N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結構
N
2009-09-16 09:41:43
25079 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
3286 雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy],流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
1911 
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應用需求的增加, P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:30
2758 
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時,它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地,漏極連接到負載,當柵極施加正電壓時,F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設計的過程中,選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
—功率 MOSFET 的選型1 我的應用該選擇哪種類型的 MOSFET?前面說了,實際應用主要使用增強型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對這個問題有疑問,下面的圖
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設計的過程中,選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
車規(guī)級GPS模塊有哪些特征?
2021-05-18 06:54:02
`各位今天聊聊車規(guī)級的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級別的,但又工業(yè)級別的。從穩(wěn)定性,可靠性方面考慮,應該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢,是溫度?`
2015-10-15 14:22:18
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術,具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
LT1158上單個輸入引腳的典型應用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側開關。根據應用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
PCA9685是車規(guī)級的么?我想要一個車規(guī)級的PWM輸出信號芯片(引腳越多越好)有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣
2021-05-24 09:43:54
車規(guī)級共模扼流圈
過濾汽車和工業(yè)應用中的功率和信號噪聲
Abracon最新的共模扼流圈(CMC)可用于電源線和信號線的應用。此外,信號線CMC可以支持can、can-FD和以太網數據傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
` 誰來闡述一下什么是車規(guī)級芯片?`
2019-10-18 10:55:55
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
—功率 MOSFET 的選型1 我的應用該選擇哪種類型的 MOSFET?前面說了,實際應用主要使用增強型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對這個問題有疑問,下面的圖
2019-11-17 08:00:00
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動IC。圖2:用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
請問車規(guī)級芯片到底有哪些要求?
2021-06-18 07:56:37
硬件級安全和AEC-Q100車規(guī)級高可靠性等優(yōu)勢特點,在智能車燈控制、電機控制、車身控制、虛擬儀表、智能座艙等汽車電子市場用途廣泛。N32A455系列車規(guī)MCU的產品優(yōu)勢特性1,高性能架構
2023-02-20 17:44:27
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48nC,采
2010-07-16 15:05:24
17 N溝道增強型MOSFET
N溝道增強型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強型MOSFET的結構N 溝道增強型
2009-09-16 09:38:18
10743 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52
1102 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業(yè)內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05
1058 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01
1015 MOSFET及其應用優(yōu)勢,以幫助設計人員在許多工業(yè)應用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G(柵極),S(源極)和D(漏極)。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結構,與市場上的其
2021-05-27 12:18:58
9886 
近日,四維圖新旗下全資子公司AutoChips杰發(fā)科技對外宣布,其車規(guī)級MCU產品線又添重量級新成員——AC7801X,這是杰發(fā)科技繼2018年底量產的國內首顆車規(guī)級MCU 芯片——AC7811之后
2021-02-16 09:34:00
12505 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅動器數據表
2021-05-20 18:32:19
4 N溝道增強型功率MOSFET G23N06K規(guī)格書英文版
2021-12-02 10:49:10
0 車規(guī)級芯片是,汽車元件。車規(guī)級是適用于汽車電子元件的規(guī)格標準。目前汽車電動化、智能化、網聯(lián)化、共享化,車規(guī)級芯片起著至關重要的存在。 車規(guī)級芯片的分類 按功能劃分,車規(guī)級芯片分為控制類、功率類
2021-12-09 14:23:24
21723 電子發(fā)燒友網站提供《GW1N系列FPGA產品(車規(guī)級)數據手冊.pdf》資料免費下載
2022-09-14 16:44:23
1 由于具有較低的導通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素,使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。
2022-11-18 11:28:21
4033 按功能種類劃分,車規(guī)級半導體大致可分為主控/計算類芯片(MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等)、功率半導體(IGBT和MOSFET)、傳感器(CIS、加速傳感器等)、無線通信及車載接口類芯片、車用存儲器等。
2023-04-18 11:52:03
1366 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52
2610 
晶振進行比較,全面解析它們之間的差異。 首先,我們來介紹車規(guī)級晶振的特點。車規(guī)級晶振是一種高性能、高精度的晶振,廣泛應用于汽車電子領域。它具有以下特點: 1. 溫度穩(wěn)定性:車規(guī)級晶振能夠在廣泛的溫度范圍內保持較高的
2023-11-17 11:31:52
2042 電子發(fā)燒友網站提供《1A,700V N溝道功率MOSFET UTC1N70-LC數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-05-30 16:11:41
0 電子發(fā)燒友網站提供《LTS7446FL-N N溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-24 11:23:03
2 電子發(fā)燒友網站提供《FS60N03 N溝道增強型功率MOSFET數據表.pdf》資料免費下載
2025-09-23 14:59:08
0 在中低壓功率轉換與高頻開關領域,N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對仁懋電子(MOT)的MOT3150J型號,從電氣參數、特性優(yōu)勢到實際應用場景展開深度剖析,為工程師選型與系統(tǒng)
2025-10-23 11:17:26
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STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術,利用了20年的超級結技術經驗。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應用。
2025-10-23 15:08:58
415 
在汽車電子的中低壓功率控制領域,從電動助力轉向(EPS)到智能水泵、風機系統(tǒng),對器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴苛要求。中科微電推出的車規(guī)級N溝道MOSFET——ZK60G270G,憑借
2025-10-27 14:18:15
262 
意法半導體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標準。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51
509 
仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級結技術的N溝道功率MOSFET,憑借700V級耐壓、超低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數校正(PFC)、開關模式電源(SMPS
2025-10-31 17:31:08
179 
仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借120V耐壓、超低導通損耗及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池
2025-10-31 17:33:14
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、負載開關等)。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT50N02D為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(
2025-10-31 17:36:09
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領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT5N50MD為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{D
2025-11-03 15:26:33
300 
電源模塊等領域。以下從器件特性、電氣參數、應用場景等維度展開說明。一、產品基本信息MOT90N03D為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V
2025-11-03 16:33:23
497 
領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT9N50D為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
2025-11-04 15:22:12
226 
仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性,廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關模式電源等領域
2025-11-04 15:59:03
238 
等領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT15N50F為N溝道功率MOSFET,核心參數表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
2025-11-05 12:10:09
283 
、輕型電動車、無人機等大功率場景。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V
2025-11-05 15:28:39
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及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池管理系統(tǒng)(BMS)、無人機等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:
2025-11-05 15:53:52
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仁懋電子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性,適用于各類開關應用(如DC-DC
2025-11-05 16:01:03
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DC-DC轉換器、大功率負載開關等)。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場
2025-11-06 15:44:22
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領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{D
2025-11-06 16:05:07
286 
領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS
2025-11-06 16:12:24
298 
電源等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R
2025-11-06 16:15:37
292 
領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS
2025-11-07 10:23:59
241 
。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS(
2025-11-07 10:31:03
211 
。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS(o
2025-11-07 10:40:08
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逆變器、輕型電動車、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓大電
2025-11-10 15:50:16
248 
逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\))
2025-11-10 16:01:46
413 
轉換器、大功率負載開關等)。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場景;導通
2025-11-11 09:18:36
255 
領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(
2025-11-11 09:23:54
217 
等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{
2025-11-12 09:34:45
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。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS(
2025-11-12 14:15:44
279 
電源等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R
2025-11-12 14:19:35
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系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
2025-11-14 12:03:12
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逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)
2025-11-18 15:58:04
228 
、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):1
2025-11-18 16:04:11
277 
DC/DC轉換器、高頻開關與同步整流等場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓
2025-11-18 16:08:14
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領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS(o
2025-11-19 10:24:32
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電源等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{
2025-11-19 11:15:03
277 
系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:15:00
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系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:21:04
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仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性,適用于各類開關應用場景。一、產品基本信息器件類型:N
2025-11-20 16:22:54
305 
領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS(
2025-11-24 14:33:13
243 
mm封裝,具有下拉和中心柵極設計,可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR,符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機驅動器、電源負載開關和直流/直流應用。
2025-11-24 15:35:18
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電源等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{D
2025-11-24 14:45:26
185 
電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適
2025-11-24 17:04:20
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電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):100V,適
2025-11-24 17:23:08
546 
在電子設備的設計中,功率MOSFET是至關重要的元件,它對設備的性能和效率有著深遠的影響。今天,我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
2025-11-28 14:03:45
182 
在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天,我們就來深入探討 onsemi 推出的 NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET,看看它有哪些獨特的性能和應用特點。
2025-12-01 09:28:49
381 
作為電子工程師,在設計過程中,選擇合適的功率MOSFET至關重要。今天就來詳細介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET,探討它的特性、參數以及在實際應用中的表現(xiàn)。
2025-12-01 09:34:36
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在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是不可或缺的關鍵元件。今天,我們聚焦于ON Semiconductor推出的一款單N溝道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C,深入剖析其特性、參數及應用場景。
2025-12-01 14:41:37
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在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的元件,它廣泛應用于各類電源管理、電機驅動等電路中。今天,我們就來詳細剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET,看看它有哪些獨特之處。
2025-12-02 11:43:20
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在電子設計領域,功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件,廣泛應用于各類電源管理、電機驅動等電路中。今天,我們就來深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25
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在電子工程師的日常設計工作中,功率 MOSFET 是一種常見且關鍵的元件。今天,我們要詳細探討的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 這款 N 溝道功率 MOSFET,它具有諸多出色的特性,適用于多種應用場景。
2025-12-02 15:53:58
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在電子工程師的日常設計工作中,功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的 NTMFWS1D5N08X 這款高性能 N 溝道功率 MOSFET,為大家詳細解析其特點、參數及應用場景。
2025-12-03 11:30:32
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在電子工程領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能和特性對電路設計起著至關重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X,這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET,它在多個方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19
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在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來詳細探討 onsemi 推出的一款高性能 N 溝道 MOSFET——NTBLS1D5N10MC。
2025-12-03 11:52:04
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在電子設計領域,MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天,我們來詳細探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET,看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-08 16:38:38
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在功率半導體領域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天我們就來詳細解析 onsemi 的 NTHL045N065SC1 這款 N 溝道 SiC 功率 MOSFET。
2025-12-08 16:55:38
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