對于全球智能手機芯片供應商來說，10納米先進制程技術將是2017年的重頭戲，但新一代手機芯片解決方案還沒有現身搶市，各家晶圓廠10納米制程良率卻紛紛傳出災情，造成包括高通（Qualcomm）驍龍（Snapdragon）835、聯發科Helio X30傳出交貨延宕，迫使三星電子（Samsung Electronics）Galaxy S8延后問世，更遑論排在后面出貨的華為、蘋果（Apple）、展訊等均將受到影響。

消息人士指出，10納米制程技術良率偏低的頭痛問題，臺積電、三星和英特爾這三家晶圓代工廠均面臨同一問題。2017年計劃搶先量產的三星，業界傳出其10納米制程良率同樣不如預期。若第2季各家晶圓廠10納米制程良率仍難見有效提升，2017年手機芯片大軍揮舞10納米制程大旗的戲碼，恐怕會出師不利，甚至造成手機芯片廠不小的災情。

***媒體報道，臺積電第1季10納米制程技術良率，暫時無法達到具備經濟量產價值的水準，這讓國內、外芯片客戶至今仍在與臺積電業務代表論戰，希望能用好的晶粒（good die）成本計算方式，來取代過去每片晶圓代工價格的方法。

業內人士表示，10納米制程技術良率無法有效提升，目前晶圓代工廠的責任較大，過去出現這種情況時，***晶圓代工廠為維持與客戶的中、長期合作關系，通常會自行吸收一些成本，避免造成各家芯片客戶的負擔。

據BlueFin Research分析師Steve Mullane在攝影儀器工程學會（Society of Photographic Instrumentation Engineers）論壇消息顯示，英特爾10納米量產設備預計下半年準備就緒，但盡管如此，英特爾至今仍未克服10納米量產良率不佳的問題。英特爾原希望在2017下半年將10納米制程導入量產，但受制于良率問題，Mullane估計，英特爾10納米量產時程可能往后順延2-3個月。

目前全球晶圓代工市場正處于賣方市場，即便10納米制程良率偏低，讓客戶難以忍受，但是國內、外IC設計廠商對此均三緘其口，不愿意在臺面上進行口水戰，更說明這一情況已是不能說的秘密。

據了解，晶圓代工廠商已承諾客戶將找出問題，預期第2季可望拉升良率，但手機芯片供應商對此仍相當謹慎，且紛紛作出最壞的打算，并準備一旦新款智能手機芯片出貨發生青黃不接情況，可能采取的防范措施。

手機供應鏈廠商指出，預期第2季采用10納米制程技術量產的新一代手機芯片，占整體智能手機新品出貨比重僅在10%以內，可能要到第3季10納米制程手機芯片出貨量才會明顯拉升。

目前采用10納米以下更先進制程技術，對于智能手機芯片解決方案產生的最大效應，還是功耗明顯降低。從高通驍龍835芯片的介紹中可知，與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。而聯發科曦力X30則采用臺積電10納米制造工藝，相較16納米產品性能提升22%，功耗下降40%。隨著手機產品對于功耗要求越來越高，而現階段電池容量短期內恐無法有效提升，電池技術也難有效突破，各家手機芯片供應商面對先進制程技術昂貴的成本投入，只能悶著頭拼工藝。

全球晶圓代工廠10納米制程技術良率表現出現瓶頸，芯片廠商預期2017年上半將很難明顯好轉情況下，加上2017年下半年又有蘋果新款iPhone大單壓陣，新一代手機芯片解決方案采用10納米制程技術競賽，在2017年上半年經歷過搶快不易后，下半年恐將進入新一波的搶量賽局。