在中國深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“你碰巧在你的設計中用過60V的負載開關嗎？”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形尺寸晶體管
2022-11-16 07:06:25
8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-8-17 11:45 編輯
Diodes Inc MMBT39x車用晶體管專為中等功率放大和開關應用而設計。 MMBT39x晶體管是互補
2019-08-17 09:43:27
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
即是內置了電阻的晶體管。數字晶體管有諸多優點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數量減少 等等。數字晶體管是ROHM的專利。內置電阻的晶體管是由ROHM最早開發并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
即是內置了電阻的晶體管。數字晶體管有諸多優點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數量減少 等等。數字晶體管是ROHM的專利。內置電阻的晶體管是由ROHM最早開發并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內部結構的特點是發射區的摻雜濃度遠遠高于基區摻雜濃度，并且基區很薄，集電結的面積比發射結面積大。這是晶體管具有放大能力的內部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
IGN2856S40晶體管產品介紹IGN2856S40報價IGN2856S40代理IGN2856S40咨詢熱線IGN2856S40現貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司,Integra
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
GaAs-GaAlAs，放大倍數可以大于1000，響應時間長于納秒，常用作光電探測器和光放大。場效應光電晶體管（FET）響應迅速（約50皮秒），但缺點是光敏面積和增益小，常用作超高速光電探測器。還有許多其他平面
2023-02-03 09:36:05
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
場效應晶體管的誕生。鰭式場效應晶體管架構的后續改進提高了性能并減少了面積。鰭式場效應晶體管的 3D 特性具有許多優點，例如增加鰭片高度以在相同的占位面積下獲得更高的驅動電流。 圖2顯示了MOSFET結構
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
在中國深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“你碰巧在你的設計中用過60V的負載開關嗎？”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形尺寸晶體管
2018-08-29 16:09:11
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
晶體管出現的意義
晶體管的出現，是電子技術之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。 同電子管相比，晶體管具有諸多優越性： ①晶體管的構
2009-11-05 10:46:47
3959 晶體管分類
按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結構如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 晶體管h參數,晶體管h參數是什么意思
在合理設置靜態工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:226627 意法半導體(STMicroelectronics, ST) 日前發布全新微型封裝技術 SMBflat ，據稱比 SOT-223 封裝薄40%，能有效縮減50%的印刷電路板占板面積
2011-03-28 11:39:301590 《晶體管精華集錦》技術專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設計、晶體管應用（主要含晶體管收音機、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基（Schottky） 二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現雙倍功率密度。
2013-07-03 13:55:001627 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出ZXTR2000系列高壓穩壓器，把晶體管、Zener二極管及電阻器集成到一個標準SOT89封裝，通過減少器件數量和占位面積，提升
2013-07-18 15:59:311677 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271575 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:402499 2016年7月正式發布的2015年國際半導體技術路線圖（ITRS）做出預測，經歷了50多年的微型化，晶體管的尺寸可能將在5年后停止縮減。
2018-01-29 11:27:3015806 
本文開始介紹了晶體管的分類與場效應晶體管，其次分析了晶體管的重要性及作用，最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測方法。
2018-02-01 09:18:3229435 晶體管泛指所有半導體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據結構和制造
2019-04-09 14:18:3136635 CPU使用數十億個微型晶體管，電子門打開和關閉以執行計算。晶體管越小，所需的功率就會越小。7nm和10nm是這些晶體管尺寸的測量尺寸。nm是納米和微小長度的縮寫，以此來判斷特定CPU有多強大的有用指標。
2019-08-18 10:02:177884 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 伴隨著摩爾定律衍生出來的是，由于較小的晶體管通常比較大的晶體管消耗更少的功率，所以隨著晶體管密度的增加，單位芯片面積的功耗保持恒定。但是，晶體管的功耗降低速度在2007年左右有所放緩。
2020-09-25 17:13:235928 晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如
2022-02-09 12:34:23
2 和電阻R2可以有多種匹配方式，因此數字晶體管的種類很多。 數字晶體管有很多優點，例如：1.減少安裝面積，2.減少安裝時間，3.減少元件數量等。數字晶體管是ROHM的專利。 內置電阻器的晶體管最早由 ROHM 開發并獲得專利。 IC：可通過晶體管的最大電流理論值
2022-05-12 18:07:012964 40 V、2 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5240T
2023-02-07 19:18:310 40 V、200 mA NPN/NPN 通用雙晶體管-PMBT3904YS
2023-02-07 19:21:030 40 V、200 mA NPN/NPN 開關晶體管-PMBT3904VS
2023-02-07 19:55:050 40伏；2 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS4240T
2023-02-09 21:22:070 40 V PNP 負載開關晶體管-PBLS4002Y-Q
2023-02-09 21:39:530 40 V 低 VCEsat PNP 晶體管-PBSS5540Z-Q
2023-02-15 18:44:480 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:493586 40 V、600 mA NPN 開關晶體管-PMBT2222AQA
2023-02-21 18:40:240 40 V、600 mA NPN 開關晶體管-PMBT2222AMB
2023-02-21 18:40:450 40 V、200 mA NPN 開關晶體管-PMBT3904QA
2023-02-21 18:53:340 高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數，因此廣泛應用于無線電通信、雷達、導航、廣播電視等領域。
2023-02-25 15:05:443765 40 V、600 mA PNP 開關晶體管-PZT4403
2023-02-27 18:15:590 40V、600mA、PNP 開關晶體管-PMBT2907
2023-02-27 18:17:040 40 V、600 mA PNP 開關晶體管-PMST4403
2023-03-01 18:40:170 40 V、600 mA NPN/PNP 通用晶體管-NMB2227A
2023-03-01 18:47:590 40 V，600 mA，雙 NPN 開關晶體管-PMBT4401YS
2023-03-02 23:13:070 40 V，600 mA，雙 NPN 開關晶體管-PMBT2222AYS
2023-03-02 23:13:370 在半導體行業的最初幾十年里，新的工藝節點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現性能、功耗和面積增益，這稱為經典縮放。集成電路工作得更好，因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:431457 晶體管，作為現代電子設備的基石，其功能和工作原理一直是電子學和半導體物理領域研究的核心。芯片中的每個晶體管都是一個微型開關，負責控制電流的流動。隨著技術的不斷發展，現代芯片上可能集成了數十億甚至數百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構造開始，深入解析其操作機制。
2023-10-16 10:09:134353 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別。
2024-09-13 14:10:009541 CMOS晶體管尺寸規則是一個復雜且關鍵的設計領域，它涉及到多個方面的考量，包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管的基本結構、尺寸對性能的影響、設計規則以及未來趨勢等方面進行詳細闡述。
2024-09-13 14:10:435289 微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導體制造的基礎材料，通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包括： 硅礦石的提取和提純 單晶硅的生長，通常
2024-10-15 14:48:361570 電子發燒友網為你提供()用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器真值表，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:30:00
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