本文實驗中采用的開關(guān)電源為BCD 半導體公司研發(fā)的3765序列充電器， 采用的功率雙極晶體管是BCD半導體公司提供的APT13003E, 它被廣泛應用于電子鎮(zhèn)流器、電池充電器及電源適配器等功率開
2011-11-17 13:59:56
1918 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝
2013-03-25 15:48:171837 iodes公司 （Diodes Incorporated） 推出最新限流電源開關(guān)系列，以2mm x 2mm超小封裝帶來高電流處理能力，提高機頂盒、LED電視及筆記本電腦等產(chǎn)品的USB3.0接口保護
2013-05-06 10:43:561581 傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動型放大器，對其信號放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:032554 
基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標。該產(chǎn)品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅(qū)動、SMPS（包括服務器、電信和
2020-02-18 17:50:082025 模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:491311 
3.9*3.3mm Elliptical Wide Angle LED封裝尺寸及參數(shù)說明產(chǎn)品說明：ChipMaterial:GaNEmitted Color:Whiteλσ（nm）:Lens
2008-09-28 17:53:44
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-8-17 11:45 編輯
Diodes Inc MMBT39x車用晶體管專為中等功率放大和開關(guān)應用而設(shè)計。 MMBT39x晶體管是互補
2019-08-17 09:43:27
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
DN354- 兩相升壓轉(zhuǎn)換器采用3mm x 3mm DFN封裝，提供10W功率
2019-09-17 08:48:11
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過1W。相比
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
描述此設(shè)計展示了采用 TPS54478 的高功率密度 3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方案。輸入電壓范圍為 3V - 6V。總體外形尺寸為 15.5mm x 7.8mm。
2018-07-23 09:21:10
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
您好，為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路，我們將基板與發(fā)射器連接，還是允許空氣？謝謝 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
匹配（IM）場效應晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。GaAN HEMT也提供更大的功率密度
2018-08-13 10:58:03
鎵相比具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱電導率。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與砷化鎵晶體管相比。 該IM FET提供金屬/陶瓷法蘭提供最佳電氣
2020-12-03 11:49:15
和更高導熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
任何定制的傳感器解決方案。該設(shè)備集成了所有關(guān)鍵部件具有高效功率場效應晶體管、低電磁干擾場效應晶體管等功能驅(qū)動器，升壓帶電路，2.5V LDO和電流測量。專有的電流測量電路提供精確當前的讀數(shù)為FOD(外部
2018-10-06 11:05:36
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統(tǒng)。 當在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計，實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
15989509955 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司MAPRST0912-50一個射頻功率晶體管。這些高功率晶體管是理想的航空電子，通信，雷達，以及工業(yè)，科學和醫(yī)療應用。優(yōu)勢產(chǎn)品:MACOM放大器/QORVO放大器濾波器
2018-08-09 09:57:23
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報價MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計，從2到30 MHz優(yōu)勢產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
`<p>Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
功率晶體管。》 工作頻率按工作頻率，晶體管可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管。》 包裝結(jié)構(gòu)根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)，晶體管可分為金屬封裝晶體管、塑料封裝晶體管、玻璃外殼封裝晶體管、表面封裝晶體管和陶瓷封裝
2023-02-03 09:36:05
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應用呢？如何去實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計呢？
2022-01-14 07:02:41
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過1W。相比
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞。總之，與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
求購雙極晶體管BD249C，NPN，30個，要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實驗室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導線，隨即準確地壓進鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
Zetex推出電流處理功能與SOT223相同的雙極晶體管，它采用SOT23封裝，可減小PCB尺寸，用大小為2.5×3.05的SOT23封裝替代6.7×7.3mm的SOT223可使空間節(jié)省80%以上。
2006-03-13 13:05:211228 絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復合，結(jié)合二者的優(yōu)點1986年投
2009-04-14 22:13:397311 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001718 
絕緣柵雙極晶體管原理、特點及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:596997 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有
2009-11-05 11:40:14722
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021733 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:555648 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 雙極晶體管屬于電流控制器件，即加入變動的基極電流，產(chǎn)生集電極電流的變動。
2011-03-03 11:40:34
150 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:224763 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基（Schottky） 二極管，為智能手機及平板電腦的設(shè)計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。
2013-07-03 13:55:001627 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出ZXTR2000系列高壓穩(wěn)壓器，把晶體管、Zener二極管及電阻器集成到一個標準SOT89封裝，通過減少器件數(shù)量和占位面積，提升
2013-07-18 15:59:311677 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271575 年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061460 （分立式扁平無引腳）封裝的晶體管。全新產(chǎn)品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產(chǎn)品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于
2013-11-04 10:37:08832 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 為針對網(wǎng)絡(luò)、電信和以太網(wǎng)供電 （Power over Ethernet，簡稱PoE） 設(shè)備內(nèi)48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR2000系列。
2014-08-20 11:50:071685 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571655 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361840 功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照來降低功率雙極晶體管的下降延時， 以此來降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個典型的充電器開關(guān)電源中， 85 V 交流
2019-09-15 04:36:002672 
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1427406 
目前，產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計制造技術(shù)，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國際領(lǐng)先研發(fā)
2018-04-24 16:12:5110 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網(wǎng)站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節(jié)詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm2！
2020-04-20 09:02:365294 近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節(jié)詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm2！
2020-04-20 09:09:154142 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學習絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應用。IGBT是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點，用于電源和電機控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:262779 LTC3221/LTC3221-3.3/LTC3221-5 - 采用 2mm x 2mm DFN 封裝的超低 IQ、60mA 穩(wěn)壓升壓型充電泵
2021-03-21 04:56:309 采用 3mm x 3mm DFN 封裝的同步降壓-升壓型大功率白光 LED 驅(qū)動器提供高達 1A 的電流
2021-03-21 14:09:328 DN354-兩相Boost轉(zhuǎn)換器采用3 mm x 3 mm DFN封裝，可提供10W功率
2021-05-08 21:36:208 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 一體成型電感 CSAB1235A-R68M 感量0.68μH，飽和電流40A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:39:412 電力電子領(lǐng)域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:114328 
以 TPS566242 降壓轉(zhuǎn)換器為例，如圖 1 中所示。新的工藝節(jié)點通過集成功能并提供額外的接地連接優(yōu)化了引腳布局，有助于在 1.6mm x 1.6mm SOT-563 封裝中提供 6A 輸出電流。
2022-10-14 17:42:451302 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:150 “晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機制和特點。
2023-07-07 10:14:495306 【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？
2023-12-13 14:38:562201 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有3.3mm通道到通道間距的UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 10:19:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有3.3mm通道到通道間距的UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 10:23:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:19:460 CSD86336Q3D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應用的優(yōu)化設(shè)計，可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產(chǎn)品針對 5V 柵極驅(qū)動應用進行了優(yōu)化，提供了一種靈活的解決方案，當與來自外部控制器/驅(qū)動器的任何 5V 柵極驅(qū)動器配對時，能夠提供高密度電源。
2025-04-15 15:42:00749 
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設(shè)計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應用提供低元件數(shù)量。
2025-04-16 09:55:06835 
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787 
NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 Q g 和 Q GD 低 R DS（開） 低熱阻 雪崩評級 無鉛 符合 RoHS 標準 無鹵素 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數(shù)
2025-04-16 11:25:34775 
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有高達 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距，從而實現(xiàn)更高的總線電壓。
2025-05-24 10:10:00659 
專為高功率密度應用而設(shè)計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝，采用創(chuàng)新的柵極中置布局技術(shù)，可大幅簡化 PCB 走線設(shè)計。 日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商
2025-06-18 15:18:491438 
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