AONA66916采用全新頂部開窗式DFN5x6封裝，可實現業界領先的散熱性能，提供可靠性更高的設計

日前，集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL) Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)（納斯達克代碼：AOSL）發布了一款 100V MOSFET——AONA66916，該器件采用AOS創新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝。客戶系統研發人員一直以來把 AOS 產品作為其方案設計的重要組件之一，幫助客戶實現各種高性能應用要求。現如今，AOS產品進一步創新，提供最先進的封裝以保持其器件實現最佳的散熱性能，使工程師能夠在長期處于惡劣條件下運行的電信系統和工業應用中開發更高效的方案設計。

通常來說，標準 DFN 5x6 封裝主要是依靠底部焊盤進行散熱，器件產生的大部分熱量都將轉移到 PCB上。為滿足系統要求，增加了PCB 熱管理設計的難度。AOS雙面散熱型 DFN 5x6 封裝由于其較大的表面接觸面積結構，可以實現外露的頂部窗口和散熱器之間的最高熱傳遞。 這使得器件能夠實現 0.5°C/W 的低熱阻（Rthc-top max），從而顯著提高熱性能。AONA66916 的頂部開窗式 DFN 5x6 封裝與 AOS 標準的 DFN 5x6具有相同的封裝和尺寸（5mm x 6mm），無需修改現有 PCB 布局，以最小的評估工作量提高功率密度。
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值得一提的是，AONA66916利用AOS 100V AlphaSGT? 技術，其優越的品質因數（FOM）完美適配硬開關的應用。 AONA66916 RDS(on) 最大值為 3.4mOhms，支持最大結溫 175°C。
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“在高功率電源設計中，MOSFET的散熱性能具有一定的挑戰性，AOS 通過其先進的頂部開窗封裝設計成功解決了這一基本問題。由于頂部開窗的面積相對較大，這不僅實現了MOSFET從頂部窗口到散熱器之間更好的熱傳遞。而且MOSFET較低的溫度，也有助于實現更高效、更穩健的設計方案” ，AOS MOSFET 產品線資深市場總監 Peter H. Wilson 說道。

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