三星（Samsung）將在明年二月的國際固態(tài)電路大會（ISSCC）中，展示采用 ARM big.little 概念的行動應用處理器。

　　這是少數(shù)將在該會議大披露的新款微處理器，但包括英特爾（Intel）的 Haswell 和 Nvidia 的丹佛計畫（Project Denver），都很明顯地缺席。不過，英特爾和 Nvidia 都將就新的晶片到晶片連接提出最新論文，展示他們對未來處理器的規(guī)劃。

　　叁星將揭露具有兩個四核心叢集的 28nm SoC 詳細資料。其中一個叢集執(zhí)行在1.8GHz，具有2MB L2 快取，主要針對高性能應用；另一款速度為1.2GHz，可用于調節(jié)能源效率。

　　該晶片與 ARM 所提出之採用 32位元 A15 和 A7 核心的 big.little 架構相同。今年10月時，ARM曾表示這種方法提供了比預期還要高的效益，未來將廣泛應用在智慧手機中。

　　Linley Group 資深分析師Kevin Krewell表示，叁星將推出首款 big.little 處理器。 A7 核心應該能處理大多數(shù)智慧手機的任務，而A15核心則處理需要高性能的需求，如游戲。

　　而其他如高通（Qualcomm）、 Nvidia 和其他預計2013年推出，將與英特爾 22nm Haswell 在平板市場競爭的處理器則并未計劃在 ISSCC 上披露。根據(jù)過去經(jīng)驗，英特爾在會議上提出的論文向來與處理器無關。

　　不過，這家 x86 巨擘將描述一款頻寬達1Tb的可擴展64通道晶片到晶片互連。 該鏈路使用多個2~16Gb/s通道，執(zhí)行在0.8~2.6 pJ /bit，採用32nm CMOS製程，總匯流排功耗為2.6W

　　這篇文章介紹了英特爾研究院（Intel Labs）的研究成果。英特爾實驗室資深首席工程師Bryan Casper表示，該論文描述了使用Samtec的micro-twinax線路，以及 Ardent Concepts 的連接器來連接Tb/s等級的晶片，否則功耗可能會拉升至20W。

　　Casper表示，直徑1到2mm的線束將是“我們在跨越行動和伺服器應用時，向前邁進的重要技術。次pJ /bit I/O非常重要，因為這是快速開啟和關閉I/O連接的關鍵。”

　　Nvidia 將描述一款20Gb/s的串列晶片到晶片28nm CMOS，它採用0.9V電源，電源效率0.54pJ/b。這項互連技術可能會與Nvidia的丹佛計畫整合，也可能應用在從筆電到超級電腦等所有ARM和繪圖核心處理器系列中。

　　此外，中國科學院計算技術研究所（ICT）將提出新版龍芯3B處理器 （Godson 3B），該元件採用32nm。在此之前，ICT展示過八核心65nm CPU，并建議直接跨越到32nm。

　　在 ISSCC上，工程師將詳細介紹Godson-3B1500，這是一款32nm high-K金屬閘極元件，在1.35 GHz、40W條件下可提供172.8 GFLOPS性能。在同等功耗條件下，新處理器性能較65nm版本的128 Gflops有顯著提升，這主要歸功于新製、架構和電路的改良。

　　在其他論文中，德州儀器（TI）和麻省理工學院（MIT）將提出一款200MHz的影像解碼器，可符合高效影像編碼標準，提供每秒249M畫素性能。它支援3，840 × 2，160畫素解析度，在0.9V時耗電76mW。

　　瑞薩（Renesas）將描述一款整合手機芯片，其中包含28nm雙核心1.5GHz CPU、 LTE/HSPA + 基頻數(shù)據(jù)機處理器、繪圖加速器和電源管理單元。 AMD， IBM和甲骨文（Oracle）則將分別就其 Jaguar， zSeries 和 Sparc T5 發(fā)表論文。

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