22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲
2017-09-25 17:21:09
8685 美國加利福尼亞圣克拉拉，2017年9月20日 -- 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出面向下一代無線和物聯網芯片的射頻/模擬PDK（22FDX?-rfa）解決方案，以及面向5G、汽車
2017-09-27 11:16:539380 今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開發超低功耗MCU參考設計方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺的嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。雙方合作所提供的技術
2018-03-01 14:52:0611765 不久前，Dialog半導體公司與格芯（GLOBALFOUNDRIES）簽訂了協議，向其授權導電橋式隨機存取存儲器（Conductive Bridging RAM；CBRAM）技術。CBRAM屬于通用
2021-01-24 12:25:185665 
并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復制的。
2022-11-14 15:34:192378 
0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
（CMIC）GreenPAK 通過NVM（非易失性存儲）自由設計配置內部數字和模擬資源，可以幫助創新設計工程師集成更多系統功能，并以最少元件、最小占板尺寸、最低功耗實現設計。Dialog 30位FAE
2018-04-02 14:27:14
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數據。FN隧道技術的主要優勢在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優點的基礎上，加入了多項創新的特性，使得高云半導體在非易失性FPGA領域逐步建立了領先優勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
數字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經調節好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態位置，不再是3.5kΩ這個位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
Xicro公司生產的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點 ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機連接,且具有很完善的數據保護功能。本文從應用角度出發
2009-04-25 16:01:35
18 X9511 ─ 按鍵式非易失性數字電位器簡介X9511 是一個理想的按鈕控制電位器，其內部包含了31 個電阻單元陣列，在每個電阻單元之間和任一端都有可以被滑動端訪
2009-11-14 14:50:3838 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，介紹MAX?II系列即時開啟非易失性CPLD基于0.18-μ，6層金屬閃存工藝，密度從240到2210個邏輯元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 摘要：本文討論如何使用安全數字(SD)媒體格式擴展MAXQ2000的非易失數據存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數據，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲服務
摘要：需要非易失數據存儲的應用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
相變內存（Phase Change Memory，PCM）是一項以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅的新型非易失性技術，可以成為取代閃存的一種低成本、更可靠、更快速和更好的技術。
一些
2010-07-17 11:10:14803 概述
可編程邏輯器件已經越來越多地用于汽車電子應用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(快閃和反熔絲)，不易發生由中子引發的固件錯誤，
2010-08-26 10:52:38669 該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復位，電池監控)，以及512K的× 8非易失性靜態RAM。用戶訪問DS1557內部所有寄存器完成了一個字節寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1647為512k x 8非易失性靜態RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節寬的格式訪問靜態RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術，采用獨特的55納米(nm)非易失性內存(NVM)構建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
賽普拉斯半導體子公司AgigA技術公司日前宣布，推出業界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度，從而為系統架構師和設計者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態非易失性內存 。
2012-01-04 10:53:261584 
DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態RAM
2012-03-19 16:28:122685 
DS1312電池監視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應電路要求提供標準CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 非易失性半導體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 （phase-change memory, PCM）、磁阻式隨機存儲（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻變式存儲（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存儲技術已經有了較長的開發歷史。
2018-07-04 11:55:007915 
影響，相關的存儲與事務處理技術是其中值得關注的重要環節．首先，概述了事務型數據庫系統隨存儲環境發展的歷史與趨勢；然后，對影響上層數據管理系統設計的非易失性存儲技術以及面向大數據應用領域與硬件環境優化的事務技術進行綜述
2018-01-02 19:04:400 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:426591 ）平臺的嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。雙方合作所提供的技術解決方案將格芯22FDX eMRAM優異的可靠性與多樣性與eVaderis的超低耗電IP結合，適合包括電池供電的物聯網產品、消費及工業
2018-03-02 15:29:01315 提供行業首款實時4D成像雷達 格芯宣布Arbe Robotics已選擇在其開創性的專利成像雷達中采用格芯22FDX工藝，這種成像雷達將幫助實現全自動系統功能，并實現更加安全的自動汽車
2018-05-17 10:12:002760 加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）在10日宣布，旗下的22FDX制程已經進行了50多個設計訂單，合約總金額突破了20億美元。以這樣的合約金額來計算，因為2017年格芯全年的總營收落在61.76億美元。因此，這么一個成熟技術制程能有如此規模的營收，算是發展相當成功。
2018-07-11 16:51:002494 對于需要大幅降低功耗和芯片尺寸的客戶來說，相較于傳統的CMOS體硅工藝，22FDX可提供業界較低的運行電壓，僅需0.4V即可實現高達500MHz的頻率。
2018-07-19 15:55:001109 能在全球范圍內收獲了超過20億美元的收益，并在超過50項客戶設計中得到采用。本次兩位中國客戶的成功流片再次印證了22FDX技術在實際應用中的可靠性和靈活性。 格芯全球副總裁兼大中華區總經理白農先生表示：“22FDX 是業內首個 22nm FD-SOI 平臺，作為業界領先的低功耗芯片平臺，它在全
2018-11-05 16:31:02500 研發自適應體偏置(ABB)系列解決方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX)工藝技術芯片上系統(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物聯網和汽車等多種高增長應用。 作為合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01574 事實上，除了這些傳統要求，在前兩代非易失FPGA產品的經驗基礎上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 Altera的非易失性MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個功能豐富的平臺，為嵌入式設計人員提供了一種快速簡便的方法，可以在非易失性FPGA中體驗定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯合開發。
2019-08-12 14:14:292036 格芯的戰略是為快速增長市場中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案，而踐行這一承諾的實際成果就是我們的22nmFD-SOI（22FDX）嵌入式MRAM非易失性存儲器（NVM）技術。多家物聯網大客戶已經進入這項技術的試驗性生產階段。
2019-09-04 15:25:088933 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 據外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 據外媒報道稱，美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺上的嵌入式磁隨機存取存儲器（eMRAM）已正式投入生產。同時格芯正與多家客戶共同合作，計劃于2020年實現多重下線生產
2020-03-04 17:27:352668 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。
2020-03-11 10:54:371159 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術的可靠性，已經開始進行批量生產階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術開發了4 Pin非易失性邏輯計算IC“BU70013TL”。這個產品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 盡管閃存和其他非易失性存儲技術已廣泛用于實現嵌入式文件系統，但對于某些嵌入式應用程序來說可能太復雜了。在許多情況下的內存可以最有效地用作已預先初始化的數據結構。這種方法需要對數據完整性進行某種管理
2020-09-11 16:09:322230 Dialog半導體已將其導電橋接電阻RAM非易失性存儲器（NVM）技術授權給Globalfoundries，但生產計劃要等到2022年。 Globalfoundries公司計劃在2022年將
2020-11-17 14:35:022572 
電子發燒友網站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0026 可以保持數據。常見的設備如電腦硬盤、TF卡、SD卡、U盤等。 易失性存儲器 易失存儲器是指在系統停止供電的時候數據丟失。常見的設備如電腦內存、高速緩存、顯示器顯存等。 易失性存儲器-RAM 易失性存儲器主要是指隨機訪問存儲器
2020-12-07 14:26:136411 
內存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數據完整性的應用程序，內存耐用性是關鍵的系統性能特征和設計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 為解決SRAM的數據保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產品，國內也有同類產品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產品，廣大用戶如何選擇質優價廉的產品呢？建議用戶根據以
2021-01-11 16:44:202306 Dialog的CBRAM技術適用于像所有物聯網解決方案一樣要求低功耗的應用。應用范圍包括從5G到人工智能，這些領域對讀/寫速度有很高要求，但同時要求降低生產成本。像工業應用這種需要對嚴苛環境有一定耐受能力的應用也偏愛使用該技術，該技術也可用于汽車行業。
2021-02-21 10:50:322536 
AD5110/AD5112/AD5114：單通道、128/64/32位、I2C、±8%電阻容差、非易失性數字電位計
2021-03-19 09:37:215 AD5111/AD5113/AD5115：單通道、128/64/32位、升/降接口、±8%電阻容差、非易失性數字電位計
2021-03-21 06:43:004 電子發燒友網為你提供F-RAM非易失性存儲技術優勢與安全氣囊設計資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:47:555 ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器
2021-04-24 12:29:412 現有非易失性內存文件系統都以DRAM模擬非易失性內存（Non- Volatile memory，NVM）進行測試，而沒有充分考慮兩者間的寫時延和寫磨損特性差異，使得測試結果無法準確反映文件系統在
2021-05-07 11:05:2013 AD5116單通道，64位，按鈕，±8%電阻容差，非易失性數字電位器數據表
2021-06-18 09:12:065 低功耗設計的植入人體的增強生命的患者監護設備，小尺寸內存，賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462413 文章介紹一些應用在血液透析機上的非易失性MRAM. 血液透析機使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產品是因為MRAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 電子發燒友網站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 GlobalFoundries 22FDX平臺是物聯網（IoT）、智能移動和汽車市場的熱門之選。GlobalFoundries的認證可確保Ansys工具提供業界領先的預測準確性，以幫助驗證超低功耗、高速和射頻（RF）設計的功能正確。
2022-12-12 15:35:151026 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發送）。
2023-01-12 11:30:521731 
電子發燒友網站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載
2023-06-15 14:35:410 ，作為一家全球領先的半導體制造公司，發布了其最新的技術成果——22FDX?平臺。這個平臺以其卓越的性能和適應性，正在成為人工智能（AI）和物聯網（IoT）等新興技術的關鍵推動力。 ? GlobalFoun
2023-11-15 14:53:382726 
該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言，其步驟如下：首先，制備包含器件區與非器件區的基底；接著，在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層；然后，在絕緣材料層上形成犧牲層，該層覆蓋非器件區并露出器件區；
2024-05-06 10:33:02886 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16918 
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