在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。因此，如果只寫入和擦除某些塊，這些特定塊的P/E周期將被迅速消耗，備用塊將很快耗盡，導致NAND閃存提前失效。

有三種類型的磨損均衡：動態、靜態和全局。動態磨損均衡僅處理可用空間，并確保寫入行為僅發生在同一空間中擦除計數較低的塊中。靜態磨損均衡考慮了整個閃存芯片，包括已寫入的空白區域和塊。此技術將數據從擦除次數較少的塊移動到其他塊，以便可以將寫入時間較短的塊留給將來使用。最后，還有全局磨損均衡，其中與靜態磨損均衡的最大區別在于其范圍擴展到整個設備，而靜態磨損均衡僅適用于單個閃存芯片。這可確保寫入行為發生在整個設備中寫入頻率較低的塊中。

NAND 閃存控制器的供應商在開發時必須考慮 NAND 的此功能。因此，磨損均衡旨在允許NAND閃存在整個模塊使用過程中均勻分布，以便所有模塊的市盈率在相同數據下上升。該技術允許在產品達到其生命周期之前徹底使用所有模塊，從而延長了NAND閃存的使用壽命。因此，磨損均衡技術可以提高NAND閃存產品的可靠性和耐用性。

審核編輯：郭婷