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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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22N10-VB QFN8(5X6)一種N-Channel溝道DFN8(5X6)封裝MOS管

型號(hào): 22N10-VB QFN8(5X6)
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 22N10-VB QFN8(5X6) 產(chǎn)品簡介

22N10-VB QFN8(5X6) 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,設(shè)計(jì)用于要求高電壓和高電流的應(yīng)用。采用了溝槽技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力,適用于各種高性能電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 22N10-VB QFN8(5X6) 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理**:
22N10-VB QFN8(5X6) 可用于電源管理系統(tǒng)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力有助于降低功耗,提高系統(tǒng)效率。

**電池保護(hù)**:
在電池保護(hù)電路中,該產(chǎn)品可用于電池的過充和過放保護(hù)。其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻確保了對(duì)電池的有效保護(hù)。

**醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中,22N10-VB QFN8(5X6) 可用于高性能電源管理模塊和電動(dòng)機(jī)控制。其高可靠性和穩(wěn)定性使其成為醫(yī)療設(shè)備制造商的理想選擇。

**工業(yè)自動(dòng)化**:
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,該產(chǎn)品可用于高壓開關(guān)和逆變器。其高漏極電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和效率。

22N10-VB QFN8(5X6) 通過在多種應(yīng)用場景中的優(yōu)異表現(xiàn),展示了其作為高性能 MOSFET 的優(yōu)勢,為設(shè)計(jì)工程師提供了理想的選擇。

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