格芯的戰略是為快速增長市場中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案，而踐行這一承諾的實際成果就是我們的22nmFD-SOI（22FDX）嵌入式MRAM非易失性存儲器（NVM）技術。多家物聯網大客戶已經進入這項技術的試驗性生產階段。

與Everspin Technologies， Inc.合作開發的嵌入式STT-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）技術旨在滿足物聯網、通用微控制器、汽車、邊緣AI和其他應用對于低功耗運行以及快速、可靠、非易失性代碼與數據存儲所提出的關鍵性要求。

格芯eMRAM技術的獨特之處在于它是一種可靠的MRAM解決方案，能夠作為高容量嵌入式閃存（eFlash）的替代品。格芯eMRAM通過了嚴格的實際生產測試，并能夠在更加寬泛的溫度范圍中提供持久數據保留和耐久性。這一特性對于微控制器應用和無線連接物聯網至關重要，因為嵌入式存儲器必須能在高溫下保留代碼和數據，包括在PCB組裝時以260°C的高溫進行回流焊。

與eFlash相比，格芯eMRAM將擦除和（重新）寫入速度提高了一個數量級（200納秒與10微秒），同時能保持相當的讀取速度，這使其能在許多應用中提供優于eFlash的功率優勢。

最初使用格芯的低功耗22FDX工藝進行開發，是在“后段制程”金屬化步驟中部署MRAM，這使得用戶可以利用FDX和格芯FinFET技術規劃可靠的衍生的產品路線圖。這是因為在用作存儲器技術時，STT-MRAM能夠支持用于調整存儲器位單元的工藝變化。因此，我們將會提供兩種“類型”的eMRAM：22FDX上的eMRAM-F，用于代碼/數據存儲；作為工作存儲器的eMRAM-S，用于在未來增加1x節點的SRAM。

格芯正與多家客戶開展合作，在基于22FDX的設計中采用eMRAM運行多項目晶圓（MPW），并計劃在未來三個季度安排多次生產流片。格芯和我們的設計合作伙伴將聯合提供定制設計服務，22FDXeMRAM工藝設計套件的模塊密度范圍將覆蓋4Mb到32Mb（對于單個模塊）。單體密度為48Mb的模塊也計劃在2019年第四季度發布。

行業正處于轉型點

目前推動嵌入式NVM替代技術的巨大動力源于行業正處于轉型點：28nm節點可能是eFlash最后一個經濟高效的節點。在向22nm過渡中，必須找到適合全新的和快速增長的低功耗應用的替代方案。

許多新eNVM存儲器技術看起來可能非常先進，但還無法投入量產。例如，通過改變電介質的電阻來存儲數據的RRAM（電阻RAM）是許多研究和開發的主題，但是它在2xnm工藝節點上的成熟度限制了它的普及。同樣，PCM存儲器的普及受限于制程低于28nm的代工廠支持的缺失。

相比之下，格芯eMRAM是一個特別引人注目且及時的解決方案。雖然這項技術非常復雜，并且需要大量時間和成本來開發和部署，但它能夠提供出色的性能和多樣性。除了通過基于功率高效的FDXSOI工藝與eMRAM相結合所獲得的功率優勢之外，格芯的FDX工藝還具有業界領先的射頻連接功能，以及格芯提供的廣泛IP。這一切將成就獨特的高性能、高集成度、低功耗和小尺寸解決方案，進而為客戶帶來巨大價值。

事實上，格芯在采用第三代MRAM技術生產22nmeMRAM產品的同時，也生產Everspin的256Mb40nm和1Gb28nm獨立MRAM產品（作為聯合開發工作的一部分）。

除了eMRAM技術，格芯還為客戶提供eFlash和系統級封裝閃存（SIPFlash）嵌入式存儲器，基于從130nm至28nm的豐富技術范圍，以滿足廣泛的應用需求。

一個成功的戰略

22FDXeMRAM技術的推出切實展示了格芯在差異化領域和能夠幫助客戶增值的領域加大投資的成果。