據海外媒體報道，即使近年摩爾定律（Moore’s Law）進展速度趨緩，但全球各家芯片制造商仍持續開發新一代制程技術。在12月3~7日于美國舉行的IEEE國際電子元件會議（IEDM）上，臺積電宣布以其最新版3D FinFET電晶體，可用于生產更新一代智能手機及其他移動裝置處理器的首個全新7納米制程技術，借此正式加入全球7納米制程技術競爭戰場，并彰顯其較英特爾（Intel）更快的制程技術進展，顯示晶圓代工廠具備的技術優勢。

根據科技網站ZD Net及EETimes報導，臺積電為了展示7納米制程技術，在會議中介紹一款由7納米制程生產的全功能256MB SRAM測試芯片，據稱該芯片存儲器細胞（Memory Cell）尺寸僅0.027平方微米，可提供相較于現有16納米FinFET制程高達4成的性能速度提升，以及高達65%的功耗節省。

臺積電7納米制程技術采用當前的193納米浸潤式微影技術（Immersion Lithography），與三星、GlobalFoundries以及IBM等競爭業者宣布的7納米制程技術，是采用新型態極紫外光微影技術（EUV）有所差異。有鑒于EUV技術至少要等到2018~2019年以后才可能見到量產就緒，因此要等到EUV技術成熟問世可能仍需一段時間，不過EUV具備成本降低等優勢。

值得注意的是，臺積電7納米制程技術并非與目前最新的10納米制程技術做比較，而是與16納米進行規格比較，這意謂臺積電等于一次跳了2個甚至3個制程世代達7納米技術水準。臺積電在會中也透露，該公司7納米制程SRAM良率已達50%，外媒分析稱這是值得注意的成就。

外界多半認為10納米只是一個壽命短的過渡制程技術，目前三星電子（Samsung Electronics）已開始以10納米制程量產，首款10納米處理器可能將于2017年初發布；GlobalFoundries計劃直接跳過10納米，直攻7納米制程技術，并計劃將從2018年初開始進行7納米制程風險生產。

臺積電則計劃從2016年第4季開始采10納米制程技術量產，預計2017年底才會見到7納米制程導入生產，臺積電強調，該公司正將重心放在協助客戶盡速面向市場推出7納米芯片產品。

由此快速的制程技術進展步伐，也意謂晶圓代工廠商已在半導體制程技術上取得技術領先優勢，如英特爾已延后10納米生產進程，并預計2017年底以后才會發布首款桌上型電腦（DT）處理器“Cannonlake”。作為此進程延后下的過渡權宜策略，英特爾改發布采14納米制程的Kaby Lake處理器。

另外，雖然ASML的EUV系統至今仍僅在量產前的發布階段，不過臺積電已宣布自有5納米制程節點將開始采用EUV技術。