--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
52N25M5-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封裝,具有高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,適合需要高效能和緊湊空間的功率管理應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 52N25M5-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 250V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 42mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 35A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:
由于其小型化封裝和優(yōu)異的電性能,52N25M5-VB 可以廣泛應(yīng)用于電源管理模塊中,如電源轉(zhuǎn)換器和逆變器。它適合于需要高效率和緊湊空間的應(yīng)用場景,如便攜設(shè)備、無線通信設(shè)備等。
2. **電動工具控制**:
在電動工具和家用電器的電機控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為電機驅(qū)動器的關(guān)鍵元件。其能夠處理中等功率的電流和快速的開關(guān)操作,確保電動工具和電器的高效能運行。
3. **LED 照明驅(qū)動**:
52N25M5-VB 可以用作高功率 LED 照明系統(tǒng)中的功率開關(guān),支持穩(wěn)定的電流控制和高效能的照明。它能夠提供優(yōu)異的功率轉(zhuǎn)換效率和長壽命的 LED 燈具驅(qū)動。
4. **汽車電子系統(tǒng)**:
在汽車電子控制單元中,這款 MOSFET 可以用于驅(qū)動和控制各種電動設(shè)備,如電動窗戶、電動座椅調(diào)節(jié)器等。其高電壓承受能力和穩(wěn)定的性能使其成為汽車電子系統(tǒng)的可靠選擇。
5. **太陽能逆變器**:
在太陽能電池系統(tǒng)的逆變器中,52N25M5-VB 可以用作直流到交流的功率轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵元件。其高效能和穩(wěn)定性能確保了太陽能系統(tǒng)的可靠運行和高效率的能源轉(zhuǎn)換。
通過以上示例,展示了 52N25M5-VB MOSFET 的多樣化應(yīng)用領(lǐng)域和其在不同模塊中的關(guān)鍵作用,體現(xiàn)了其適應(yīng)緊湊空間和高功率要求的優(yōu)勢。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12