection）

當我們刪除文件的時候，系統利用Trim命令通知閃存主控，閃存主控將他們標記為廢塊，不再搬動數據。并在適當的時間回收廢塊。

壽命均衡（WearLevelling）

為了避免某些物理快在寫入后就沒有再次更改（例如系統文件），而一些塊不斷的擦寫導致有些塊壽命還很長，而有些塊磨損嚴重，閃存主控會在適當的時機給文件更換位置。

結論：

從上面可以看到閃存主控會在適當的時機不斷的騰挪數據存儲在NAND閃存物理塊的位置，起到均衡磨損、減少寫放大的作用。

隨著數據越來越多，閃存存儲空間越來越少，留給主控騰挪的空間也越來越少，IBMZurichResearchLaboratory做的研究表明寫放大和空閑空間關系極大。如下圖：

空閑塊少后，寫放大達到3-4倍，當閃存存儲空間使用大于75%后，會因為寫放大而大大降低寫入性能。所以刪除掉一些文件吧。
責任編輯人：CC?