為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器

（2024年6月4日，英國劍橋訊）無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。

DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運行，在設計上具有靈活性。在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設計，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯(lián)，使客戶能夠輕松處理高達6千瓦的應用。

BHDFN-9-1（底部散熱器 DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學檢查。其熱阻為0.28 K/W，比肩或優(yōu)于其他領(lǐng)先設備。BHDFN的外形尺寸為10x10 mm，雖然比常用的 TOLL 封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用 TOLL 封裝的 GaN 功率 IC 進行通用布局，便于使用和評估

CGD 產(chǎn)品市場營銷經(jīng)理 Nare Gabrielyan 表示：“新型封裝是我們戰(zhàn)略的一部分，為了使客戶將我們的 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 用于服務器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機驅(qū)動器、微型逆變器和其他工業(yè)應用，獲得它們帶來的更高的功率密度和效率優(yōu)勢。這些應用不僅對設備的要求更高、同時要求設備堅固可靠、易于設計。新型封裝支持并擴展了ICeGaN 產(chǎn)品系列的這些固有特性。”

提高熱阻性能有以下好處：第一，在相同的RDS(on)下可以實現(xiàn)更多的功率輸出。設備在相同功率下也能以較低的溫度運行，因此需要較少的散熱，從而降低了系統(tǒng)成本。第二，更低的工作溫度也會帶來更高的可靠性和更長的壽命。最后，如果應用需要更低的成本，設計者可以使用具有較高RDS(on)的低成本產(chǎn)品來實現(xiàn)所需的功率輸出。

采用新型封裝的 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產(chǎn)品。

審核編輯：彭菁