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電子發燒友網>制造/封裝>東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設備以及電池組保護

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設備以及電池組保護

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2025-11-18 16:08:14326

選型手冊:MOT3510G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3510G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、高雪崩穩定性及高效散熱封裝,適用于SMPS(開關模式電源)、通用用途電路、硬
2025-11-20 15:06:47212

選型手冊:MOT3180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、高雪崩穩定性及無鉛封裝特性,適用于DC/DC轉換器、高頻開關與同步整流等領域
2025-11-20 15:31:06161

選型手冊:MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性,適用于各類開關應用場景。一、產品基本信息器件類型:N
2025-11-20 16:22:54305

選型手冊:MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型:P溝道
2025-11-21 10:31:06233

選型手冊:MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借2.4mΩ超低導通電阻、120A超大連續電流及優異散熱封裝,適用于功率開關應用、硬開關高頻
2025-11-21 10:46:19184

選型手冊:VS3618AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,具備快速開關特性與高能量轉換效率,憑借低導通電阻與高可靠性,適用于DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等低壓
2025-11-26 15:21:16231

選型手冊:VS3633GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于FastMOSII技術實現快速開關與高能量效率,憑借低導通電阻與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉換器、同步
2025-11-27 14:53:22201

選型手冊:VS3698AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

適用于低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:擊穿電壓(\(V_{DSS}\
2025-11-27 16:41:49392

選型手冊:VS3618AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載
2025-11-27 16:52:11394

選型手冊:VS3618BE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品
2025-11-28 12:07:44160

選型手冊:VS6808DH 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET,支持2.0V邏輯電平控制,采用SOT23-6L封裝,適配小型化低壓雙路電源的負載開關、電源通路控制
2025-12-18 17:40:30144

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