三相模塊的母線電壓可以達到800V,如果DCDC仍然采用傳統的兩電平拓撲,那么DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。而目前市場上這樣的MOS管型號非常少,而且很貴。如果采用三電平拓撲,就可以繼續采用600V的MOS管了,型號豐富,成本也低。
2023-03-21 09:42:19
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德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“CoolSiC產品群”,并在2012年5月8日~10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
2140 美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款產品。
2012-05-18 09:25:34
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英飛凌推出具備整合診斷功能的智慧型電源開關 英飛凌科技股份有限公司針對24V 工業控制及自動化應用,推出第二代 ISOFACE電氣隔離8通道高壓側開關。全新ISO2H823V 整合廣泛的診斷功能
2012-11-13 14:25:30
3437 大聯大控股宣布,其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:34
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1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件,廣泛應用于工業、汽車等領域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品,本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-04 10:50:43
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基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結合元胞鎮流電阻設計,開發出了短路耐受時間長,導通電阻小,閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
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CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200 V絕緣體上硅(SOI)柵極驅動器和六個CoolSiC? MOSFET,以提高系統可靠性,優化PCB尺寸和系統成本。
2020-12-11 17:01:08
1369 量產階段并通過可靠性測試。 ? 1200V 藍寶石基GaN 器件 ? 據介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產四種規格的型號,包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A
2024-07-31 01:06:00
5182 影響?正向導通電壓 V為正溫度系數F應用?太陽能升壓器?逆變器續流反并聯二極管器件編號 封裝 IV1D12010T2 TO247-2 ?維也納三相 PFC 整流變換器?AC/DC 變換器?開關電源
2020-03-13 13:42:49
有的場合沒有三相電,只有單相電,手頭上的三相電機沒有電源可以使用,下面推薦兩種三相380V電機用單相220V驅動的方法。
2021-01-26 06:14:57
套件簡介:英飛凌現已推出一款全新的三相電機驅動應用套件,以幫助設計人員在更短的時間內完成具有卓越的速度控制、更低噪聲和更高系統可靠性的高能效電機控制設計,縮短將產品推向市場所需的時間。該套件的核心
2018-12-04 09:53:07
中國民用供電使用三相電作為樓層或小區進線,多用星形接法,其相電壓為220V,而線電壓為380V(近似值),需要中性線,一般也都有地線,即為三相五線制。而進戶線為單相線,即三相中的一相,對地或對中性線電壓均為220V。一些大功率空調等家用電器也使用三相四線制接法,此時進戶線必須是三相線。
2019-09-27 09:01:39
這是三相相序保護產品的原理圖,想請教下,這個三相是通過什么原理識別出來的?還有這個三相識別的功能要是去掉,要如何去改電路呢?請大神告知下,謝謝。
2017-08-28 16:36:35
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆變器控制所需的 PWM 信號。主要特色 三相逆變器系統具有:額定電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊。(支持多家供應商)7 個增強型隔離式
2018-12-27 11:41:40
導讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
RD-354,參考設計使用FNA22512A 25A / 1200V,3.7 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:23:30
RD-354,參考設計使用FNA23512A 35A / 1200V,5.5 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:46:31
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時,重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件,因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
請問這個三相的兩電平逆變器180度導電方式(每次三個管子導通,SPWM或者SVPWM導電方式),如圖所示,相電壓有2*Ud/3,-2*Ud/3,Ud/3,-Ud/3,相電壓會出現0的情況嗎我是這樣想
2018-07-09 12:02:26
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
高達2A,使它適用于直接驅動更小的MOSFET 和 IGBT功率模塊(通常高達100A)。它具備相關的控制和安全功能,可提高整個系統的可靠性。該驅動器由實現了高低壓電平的隔離:芯片輸入側,直接連接一個
2018-12-06 09:57:11
請問國外工廠的供電是三相200V,我出口的儀器是220V單相的,到國外后直接從三相200V中取出1相給我的儀器供電可以嗎?
2020-03-30 09:00:11
如何實現三相五電平CSI拓撲的設計?三相多電平CSI在選取控制策略時需要考慮哪些因素?三相直接式五電平CSI的調制方式有哪些?
2021-04-14 06:10:34
長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ?無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
東莞雷奧哈德耐用中型減速電機研發生產公司,是一家一輩子只做耐用設備耐用減速電機馬達的研發生產廠家,主要產品有保修2年可延保6年,保用10年的耐用中型減速電機、耐用減速馬達、耐用調速電機、三相
2021-09-18 16:26:44
IR全新堅固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術領先供應商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出用于工業電機驅動控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28
1142 IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32
955 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術,為工業及節能
2012-11-21 09:39:40
3382 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優化,兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲能系統等應用的系統改進,此后可將其范圍擴大到工業變頻器。
2016-05-10 17:17:49
8625 三電平三相逆變器快速有限控制集模型預測控制方法_楊勇
2017-01-07 18:12:51
3 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37
738 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21
884 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08
622 大聯大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:00
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ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:29
10826 ROHM新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-13 18:30:57
1897 隨著市場對SiC技術的效率和功率密度的要求不斷上升,新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇。
2019-05-17 08:51:43
1044 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-29 15:15:50
5922 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2020-08-20 18:50:00
0 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2020-08-12 18:52:00
1 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:51
4444 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:02
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