雙方共同開發的技術解決方案將大幅降低物聯網及穿戴式產品的耗電及芯片尺寸

今日，格芯與eVaderis共同宣布，將共同開發超低功耗MCU參考設計方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®）平臺的嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。雙方合作所提供的技術解決方案將格芯22FDX eMRAM優異的可靠性與多樣性與eVaderis的超低耗電IP結合，適合包括電池供電的物聯網產品、消費及工業用微處理器、車用控制器等各種應用。

eVaderis的 MCU 設計充分利用了 22FDX 平臺高效的電源管理能力，相較于上一代 MCU，電池續航力可提高到10 倍以上，同時芯片尺寸大幅降低。這項由格芯FDXcelerator™合作項目（FDXcelerator™ Partner Program）開發的技術，所提供的高器件密度、低成本的單芯片解決方案，特別符合對功耗敏感的應用，可幫助芯片設計人員將效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis創新架構的超低耗電 MCU IP 設計以格芯 22FDX eMRAM技術為基礎打造，非常適合常閉的（normally-off）物聯網應用。”eVaderis總裁兼首席執行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM作為工作內存，可讓MCU的部分電路更頻繁的下電，而不會引起MCU的性能損失。eVaderis希望能在今年年底之前將這項通過驗證的 IP 提供給客戶?！?BR>
“穿戴式和物聯網裝置需要耐久的電池續航力、更高的運行能力并集成先進的傳感器?！备裥厩度胧酱鎯ζ魇聵I部副總裁 Dave Eggleston 表示，“身為FDXcelerator合作伙伴，eVaderis運用基于格芯 22FDX 的eMRAM技術，開發全新的MCU架構，幫助客戶達成更高的需求?！?BR>
格芯與eVaderis基于格芯22FDX 的eMRAM技術共同開發的參考設計將于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM和射頻解決方案的22FDX設計套件現已發布。用于客戶進行原型驗證的多項目晶圓（MPW）已經開放，現成的eMRAM模塊也已提供，有Flash 和SRAM兩種接口方案可供選擇，使得客戶可以更容易地進行產品設計。格芯預計eMRAM將在 2018 年開始小批量生產。